利用深度反转层反馈晶体管直接测量场效应管阈值电压
Direct Measurement of Threshold Voltages of Field Transistor Using Transistors with Feedback of Deep Inversion作者机构：Zalink公司
出 版 物：《世界电子元器件》 (Global Electronics China)
年 卷 期：2002年第7期
页 面：48-49页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：多晶硅栅极 栅极氧化层 深度反转层反馈 晶体管 场效应管 阈值电压
摘 要：简介 传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区.由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄,而凹形衬底又是高度掺杂的,因此场阈值(25伏或更高)变得比栅极氧化区的击穿电压(15伏或更低)还要高.
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