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试论齐纳二极管早期失效对芯片可靠性的影响

作     者:邵兴杰 朱伟睿 李世杰 

作者机构:珠海格力电器股份有限公司广东珠海519070 空调设备及系统运行节能国家重点实验室广东珠海519070 珠海市运泰利自动化设备有限公司广东珠海519070 

出 版 物:《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》 

年 卷 期:2021年第10期

页      面:554-555页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:齐纳二极管 早期失效 芯片可靠性 影响 

摘      要:齐纳二极管广泛运用与多种集成电路产品设计中,一方面其属性为基准电压元件,可以为电路提供精准稳压电源,摆脱时间、负载等客观因素影响;另一方面齐纳二极管的运行稳定性较高,可以满足多种集成电路产品设计需求。本文针对齐纳二极管早期失效的特点进行探究,分析其在温度、时间等影响下出现了早期失效问题,并结合齐纳二极管的特点和产品可靠性要求进行分析,提出了科学使用齐纳二极管的措施建议。

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