Nb:SrTiO_(3)阻变单元及1T1R复合结构的电离辐射总剂量效应研究

作     者：单月晖 连潞文 高媛 魏佳男 杜翔 唐新悦 罗婷 谭开洲 张培健 SHAN Yuehui;LIAN Luwen;GAO Yuan;WEI Jianan;DU Xiang;TANG Xinyue;LUO Ting;TAN Kaizhou;ZHANG Peijian

作者机构：军委装备发展部北京100034 中国人民解放军海军八〇七厂北京102401 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 中国电子科技集团公司第二十九研究所成都610072 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2022年第52卷第6期

页      面：1033-1038页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(12105252) 重庆市自然科学基金资助项目(cstc2021jcyj-bsh0246) 国防工业抗辐照应用技术创新基金资助项目(KFZC2020020702) 

主　　题：Nb∶SrTiO_(3)阻变单元 总剂量效应 1T1R X射线辐射 

摘      要：开展了Nb∶SrTiO_(3)阻变单元及1T1R复合结构的X射线总剂量效应实验研究。结果表明,Nb∶SrTiO_(3)阻变单元在累积剂量达到10 Mrad(Si)时依然能够保持良好的阻变特性,高、低阻态未发生逻辑混乱。1T1R复合结构中的NMOS选通晶体管对电离辐射较为敏感,在栅氧化层中辐射感生氧化物陷阱电荷的作用下,NMOS器件阈值电压逐渐向负方向漂移,泄漏电流逐渐增加,进一步导致关态条件下(V_(G)=0 V)对阻变存储单元的错误读写。通过选用抗辐射加固NMOS选通晶体管,可显著提升1T1R复合结构的抗总剂量能力。