Static Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Different Thickness of AlGaN Layer

作     者：吴桐 郝智彪 唐广 郭文平 胡卉 孙长征 罗毅 Wu Tong;HAO Zhibiao;Tang Guang;GUO Wenping;Hu Hui;Sun Changzheng;Luo Yi

作者机构：清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室北京100084 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2003年第24卷第11期

页      面：1130-1134页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号 :60 2 44 0 0 1) 清华大学基础研究基金(批准号:JZ2 0 0 2 0 0 5 )资助项目~~ 

主　　题：HEMT GaN power devices 

摘      要：The growth and device fabrication of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are carried out by using metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) *** the performances of HEMT devices with different thickness of AlGaN layer are *** device with thinner spacer layer exhibits better static *** a maximum saturation current density of 650mA/mm and a peak extrinsic transconductance of 100mS/mm are obtained from the devices with gate length of 1μm.