飞行时间法测量真空电子偶素产额研究低能离子溅射诱导的缺陷损伤
Measurement of positronium fraction in vacuum by time-of-flight spectroscopy作者机构：中国科学技术大学结构分析开放实验室中国科学技术大学
出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)
年 卷 期：1994年第17卷第10期
页 面：632-635页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：利用飞行时间谱直接测量了低能正电子与表面相互作用时的真空Ｐｓ产额．该方法比通常的峰法和峰－谷法准确、简单：利用该方法研究了Ａｒ＋溅射在Ｓｉ（１００）面上诱导的缺陷损伤及退火行为。
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