对LiNbO_3∶Fe∶Mn晶体非挥发全息存储的理论研究

作     者：申岩 孙秀冬 赵业权 Shen Yan;Sun Xiu-dong;Zhao Ye-quan

作者机构：哈尔滨工业大学理学研究中心黑龙江哈尔滨150080 哈尔滨工业大学物理系黑龙江哈尔滨150080 哈尔滨工业大学光电信息中心黑龙江哈尔滨150080 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2009年第36卷第1期

页      面：166-171页

核心收录：

学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(60308005 60678021 10334010) 新世纪优秀人才支持计划项目 教育部留学回国人员启动基金(2003-406) 教育部科学技术研究重点项目(104054) 教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(704012) 黑龙江省博士后经费项目 哈尔滨工业大学优秀团队支持计划项目 哈尔滨工业大学优秀青年教师培养计划资助课题 

主　　题：非线性光学 全息存储 数值方法 空间电荷场 隧穿效应 

摘      要：以双中心模型为基础,理论研究了LiNbO3∶Fe∶Mn晶体在稳态情况下的非挥发双光双步全息存储性能。采用数值方法,通过比较深(Mn2+/Mn3+)、浅(Fe2+/Fe3+)能级之间所有可能的电子交换过程,发现由隧穿效应引起的深浅能级之间直接电子交换过程对总的空间电荷场的大小起着决定性的作用。同时,这一电子交换过程对晶体非挥发全息存储性能也起着至关重要的作用。此外,还从理论上证实晶体中总的空间电荷场的大小主要由深能级的空间电荷场所决定。