非外延集电区的超高压锗硅异质结双极晶体管

作     者：钱文生 刘冬华 胡君 段文婷 石晶 QIAN Wensheng;LIU Donghua;HU Jun;DUAN Wenting;SHI Jing

作者机构：上海华虹NEC电子有限公司上海201206 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2012年第32卷第3期

页      面：275-280页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家科技02重大专项资助项目(2009ZX02303)和(2011ZX02506) 

主　　题：超高压 锗硅异质结双极晶体管 击穿电压 二维集电区 

摘      要：介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的L形二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区。该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压SiGe HBT,并实现不同击穿电压的超高压SiGe HBT阵列。详细阐述了该器件的制作工艺,并对器件的直流和射频性能作了系统的总结和分析。