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不同应力下碳化硅场效应晶体管器件总剂量效应及退火特性

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物理学报 2021年第16期70卷 198-206页

作者：顾朝桥郭红霞潘霄宇雷志峰张凤祁张鸿琚安安柳奕天湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 西北核技术研究所西安710024 工业和信息化部第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610

以碳化硅场效应晶体管器件作为研究对象,对其开展了不同电压、不同温度下的钴源辐照实验以及辐照后的退火实验.使用半导体参数分析仪测试了器件的直流参数,研究了器件辐照敏感参数在辐照和退火过程中的变化规律,分析了电压、温度对器件... 详细信息

以碳化硅场效应晶体管器件作为研究对象,对其开展了不同电压、不同温度下的钴源辐照实验以及辐照后的退火实验.使用半导体参数分析仪测试了器件的直流参数,研究了器件辐照敏感参数在辐照和退火过程中的变化规律,分析了电压、温度对器件辐照退化产生影响的原因,也探索了退火恢复的机理.结果表明:辐照感生的氧化物陷阱电荷是造成碳化硅场效应晶体管器件电学参数退化的主要原因,电压和温度条件会影响氧化物陷阱电荷的最终产额,从而导致器件在不同电压、不同温度下辐照后的退化程度存在差异;退火过程中由于氧化物陷阱电荷发生了隧穿退火,导致器件电学性能得到了部分恢复.

关键词：碳化硅场效应晶体管总剂量电压温度退火效应

质子辐照作用下浮栅单元的数据翻转及错误退火

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物理学报 2022年第11期71卷 383-389页

作者：刘晔郭红霞琚安安张凤祁潘霄宇张鸿顾朝桥柳奕天冯亚辉湘潭大学材料科学与学院湘潭411105 西北核技术研究所西安710024

本文利用60 MeV质子束流,开展了NAND(not and)flash存储器的质子辐照实验,获取了浮栅单元的单粒子翻转截面,分析了浮栅单元错误的退火规律,研究了质子辐照对浮栅单元的数据保存能力的影响.实验结果表明,浮栅单元单粒子翻转截面随质子能... 详细信息

本文利用60 MeV质子束流,开展了NAND(not and)flash存储器的质子辐照实验,获取了浮栅单元的单粒子翻转截面,分析了浮栅单元错误的退火规律,研究了质子辐照对浮栅单元的数据保存能力的影响.实验结果表明,浮栅单元单粒子翻转截面随质子能量的升高而增大,随质子注量的升高而减小.浮栅单元错误随着退火时间的推移持续增多,该效应在低能量质子入射时更为明显.经质子辐照后,浮栅单元的数据保存能力有明显的退化.分析认为高能质子通过与靶原子的核反应,间接电离导致浮栅单元发生单粒子翻转,翻转截面与质子注量的相关性是因为浮栅单元单粒子敏感性的差异.质子引起的非电离损伤会在隧穿氧化层形成部分永久性的缺陷损伤,产生可以泄漏浮栅电子的多辅助陷阱导电通道,导致浮栅单元错误增多及数据保存能力退化.

关键词： flash存储器 /质子辐照 /单粒子翻转 /多陷阱辅助导电通道

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重离子在碳化硅中的输运过程及能量损失

物理学报 2021年第16期70卷 72-81页

作者：张鸿郭红霞潘霄宇雷志峰张凤祁顾朝桥柳奕天琚安安欧阳晓平湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 西北核技术研究所西安710024 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610

利用蒙特卡罗方法,模拟计算了不同线性能量传输(liner energy transfer,LET)的重离子在碳化硅中的能量损失,模拟结果表明:重离子在碳化硅中单位深度的能量损失受离子能量和入射深度共同影响;能量损失主要由初级重离子和次级电子产生,非... 详细信息

利用蒙特卡罗方法,模拟计算了不同线性能量传输(liner energy transfer,LET)的重离子在碳化硅中的能量损失,模拟结果表明:重离子在碳化硅中单位深度的能量损失受离子能量和入射深度共同影响;能量损失主要由初级重离子和次级电子产生,非电离能量损失只占总能量损失的1%左右;随着LET的增大,次级电子的初始角度和能量分布越来越集中;重离子诱导产生的电荷沉积峰值位置在重离子径迹中心,在垂直于入射深度方向上呈高斯线性减小分布.利用锎源进行碳化硅MOSFET单粒子烧毁试验,结合TCAD模拟得到不同漏极电压下器件内部电场分布,在考虑电场作用的蒙特卡罗模拟中发现:碳化硅MOSFET外延层的电场强度越大,重离子受电场作用在外延层运动的路径越长、沉积能量越多,次级电子越容易偏向电场方向运动导致局部能量沉积过高.

