检索结果-南通市图书馆

采用基片集成波导技术的毫米波MEMS环行器

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微纳电子技术 2024年第6期61卷 131-137页

作者：董建利李志东翟晓飞周嘉河北美泰电子科技有限公司石家庄050299 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

设计并制备了一款毫米波的微机电系统(MEMS)环行器。该毫米波MEMS环行器芯片采用高阻硅作为衬底,利用基片集成波导(SIW)技术,基于硅基MEMS工艺,采用低损耗金属化技术,实现了硅通孔金属化的制备。采用三维电磁仿真软件进行模拟,设计了该... 详细信息

设计并制备了一款毫米波的微机电系统(MEMS)环行器。该毫米波MEMS环行器芯片采用高阻硅作为衬底,利用基片集成波导(SIW)技术,基于硅基MEMS工艺,采用低损耗金属化技术,实现了硅通孔金属化的制备。采用三维电磁仿真软件进行模拟,设计了该毫米波MEMS环行器的结构以及SIW与微带线的过渡匹配,并在此基础上优化设计了一套通用的制备毫米波MEMS环行器的工艺流程。并对制备的毫米波MEMS环行器进行了性能测试。结果表明,该环行器的频率范围为24~28 GHz,频带内插入损耗≤0.5 dB,隔离度≥17 dB,尺寸仅为5 mm×5 mm×2.5 mm,能够满足大部分应用需求。

关键词：微机电系统(MEMS) 环行器毫米波基片集成波导(SIW) 高阻硅

用于双极化T/R组件的X~Ku波段MEMS环行隔离组件的设计

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微纳电子技术 2024年第7期61卷 93-97页

作者：周嘉汪蔚高纬钊河北美泰电子科技有限公司石家庄050200 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

多极化合成孔径雷达(SAR)能够提供丰富的目标特性,增强目标的识别、分类和抗干扰能力,成为重要的发展方向。其关键组件T/R组件采用了发射分时、接收同时的模式,每个通道射频(RF)前端包含一路发射通路和两路接收通路。利用微电子机械系统... 详细信息

多极化合成孔径雷达(SAR)能够提供丰富的目标特性,增强目标的识别、分类和抗干扰能力,成为重要的发展方向。其关键组件T/R组件采用了发射分时、接收同时的模式,每个通道射频(RF)前端包含一路发射通路和两路接收通路。利用微电子机械系统(MEMS)技术设计了一款X~Ku波段环行隔离组件,在实现射频前端小型化双接收通路集成的同时解决了两路通道隔离问题。该环行隔离组件工作频率为10~18 GHz,尺寸为6 mm×11 mm×2.5 mm,三端口回波损耗均≥16 dB,并且双接收通路的隔离度≥29 dB。

关键词：微电子机械系统(MEMS) 双极化环行器隔离器共轭匹配 X~Ku波段

粒子群优化算法在MEMS压力传感器电桥电阻计算与零偏补偿中的应用

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微纳电子技术 2024年第8期61卷 142-149页

作者：王帆王津津王伟忠杨拥军河北美泰电子科技有限公司石家庄050299 石家庄邮电职业技术学院石家庄050020 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

采用粒子群优化(PSO)算法对微机电系统(MEMS)压力传感器电桥电阻进行了优化设计和验证。基于PSO算法的基本原理,建立电桥参数模型,充分利用冗余的测量数据配置优化条件,通过迭代运算得到了传感器惠斯通电桥电阻数值解,并将其作为零偏补... 详细信息

采用粒子群优化(PSO)算法对微机电系统(MEMS)压力传感器电桥电阻进行了优化设计和验证。基于PSO算法的基本原理,建立电桥参数模型,充分利用冗余的测量数据配置优化条件,通过迭代运算得到了传感器惠斯通电桥电阻数值解,并将其作为零偏补偿的依据。然后根据计算和测试结果进行了零偏补偿,对补偿后结果进行了验证。结果表明,计算输出零偏值与实测输出零偏值之间的相对误差<1%;补偿后传感器的零偏值控制在0.5mV以内,实测零偏满量程误差≤0.1%。研究证明采用该算法模型可有效计算出MEMS压力传感器的电桥电阻参数,基于其计算结果的补偿方案可提升传感器电桥精度。

关键词：压力传感器惠斯通电桥微机电系统(MEMS) 粒子群优化(PSO)算法零偏补偿

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硅集成:哪种策略适合你

电子产品世界 2005年第3B期12卷 95-96页

作者： Phillip LoPresti nec电子北美公司

不管需求是增加系统的复杂程度、缩短产品的研发周期还是加剧无情的价格竞争,产品开发团队的压力从来就没有缓解过.新产品不仅要求在更小的空间内集成更多的功能,而且必须以原先产品的一小部分成本来实现更多功能.

