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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

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  • 1 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 多晶硅栅极
  • 1 篇 栅极氧化层
  • 1 篇 晶体管
  • 1 篇 场效应管
  • 1 篇 深度反转层反馈
  • 1 篇 阈值电压

机构

  • 1 篇 zalink公司

作者

  • 1 篇 john ellis

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"机构=Zalink公司"
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利用深度反转层反馈晶体管直接测量场效应管阈值电压
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引用
世界电子元器件 2002年 第7期 48-49页
作者： John Ellis zalink公司
简介传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区.由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄,而凹形衬底又是高度掺杂的,因此场阈值(25伏或更高)... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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