关键词：蒙特卡罗方法碳化硅重离子能量损失电场

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我国大飞机适航标准的早期探索与现实启示

自然辩证法通讯 2024年第1期46卷 9-19页

作者：顾天丽黄庆桥上海交通大学马克思主义学院上海200240

作为一项贯穿民用航空器研制全程的系统性工程,自主进行适航标准和适航审定能力建设具有极其重要的战略意义。20世纪七八十年代在自主研制运10大型客机的过程中,我国已经开始了大型客机适航标准的早期探索,突破了此前国内一直沿用苏联... 详细信息

作为一项贯穿民用航空器研制全程的系统性工程,自主进行适航标准和适航审定能力建设具有极其重要的战略意义。20世纪七八十年代在自主研制运10大型客机的过程中,我国已经开始了大型客机适航标准的早期探索,突破了此前国内一直沿用苏联规范的局面,走上了与欧美适航标准体系接轨的道路。适航标准体系的研究贯穿整个运10工程的始终,这一开创性的工作诞生了中国第一部民航适航标准规章。回顾这段历史,对于当前我国大飞机适航标准工作具有重要启发意义。

关键词：适航标准大型民用飞机 708工程

滇蛙（Nidirana pleuraden）的鸣叫节律及不同群鸣期鸣声特征

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生态学杂志 2024年

作者：万丽霞顾朝松陈佳妮周峰西北师范大学生命科学学院

雄蛙鸣声传递、招揽、警告、攻击、炫耀、求偶、种间识别等信息，对其繁殖起重要作用。2023年5—7月，收集了昆明呈贡区滇蛙（Nidirana pleuraden）的204个清晰鸣声片段和用于分析节律的21天昼夜鸣声数据。6月滇蛙的日鸣声数量显著高于... 详细信息

雄蛙鸣声传递、招揽、警告、攻击、炫耀、求偶、种间识别等信息，对其繁殖起重要作用。2023年5—7月，收集了昆明呈贡区滇蛙（Nidirana pleuraden）的204个清晰鸣声片段和用于分析节律的21天昼夜鸣声数据。6月滇蛙的日鸣声数量显著高于5月和7月；鸣叫高峰期为19:00—翌日04:00；不同群鸣期广告鸣声的主频和音节时长无显著差异，基频、音节间隔、音节数量、脉冲速率和鸣声时长均存在极显著差异（P<0.01）。群鸣高峰期，竞争鸣声的脉冲速率极显著低于低峰期，音节间隔极显著高于低峰期，其余5个参数无差异；遭遇鸣声的鸣声时长更低（P<0.05），其余6个参数无显著差异。滇蛙的繁殖盛期为6月；鸣叫行为具有昼夜节律；滇蛙的广告、竞争和遭遇鸣声特征受群鸣强度的影响，滇蛙在群鸣高峰期调整广告鸣声参数，采取提升鸣声基频、音节数量和鸣声时长并降低音节间隔和脉冲速率的策略提升了性吸引力。通过发出高脉冲速率和短音节间隔的竞争鸣声和鸣声时长更长的遭遇鸣声提升了雄-雄竞争中获胜的概率。

关键词：滇蛙鸣声特征日节律群鸣期

舒适护理在老年哮喘患者护理中的应用及效果观察

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中文科技期刊数据库（全文版）医药卫生 2024年第6期 0193-0196页

作者：顾朝凤新疆维吾尔自治区喀什地区第二人民医院药学部静配中心新疆喀什844000

观察舒适护理在老年哮喘患者护理中的应用及效果。方法选取2022年5月至2023年6月本院接受治疗的80例老年哮喘患者,分为实验组与参照组,给予不同护理方法,观察两组护理情况。结果实验组哮喘发作次数、哮喘发作频率和住院时间少于参照组... 详细信息

观察舒适护理在老年哮喘患者护理中的应用及效果。方法选取2022年5月至2023年6月本院接受治疗的80例老年哮喘患者,分为实验组与参照组,给予不同护理方法,观察两组护理情况。结果实验组哮喘发作次数、哮喘发作频率和住院时间少于参照组(P<0.05);实验组舒适度、依从性与满意度高于参照组(P<0.05)。结论研究得出,对老年哮喘予以舒适护理可改善病人生活质量,减少不良症状的出现,促进患者更好地康复,为其创造良好的疗养环境,得到更加安全有效的治疗。

关键词：老年哮喘舒适护理应用效果

基于模糊网络与TOPSIS的备件品种确定方法

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海军工程大学学报 2024年第5期36卷 80-85页

作者：陈砚桥王小巍金家善顾任利海军工程大学动力工程学院武汉430033 陆军工程大学军械士官学校武汉430075

舰船携行备件品种确定过程是一种典型的多属性决策问题,针对其属性评估时面临的复杂性与模糊性、评估过程透明性不足的问题,提出了一种集成模糊网络与熵权法来扩展TOPSIS的方法。该方法以语言值Z-numbers作为评估值表示形式,分别构造了... 详细信息

