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近空间升华法制备CdS多晶薄膜的研究

光谱学与光谱分析 2009年第1期29卷 56-61页

作者：杨定宇夏庚培郑家贵冯良桓蔡亚平四川大学材料科学与工程学院四川成都610064 成都信息工程学院光电技术系四川成都610225

系统地研究了近空间升华法(CSS)制备CdS薄膜沉积速率的影响因素。发现CdS薄膜的沉积速率随升华源温度的升高而增大,但随衬底温度和沉积气压的上升而下降。对所制备样品的结构、表面形貌和光谱透过率特性进行了测试,结果表明:(1)不同氧... 详细信息

系统地研究了近空间升华法(CSS)制备CdS薄膜沉积速率的影响因素。发现CdS薄膜的沉积速率随升华源温度的升高而增大,但随衬底温度和沉积气压的上升而下降。对所制备样品的结构、表面形貌和光谱透过率特性进行了测试,结果表明:(1)不同氧分压下沉积的CdS薄膜沿(103)晶向择优生长。CdCl2氛围下退火后,(103)晶向的优势得到进一步加强;(2)不同氧分压制备的CdS薄膜致密且粒径均匀,晶粒的大小随着衬底温度的升高而增大,但薄膜的粗糙度也随之增大;(3)随着CdS薄膜厚度的减小,可见光中短波段的透过率有所增大,有利于提高太阳电池的短波光谱响应。并将CSS制备的CdS多晶薄膜用于CdTe太阳电池的制作,获得了10.29%的光电转换效率,初步验证了该制作工艺的可行性。

关键词： CdTe太阳电池近空间升华法 CdS多晶薄膜

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大面积CdTe多晶薄膜太阳电池的制备

云南大学学报（自然科学版） 2005年第S3期27卷 496-498,547页

作者：白桂庭郑家贵黎兵蒋显辉夏庚培四川大学材料科学系四川成都610064

利用近空间升华法制备面积为300×400 mm2的大面积CdTe薄膜,衬底为用化学水浴法制备的CdS薄膜,膜厚小于1μm,以共蒸发法制备的ZnTe/ZnTe∶Cu复合多晶薄膜作为背接触层,将其分割成面积为0.071 cm2的电池进行性能测试和光谱响应测试,最后... 详细信息

利用近空间升华法制备面积为300×400 mm2的大面积CdTe薄膜,衬底为用化学水浴法制备的CdS薄膜,膜厚小于1μm,以共蒸发法制备的ZnTe/ZnTe∶Cu复合多晶薄膜作为背接触层,将其分割成面积为0.071 cm2的电池进行性能测试和光谱响应测试,最后得到了转换效率为8.35%的CdTe多晶薄膜电池.

关键词： CdTe太阳电池大面积近空间升华

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近空间升华法制备大面积CdTe多晶薄膜

云南大学学报（自然科学版） 2005年第S3期27卷 499-502页

作者：蒋显辉郑家贵黎兵白桂庭夏庚培四川大学材料科学系四川成都610064

用自行设计的大面积CdTe薄膜沉积设备在混合氩氧气氛下,采用近空间升华法(CSS)沉积大面积的CdTe薄膜,研究衬底温度均匀性对薄膜微结构和厚度均匀性的影响,利用XRD,SEM研究其结构、成分和形貌,结果表明:CdTe薄膜无择优取向,且薄膜总体致... 详细信息

用自行设计的大面积CdTe薄膜沉积设备在混合氩氧气氛下,采用近空间升华法(CSS)沉积大面积的CdTe薄膜,研究衬底温度均匀性对薄膜微结构和厚度均匀性的影响,利用XRD,SEM研究其结构、成分和形貌,结果表明:CdTe薄膜无择优取向,且薄膜总体致密均匀,晶粒大小约为1μm左右.用此薄膜制成CdS/CdTe/ZnTe∶Cu小面积太阳电池,经过I-V测试,其转换效率已达8.35%.

