硅各向异性腐蚀的原子级模拟
Simulation of Silicon Anisotropic Etching Using Cellular Automata Method 作者机构：北方工业大学信息工程学院微电子中心北京100041 东南大学电子工程系MEMS教育部重点实验室南京210096
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2005年第26卷第3期
页 面：618-623页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：北京市自然科学基金资助项目(批准号:4042013)~~
摘 要：应用原子级模型中的随机CA算法,针对硅材料和具体的工艺特点,构造了相应的函数,并在此基础上编制了应用软件———SSAE.该软件可独立运行,能够模拟出硅在KOH中不同腐蚀条件下腐蚀的过程和结果,并且克服了其他采用原子级模型的模拟软件中常出现的边界模糊等缺点.该结果与其他软件和实验结果相比,较为一致,并且该软件具有占用系统资源少、运行时间快等优点,具有一定的实用价值.
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