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一种新型的基于隧穿效应的表面传导电子发射显示器

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核技术 2005年第6期28卷 463-468页

作者：鲁扬张亚非何智慧练文柳上海交通大学微纳米研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳米研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室上海200030 湖南常徳卷烟厂技术中心常德415000

基于隧穿效应的表面传导电子发射显示器(SED,Surface-conduction electron-emitter display)是由佳能和松下公司最近开发出来的一种颇具发展潜力的新型显示器技术。本文介绍了SED的基本工作原理,讨论了涉及SED中电子行为的多重散射和惯... 详细信息

基于隧穿效应的表面传导电子发射显示器(SED,Surface-conduction electron-emitter display)是由佳能和松下公司最近开发出来的一种颇具发展潜力的新型显示器技术。本文介绍了SED的基本工作原理,讨论了涉及SED中电子行为的多重散射和惯性离心机理,简要回顾了显示器技术的现状,并将现存的几种主要的显示器技术同SED作了比较。

关键词：表面传导电子发射显示器(SED) 隧穿效应多重散射惯性离心力

固-液有限周期声子晶体全反射隧穿效应的解析理论

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人工晶体学报 2012年第6期41卷 1664-1669页

作者：刘启能刘沁重庆工商大学计算机科学与信息工程学院重庆400067 重庆工商大学设计艺术学院重庆400067

利用倏逝波的概念和多波束干涉理论解释了一维固-液结构有限周期声子晶体全反射隧穿效应产生的原因,并推导出全反射隧穿峰带的波长满足的解析公式。得出了一维固-液结构有限周期声子晶体全反射隧穿峰带的波长随周期数以及周期波程的变... 详细信息

利用倏逝波的概念和多波束干涉理论解释了一维固-液结构有限周期声子晶体全反射隧穿效应产生的原因,并推导出全反射隧穿峰带的波长满足的解析公式。得出了一维固-液结构有限周期声子晶体全反射隧穿峰带的波长随周期数以及周期波程的变化规律,这些结论与转移矩阵法的结论吻合,弥补了一维有限周期声子晶体研究中数值计算方法的不足。

关键词：声子晶体全反射隧穿效应解析理论

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一维光子晶体的全反射隧穿效应的解析研究

光学学报 2012年第2期32卷 227-231页

作者：刘启能重庆工商大学废油资源化技术与装备教育部工程研究中心重庆400067 重庆工商大学计算机科学与信息工程学院重庆400067

为研究一维光子晶体全反射隧穿效应的解析理论,利用多光束干涉理论推导出一维光子晶体的全反射隧穿导带频率满足的解析公式,从理论上解释了一维光子晶体的全反射隧穿效应产生的物理机理。利用频率的解析公式对全反射隧穿导带的频率随周... 详细信息

为研究一维光子晶体全反射隧穿效应的解析理论,利用多光束干涉理论推导出一维光子晶体的全反射隧穿导带频率满足的解析公式,从理论上解释了一维光子晶体的全反射隧穿效应产生的物理机理。利用频率的解析公式对全反射隧穿导带的频率随周期数、入射角以及周期光学厚度的变化规律进行了解析研究。并与传输矩阵法的计算结果进行了比较,结果发现两种方法得出的结论是吻合的,从而证明了解析理论的正确性。解析理论便于对各参量间的依赖关系进行解析研究,弥补了一维光子晶体研究中数值计算方法的不足。

关键词：光电子学光子晶体全反射隧穿效应解析法

4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究

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物理学报 2003年第10期52卷 2541-2546页

作者：吕红亮张义门张玉明西安电子科技大学微电子所西安710071

基于 4H SiC材料特性 ,建立了 4H SiCpn结型二极管的击穿模型 .该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和隧穿效应 .利用该模型 ,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响 ;解释了不同的温度和掺杂条件下 ,器件的击穿机理 .

