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Impurity Deionization Effects on Surface Recombination DC Current-Voltage Characteristics in MOS Transistors

Journal of Semiconductors 2010年第12期31卷 1-10页

作者：陈祖辉揭斌斌薩支唐 lee-kuan-yew postdoctoral fellow 2007-2010Nanyang Technological University Department of Physics Xiamen University CTSAH Associates Gainesville

Impurity deionization on the direct-current current-voltage characteristics from electron-hole recombi- nation （R-DCIV） at SiO2/Si interface traps in MOS transistors is analyzed using the steady-state Shockley-Read-Hall recombination kinetics and the Fermi distributions for electrons and holes. Insignificant distortion is observed over 90% of the bell-shaped R-DCIV curves centered at their peaks when impurity deionization is excluded in the theory. This is due to negligible impurity deionization because of the much lower electron and hole concentrations at the interface than the impurity concentration in the 90% range.

关键词： recombination current impurity deionization interface traps MOS transistors

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GETTING REAL ON AI Artificial intelligence in ASEAN

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China Report ASEAN 2020年第6期5卷 44-47页

作者： Hao Nan About the author Hao Nan is a graduate student in public policy at the lee kuan yew School of Public Policy at National University of Singapore and an assistant research fellow at the Charhar Institute. the Charhar Institute

Artificial intelligence(AI)has been widely acknowledged as a revolutionary force capable of overthrowing existing industrial order and international politico-economic *** leader of this sector would naturally dominate the impending order and structure of Industry 4.0,with AI perceived as an essential ***,USA and China are two major powerhouses of AI in terms of policy planning,industrial application and research and development,followed by UK,Japan,Canada,Singapore and other ***,a region thrust into the spotlight due to the US-China trade disputes,is also experiencing mounting pressure to seize AI opportunities.

关键词： REAL Canada policy

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