4.5kV非对称GCT阻断电压失效分析
Blocking Voltage Failure Analysis of 4.5 kV Asymmetrical GCT作者机构：新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412000 株洲中车时代半导体有限公司湖南株洲412000
出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)
年 卷 期：2021年第55卷第2期
页 面：134-136页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：介绍了4.5 kV非对称门极换流晶闸管(GCT)阻断电压失效现象,并进行分析。通过对GCT工艺流程的梳理,找到了GCT阻断电压失效的原因。制造过程中,铝扩散工艺中受到污染导致了少子寿命的大幅降低,从而造成GCT漏电流过大的特性。最终通过在铝氧化推进工艺中引入二氯乙烯(DCE)清洗或在铝扩散后增加磷吸收工艺,解决了GCT阻断电压失效的问题。
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