硅中氧的高空间分辨本领红外光谱
High Spatial Resolution Infrared Spectroscopy of Oxygen in Silicon作者机构：北京大学物理系 Dipartimento di Fisica'A.Volta'.Universita di Pavia.I-27100 Pavia.Italy Rudjer Boskovic Institute P. O. Box 1016 YU'-41000 Zagreb Croatia Yugoslavia
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1992年第13卷第11期
页 面：668-674页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：用高空间分辨本领的富利埃变换红外光谱研究了CZ法生长硅薄片中氧的沉淀.用此技术我们能探测到单个沉淀物的聚集所贡献的1230cm^(-1)处的吸收带.实验发现在1100℃退火80分钟就足以形成薄层盘形的SiO_2沉淀物.获得的样品中沉淀物的空间分布图表明这些沉淀物的分布是不均匀的,主要分别分布在离后表面和外延衬底界面约100μm距离内.
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