关键词：硅集成集成电路产品开发现场可编程门阵列

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一种非对称射频开关芯片的设计

固体电子学研究与进展 2012年第2期32卷 135-140页

作者：朱红卫周天舒刘国军李丹胡冠斌上海华虹nec电子有限公司上海201206

采用非对称结构和双悬浮技术设计了射频开关芯片,测试结果表明,工作频率为2.4GHz的射频开关,在发射模式下,插损为-1.18dB,隔离度为-31.88dB,在接收模式下,插损为-1.48dB,隔离度为-25.08dB,发射时P1dB大于22dBm,接收时为14dBm。由于采用... 详细信息

采用非对称结构和双悬浮技术设计了射频开关芯片,测试结果表明,工作频率为2.4GHz的射频开关,在发射模式下,插损为-1.18dB,隔离度为-31.88dB,在接收模式下,插损为-1.48dB,隔离度为-25.08dB,发射时P1dB大于22dBm,接收时为14dBm。由于采用串并结构,极大地增加了隔离度,这种高性能的收发开关的实现主要得益于P阱、深N阱的双悬浮技术,还有堆叠电路结构的应用,同时堆叠结构的分压效果使得通过增加堆叠个数可以进一步提高处理大摆幅信号的能力。

关键词：射频开关 WiFi应用 2.4GHz 互补金属氧化物半导体工艺

SiGe BiCMOS工艺中HBT的关键制造工艺研究

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固体电子学研究与进展 2012年第4期32卷 346-350,385页

作者：肖胜安刘鹏季伟王雷陈帆钱文生上海华虹nec电子有限公司上海201206

研究了0.18μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多晶的淀积、深孔刻蚀等,指出了这些制造工艺的难点和问题,提出了解决办法,并报导了解决相关难题的实验结果。

关键词：锗硅双极-互补金属氧化物半导体锗硅异质结双极晶体管

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非外延集电区的超高压锗硅异质结双极晶体管

固体电子学研究与进展 2012年第3期32卷 275-280页

作者：钱文生刘冬华胡君段文婷石晶上海华虹nec电子有限公司上海201206

介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的"L形"二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区。该器... 详细信息

介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的"L形"二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区。该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压SiGe HBT,并实现不同击穿电压的超高压SiGe HBT阵列。详细阐述了该器件的制作工艺,并对器件的直流和射频性能作了系统的总结和分析。

关键词：超高压锗硅异质结双极晶体管击穿电压二维集电区

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2．1GHz CMOS低噪声放大器

固体电子学研究与进展 2008年第2期28卷 212-214页

作者：铁宏安李拂晓李向阳冯晓辉姚祥魏倩张斌翁长羽南京电子器件研究所南京210016 上海华虹nec电子有限公司上海201206

采用上海华虹nec0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。

关键词：射频互补-金属氧化物-半导体低噪声放大器噪声系数

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一种金属填充硅通孔工艺的研究

固体电子学研究与进展 2012年第2期32卷 180-183页

作者：肖胜安程晓华吴智勇许升高季伟何亦骅上海华虹nec电子有限公司上海201206

硅通孔(Through silicon via)的互连技术是3D IC集成中的一种重要工艺。报道了一种高深宽比的垂直互连穿透硅通孔工艺,其通孔的深宽比达到50以上;研究了利用钨填充硅通孔的一些关键工艺,包括阻挡层淀积工艺和钨填充工艺,分析了不同填充... 详细信息

硅通孔(Through silicon via)的互连技术是3D IC集成中的一种重要工艺。报道了一种高深宽比的垂直互连穿透硅通孔工艺,其通孔的深宽比达到50以上;研究了利用钨填充硅通孔的一些关键工艺,包括阻挡层淀积工艺和钨填充工艺,分析了不同填充工艺所造成的应力的变化。最后获得了一种深宽比达到58∶1的深硅通孔无缝填充。

关键词：硅通孔金属钨(W) 覆盖率无缝填充