舰船携行备件品种确定过程是一种典型的多属性决策问题,针对其属性评估时面临的复杂性与模糊性、评估过程透明性不足的问题,提出了一种集成模糊网络与熵权法来扩展TOPSIS的方法。该方法以语言值Z-numbers作为评估值表示形式,分别构造了效益和成本属性下的模糊网络子系统,将合并子系统规则的模糊隶属度函数作为聚合模糊隶属度函数,通过案例计算得到Spearman rho相关系数值。结果表明:模糊网络的应用提高了决策过程的透明性,熵权法的应用提高了属性权重确定过程中的客观性,证明了该方法较其他经典方法具有更高的准确性。

关键词：多属性决策备件品种确定模糊网络熵权法

管廊隧道在国内炼化企业厂际间的首次规模化成功应用

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化工管理 2024年第12期 167-171页

作者：顾朝红中海石油宁波大榭石化有限公司浙江宁波315812

在隧道内铺设大量管线用来作为炼油化工装置连接厂际间的专用系统管廊,大榭石化管廊隧道在开建时在国内炼厂中确实没有规模化应用的案例,当时对管廊隧道的消防验收没有可参考依据,为此,浙江省公安消防总队特意组织专家对管廊隧道的消防... 详细信息

在隧道内铺设大量管线用来作为炼油化工装置连接厂际间的专用系统管廊,大榭石化管廊隧道在开建时在国内炼厂中确实没有规模化应用的案例,当时对管廊隧道的消防验收没有可参考依据,为此,浙江省公安消防总队特意组织专家对管廊隧道的消防设计召开评审会并提出审查意见。其安全性和可靠性存在一定的争议,在没有任何可借鉴经验的情况下,大榭石化为了集约用地、节省成本,通过在山体内开挖一条隧道,并在隧道内建设管架用来敷设物料输送管线,用管廊隧道实现了厂际间的连通,通过采用一系列安全措施,大胆开创了管廊隧道在国内炼化企业厂际间的首次规模化应用。经过装置两个大检修周期的运行检验,管廊隧道运行安全和各项指标均达到了预期。大榭石化管廊隧道的应用,既节约了土地资源,又降低了建设投资和运行成本,为今后同类型管廊隧道的再次应用提供了宝贵的可借鉴经验。

关键词：管廊隧道炼化企业厂际

SiC JBS二极管和SiC MOSFET的空间辐照效应及机理

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太赫兹科学与电子信息学报 2022年第9期20卷 884-896页

作者：张鸿郭红霞顾朝桥柳奕天张凤祁潘霄宇琚安安刘晔冯亚辉湘潭大学材料科学与工程学院湖南湘潭411105 西北核技术研究所陕西西安710024

基于第六代650 V碳化硅结型肖特基二极管(SiC JBS Diode)和第三代900 V碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET),开展SiC功率器件的单粒子效应、总剂量效应和位移损伤效应研究。20~80 MeV质子单粒子效应实验中,SiC功率器件发生单粒子烧毁(SEB)... 详细信息

基于第六代650 V碳化硅结型肖特基二极管(SiC JBS Diode)和第三代900 V碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET),开展SiC功率器件的单粒子效应、总剂量效应和位移损伤效应研究。20~80 MeV质子单粒子效应实验中,SiC功率器件发生单粒子烧毁(SEB)时伴随着波浪形脉冲电流的产生,辐照后SEB器件的击穿特性完全丧失。SiC功率器件发生SEB时的累积质子注量随偏置电压的增大而减小。利用计算机辅助设计工具(TCAD)开展SiC MOSFET的单粒子效应仿真,结果表明,重离子从源极入射器件时,具有更短的SEB发生时间和更低的SEB阈值电压。栅-源拐角和衬底-外延层交界处为SiC MOSFET的SEB敏感区域,强电场强度和高电流密度的同时存在导致敏感区域产生过高的晶格温度。SiC MOSFET在栅压偏置(U_(GS)=3 V,U_(DS)=0 V)下开展钴源总剂量效应实验,相比于漏压偏置(U_(GS)=0 V,U_(DS)=300 V)和零压偏置(U_(GS)=U_(DS)=0 V),出现更严重的电学性能退化。利用中带电压法分析发现,栅极偏置下氧化层内的垂直电场提升了陷阱电荷的生成率,加剧了阈值电压的退化。中子位移损伤会导致SiC JBS二极管的正向电流和反向电流减小。在漏极偏置下进行中子位移损伤效应实验,SiC MOSFET的电学性能退化最严重。该研究为空间用SiC器件的辐射效应机理及抗辐射加固研究提供了一定的参考和支撑。

关键词：碳化硅结型肖特基二极管碳化硅场效应晶体管单粒子烧毁计算机辅助设计总剂量效应位移损伤效应