IR推出20 V至30 V的全新StrongIRFET系列
出 版 物：《半导体信息》 (Semiconductor Information)
年 卷 期：2014年第2期
页 面：6-7页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：导通电阻 高性能 功率半导体 整流器 封装 管理方案 传导损耗 器件 系列 典型值
摘 要：全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20 VD irectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))IRL6283M 采用超薄的30mm2中罐式 DirectFET 封装,导通电阻典型值只有500μΩ,可大幅降低传导损耗,因而非常适合动态 O-
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