InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)
Status of InP/GaAsSb/InP Double Heterojunction Bipolar Transistors Technology作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051
出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)
年 卷 期：2009年第34卷第9期
页 面：821-827页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901)
主 题：GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 技术发展现状 欧姆接触电极 InGaAs 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺
摘 要：5 制作工艺和优化 Ⅱ型InP DHBT的工艺流程与传统Ⅰ型InP HBT和DHBT工艺基本相同,一般沿用传统的三台面工艺,所不同之处主要是基区材料不同而导致湿法腐蚀和工艺细节变化,此外,由于Ⅱ型DHBT集电区全部采用InP材料,从而减小了由于四元缓变层带来的形成集电区台面时的工艺难度.
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