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碲化锌插入层对碲化镉太阳电池性能参数影响的分析

Analysis of Influence of ZnTe Insertion Layer on CdTe Solar Cell Parameters

作     者:鄢强 冯良桓 武莉莉 张静全 郑家贵 蔡伟 蔡亚平 李卫 黎兵 宋慧瑾 夏庚培 

作者机构:四川大学太阳能材料与器件研究所成都610064 

出 版 物:《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))

年 卷 期:2004年第25卷第4期

页      面:424-429页

核心收录:

学科分类:08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 1AA5 13 0 10 ) 国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 760 3 0 )资助项目~~ 

主  题:共蒸发沉积 背接触 碲化镉太阳电池 插入层 填充因子 

摘      要:分析了有 Zn Te/ Zn Te∶ Cu插入层的 Cd Te太阳电池在能带结构上的变化 .通过对比有无插入层的 Cd Te太阳电池在 C- V特性、I- V特性、光谱响应上的不同 ,肯定了插入层对改善背接触特性的作用 ,发现它还可以改善器件前结 Cd S/ Cd Te的二极管特性和短波光谱响应 .实验结果还表明 ,不掺杂的 Zn Te对提高器件的效率是必要的 .恰当的不掺杂层厚度和退火温度能有效地改进 Cd Te太阳电池的性能 。

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