不同应力下碳化硅场效应晶体管器件总剂量效应及退火特性

作     者：顾朝桥 郭红霞 潘霄宇 雷志峰 张凤祁 张鸿 琚安安 柳奕天 Gu Zhao-Qiao;Guo Hong-Xia;Pan Xiao-Yu;Lei Zhi-Feng;Zhang Feng-Qi;Zhang Hong;Ju An-An;Liu Yi-Tian

作者机构：湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 西北核技术研究所西安710024 工业和信息化部第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2021年第70卷第16期

页      面：198-206页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11875229)资助的课题 

主　　题：碳化硅场效应晶体管 总剂量 电压 温度 退火效应 

摘      要：以碳化硅场效应晶体管器件作为研究对象,对其开展了不同电压、不同温度下的钴源辐照实验以及辐照后的退火实验.使用半导体参数分析仪测试了器件的直流参数,研究了器件辐照敏感参数在辐照和退火过程中的变化规律,分析了电压、温度对器件辐照退化产生影响的原因,也探索了退火恢复的机理.结果表明:辐照感生的氧化物陷阱电荷是造成碳化硅场效应晶体管器件电学参数退化的主要原因,电压和温度条件会影响氧化物陷阱电荷的最终产额,从而导致器件在不同电压、不同温度下辐照后的退化程度存在差异;退火过程中由于氧化物陷阱电荷发生了隧穿退火,导致器件电学性能得到了部分恢复.