关键词： 4H-SiC pn结型二极管击穿特性隧穿效应碳化硅器件雪崩倍增效应

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方形光子晶体的全反射隧穿效应的滤波特性

压电与声光 2012年第3期34卷 351-354页

作者：刘启能代洪霞于奇文重庆工商大学废油资源化技术与装备教育部工程研究中心重庆400067 重庆工商大学计算机科学与信息工程学院重庆400067 辽阳鸿宇晶体有限公司辽宁辽阳111000

为了研究一维方形光子晶体中电磁波的全反射隧穿效应,利用传输矩阵法计算了电磁波在大于全反射角入射一维方形光子晶体的透射率。在透射波中发现了全反射隧穿效应。得出了方形光子晶体的全反射隧穿效应随模式量子数、边长、周期数的变... 详细信息

为了研究一维方形光子晶体中电磁波的全反射隧穿效应,利用传输矩阵法计算了电磁波在大于全反射角入射一维方形光子晶体的透射率。在透射波中发现了全反射隧穿效应。得出了方形光子晶体的全反射隧穿效应随模式量子数、边长、周期数的变化规律。为设计性能优良的光子晶体滤波器提供了理论依据。

关键词：方形光子晶体全反射隧穿效应滤波

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圆柱固-液结构声子晶体的全反射隧穿效应

压电与声光 2012年第4期34卷 581-584,592页

作者：刘启能于奇文重庆工商大学废油资源化技术与装备教育部工程研究中心重庆400067 重庆工商大学计算机科学与信息工程学院重庆400067 辽阳鸿宇晶体有限公司辽宁辽阳111000

为了研究一维固-液结构圆柱形声子晶体中弹性波的全反射隧穿效应,利用转移矩阵法计算了弹性波在大于全反射角入射一维圆柱形声子晶体的透射率。在透射波中发现了全反射隧穿效应,得出了全反射隧穿峰的频率随模式量子数的变化特征,全反射... 详细信息

为了研究一维固-液结构圆柱形声子晶体中弹性波的全反射隧穿效应,利用转移矩阵法计算了弹性波在大于全反射角入射一维圆柱形声子晶体的透射率。在透射波中发现了全反射隧穿效应,得出了全反射隧穿峰的频率随模式量子数的变化特征,全反射隧穿峰的频率随圆柱半径的的变化特征,全反射隧穿峰的峰数随周期数的变化特征。并利用波的量子理论和倏逝波的理论对一维声子晶体的隧穿效应作出了定性的理论解释。

关键词：圆柱声子晶体全反射隧穿效应模式

半无限周期光子晶体全反射隧穿效应的共振机理

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光子学报 2012年第8期41卷 986-990页

作者：刘启能重庆工商大学计算机科学与信息工程学院重庆400067

建立了一维半无限周期光子晶体的谐振腔模型.利用谐振腔的共振条件推导出全反射隧穿导带波长满足的解析公式,从理论上解释了一维半无限周期光子晶体的全反射隧穿效应产生的物理机理.利用波长的解析公式对全反射隧穿导带的波长随导带级... 详细信息

建立了一维半无限周期光子晶体的谐振腔模型.利用谐振腔的共振条件推导出全反射隧穿导带波长满足的解析公式,从理论上解释了一维半无限周期光子晶体的全反射隧穿效应产生的物理机理.利用波长的解析公式对全反射隧穿导带的波长随导带级数、腔光学厚度以及入射角的变化规律进行了研究,解释了一维半无限周期光子晶体的全反射隧穿效应的变化规律.将共振理论的结果与色散法的结果进行比较,其结果吻合.