关键词： CdTe薄膜近空间升华法大面积

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透明SnO_2薄膜的制备及结构、性质研究

太阳能学报 2004年第5期25卷 624-628页

作者：雷智冯良桓张静全蔡亚平蔡伟郑家贵李卫武莉莉黎兵蔡道林夏庚培鄢强四川大学太阳能材料与器件研究所成都610064

采用超声喷雾热解成膜技术制备透明SnO2薄膜,用XRD、UV/Vis、SEM、电导温度曲线等系统研究了衬底温度、反应液中双氧水浓度与SnO2薄膜的结构、形貌和光学、电学性质的关系。结果表明,衬底温度与薄膜的微结构和电阻率有密切的关系;加入... 详细信息

采用超声喷雾热解成膜技术制备透明SnO2薄膜,用XRD、UV/Vis、SEM、电导温度曲线等系统研究了衬底温度、反应液中双氧水浓度与SnO2薄膜的结构、形貌和光学、电学性质的关系。结果表明,衬底温度与薄膜的微结构和电阻率有密切的关系;加入适量双氧水能使制备的薄膜晶粒均匀,表面形貌有所改善并得到透明高阻SnO2薄膜。

关键词： SnO2 透明高阻膜过渡层超声喷雾热解

氧对于在Ar/O氛围下用近空间升华法制备的CdS薄膜的影响

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物理学报 2009年第9期58卷 6465-6470页

作者：夏庚培冯良桓蔡亚平黎兵张静全郑家贵卢铁城四川大学太阳能材料与器件研究所成都610064 四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室成都610064

采用近空间升华法(CSS)在氩/氧气氛中制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜.利用XRD,XPS,AFM,UV-VIS光谱和四探针技术等测试和分析手段系统研究了氧对薄膜的成分、结构、光学和电学等性质的影响.结果表明,用近空间升华法制备的CdS薄膜具有六方相结... 详细信息

采用近空间升华法(CSS)在氩/氧气氛中制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜.利用XRD,XPS,AFM,UV-VIS光谱和四探针技术等测试和分析手段系统研究了氧对薄膜的成分、结构、光学和电学等性质的影响.结果表明,用近空间升华法制备的CdS薄膜具有六方相结构,膜层致密、均匀,平均晶粒大小约为40 nm,富硫.氧掺入后部分与镉生成氧化镉,并随着氧含量的增加,薄膜的成分有趋于化学计量比的趋势,光学带隙加宽,光暗电导比增加.此外,还利用扫描电镜(SEM)观察了CdS/CdTe断面结合光谱响应(QE)的结果讨论了氧对CdS/CdTe界面互扩散的影响.发现,随着CdS薄膜制备气氛中氧分压的升高,CdS/CdTe界面的互扩散程度降低,有利于提高器件在500—600 nm波长范围内的光谱响应.认为,氧含量的增加不但使CdS薄膜在光伏应用方面的质量得到改善,而且CdTe太阳电池器件中的CdS/CdTe界面也得到了优化.

关键词： CdS多晶薄膜近空间升华法窗口层界面

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CdS多晶薄膜的制备及性质研究

功能材料 2009年第9期40卷 1499-1501,1505页

作者：杨定宇郑家贵朱兴华魏昭荣夏庚培冯良桓成都信息工程学院光电技术系四川成都610225 四川大学材料科学与工程学院四川成都610064

分别采用近空间升华法和电子束蒸发法在透明导电玻璃和普通载玻片上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜。对制备样品的表征结果表明:(1)两种方法制备样品都沿(002)晶向择优生长,属于六方相多晶结构,但择优取向度不同;(2)CdS薄膜表面连续而致密,... 详细信息

分别采用近空间升华法和电子束蒸发法在透明导电玻璃和普通载玻片上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜。对制备样品的表征结果表明:(1)两种方法制备样品都沿(002)晶向择优生长,属于六方相多晶结构,但择优取向度不同;(2)CdS薄膜表面连续而致密,粒径均匀,但两种工艺制备样品的S:Cd原子比有较大差异;(3)CdS薄膜的光能隙在2.39～2.44eV之间,电子束蒸发制备样品光能隙稍小。分析认为,两种方法制备样品的上述差异可能与衬底温度、沉积时间及成膜机制的不同相关。