关键词：光子晶体全反射隧穿效应共振

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隧穿效应薄膜晶体管制备与特性分析

隧穿效应薄膜晶体管制备与特性分析

作者：王晓林哈尔滨理工大学

学位级别：硕士

作为薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)和主动式有机电致发光显示(AM-OLED)驱动电路的核心部分,薄膜晶体管(TFT)的研究一直是TFT-LCD和AM-OLED显示技术的主要投资和核心技术。其中TFT-LCD的薄膜晶体管技术已经比较成熟了,成品率也比较高,然而... 详细信息

作为薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)和主动式有机电致发光显示(AM-OLED)驱动电路的核心部分,薄膜晶体管(TFT)的研究一直是TFT-LCD和AM-OLED显示技术的主要投资和核心技术。其中TFT-LCD的薄膜晶体管技术已经比较成熟了,成品率也比较高,然而OLED的薄膜晶体管由于采用与LCD不同的电流驱动方式,对薄膜晶体管的电流和开关比等要求更高。我们从薄膜晶体管器件结构着手,制备具有隧穿效应的薄膜晶体管,即垂直结构的薄膜晶体管,最大程度上的减小薄膜晶体管导电沟道的长度,提高晶体管的工作电流等性能。首先,利用磁控溅射Zn靶并与氧气反应在石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,X射线衍射法分析不同衬底温度下的氧化锌薄膜结构,确定制备C轴取向性好,表面平整的氧化锌薄膜的工艺参数。然后,制备以氧化锌为半导体沟道的具有隧穿效应的薄膜晶体管,晶体管结构为Ag/ZnO/Al/ZnO/Ag的三明治结构,其中,Ag和Al作为电极,均采用直流磁控溅射制备,ZnO则是利用磁控溅射制备。Ag和ZnO形成肖特基接触,Al和ZnO形成欧姆接触。两层Ag分别作为漏极和源极,A1作为栅极,ZnO作为有源层。利用半导体测试仪对不同衬底温度和不同溅射时间条件下制备的氧化锌薄膜晶体管进行测试,工作电流可高达十几毫安;衬底温度为200℃时,器件性能较好;溅射时间的增加即薄膜厚度的增加,可促进肖特基势垒的形成,是以增加导电沟道长度为代价,即增加驱动电压和降低电流。通过电容-电压特性和电流-电压特性计算得到肖特基势垒高度分别为0.68eV和0.56eV,并且计算得到载流子浓度约为3.231×10’5cm-3最后,通过测试得到的薄膜晶体管的基本电学特性分析薄膜晶体管性能,计算晶体管跨导、输出电阻、电压放大倍数以及载流子迁移率等衡量薄膜晶体管性能参数,计算结果可得：载流子迁移率约为0.1509cm2/Vs,阈值电压为0.5V左右,比目前广泛研究的水平结构的薄膜晶体管小得多。利用金属-半导体接触载流子传输机制分析隧穿效应薄膜晶体管的工作机理,结果发现,薄膜晶体管中载流子为电子,电子从Ag电极隧穿注入半导体层,且注入电流满足Fowler-Nordheim隧穿效应理论。

关键词：隧穿效应薄膜晶体管氧化锌磁控溅射

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无限周期声子晶体全反射隧穿效应的机理研究

中国科学：物理学、力学、天文学 2012年第2期42卷 116-121页

作者：刘启能重庆工商大学废油资源化技术与装备教育部工程研究中心重庆400067 重庆工商大学计算机科学与信息工程学院重庆400067

建立了一维无限周期声子晶体的谐振腔模型,利用谐振腔的共振条件推导出全反射隧穿导带频率满足的解析公式,从理论上解释了一维无限周期声子晶体全反射隧穿效应产生的物理机理.利用频率的解析公式对全反射隧穿导带的频率随导带级数、腔... 详细信息

建立了一维无限周期声子晶体的谐振腔模型,利用谐振腔的共振条件推导出全反射隧穿导带频率满足的解析公式,从理论上解释了一维无限周期声子晶体全反射隧穿效应产生的物理机理.利用频率的解析公式对全反射隧穿导带的频率随导带级数、腔厚度以及入射角的变化规律进行了研究,圆满地解释了一维无限周期声子晶体的全反射隧穿效应的变化规律.并且将共振理论的结果与色散法的结果进行比较,其结果完全吻合.

关键词：声子晶体全反射隧穿效应机理