关键词： CdS多晶薄膜太阳电池近空间升华法电子束蒸发法

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CdTe多晶薄膜太阳电池的结构改进

太阳能学报 2005年第3期26卷 367-370页

作者：夏庚培蔡伟郑家贵冯良桓蔡亚平黎兵李卫武莉莉鄢强四川大学材料系成都610064

采用共蒸发法制备了ZnTe:Cu和Cd1-xZnxTe多晶薄膜,研究了薄膜的结构和性能。获得了Cd1-xZnxTe多晶薄膜的光能隙与锌含量的关系,ZnTe:Cu多晶薄膜光能隙随着掺Cu浓度的增加,光能隙减小。分别用ZnTe/ZnTe:Cu和Cd1-xTe/ZnTe:Cu复合层作为背... 详细信息

采用共蒸发法制备了ZnTe:Cu和Cd1-xZnxTe多晶薄膜,研究了薄膜的结构和性能。获得了Cd1-xZnxTe多晶薄膜的光能隙与锌含量的关系,ZnTe:Cu多晶薄膜光能隙随着掺Cu浓度的增加,光能隙减小。分别用ZnTe/ZnTe:Cu和Cd1-xTe/ZnTe:Cu复合层作为背接触层,既能修饰异质结界面,改善电池的能带结构,又能防止Cu原子向电池内部扩散。获得了面积0.5cm2,转换效率为13.38%的CdTe多晶薄膜太阳电池。

关键词：太阳电池多晶薄膜CdTe

低温制备透明导电膜SnO2：F及其结构和性质研究

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高技术通讯 2004年第1期14卷 52-55页

作者：雷智冯良桓张静全蔡亚平蔡伟郑家贵李卫武莉莉黎兵蔡道林夏庚培鄢强四川大学太阳能材料与器件研究所成都610064

SnO2：F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料。本文采用超声喷雾热解成膜技术，对沉积装置进行了改进，同时对反应液配方进行了优化，制备出透明SnO2：F导电薄膜。用XRD、UV／Vis、SEM、原子力显微镜分析测试... 详细信息

SnO2：F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料。本文采用超声喷雾热解成膜技术，对沉积装置进行了改进，同时对反应液配方进行了优化，制备出透明SnO2：F导电薄膜。用XRD、UV／Vis、SEM、原子力显微镜分析测试方法对沉积薄膜的结构、形貌和光学、电学性质进行了研究。结果表明，在360℃沉积温度下制备的SnO2：F薄膜，其方块电阻为4．7Ω，(200)面择优取向明显，薄膜晶粒均匀，表面形貌有所改善，透明度有所提高。

关键词：制备透明导电膜结构超声喷雾热解成膜氧化锡薄膜

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AlSb多晶薄膜的制备及其潮解性研究

功能材料 2010年第1期41卷 173-176页

作者：贺剑雄武莉莉郑家贵夏庚培冯良桓张静全李卫黎兵四川大学材料科学与工程学院四川成都610064 国家光伏产品质量监督检验中心四川成都610200

采用磁控溅射法制备了Al-Sb多层薄膜,通过调节Al和Sb亚层厚度及层数改变原子配比,并在真空中退火。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、金相显微镜、Hall测试及俄歇电子能谱仪研究了薄膜的结构和性能。结果表明,刚沉积的薄膜只有S... 详细信息

采用磁控溅射法制备了Al-Sb多层薄膜,通过调节Al和Sb亚层厚度及层数改变原子配比,并在真空中退火。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、金相显微镜、Hall测试及俄歇电子能谱仪研究了薄膜的结构和性能。结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,经500℃退火后化合为P型AlSb多晶薄膜,且沿(111)择优取向,退火温度超过600℃薄膜产生局部损伤。通过台阶仪显微摄像探头及俄歇深度剖图观察和分析了薄膜的潮解现象,提出了几种保护措施。

关键词： AlSb 薄膜退火磁控溅射法