咨询与建议
  • 全部检索
  • 电子图书
  • 电子期刊
  • 纸本馆藏
  • 南通市公共图书馆
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 理学
    • 1 篇 数学
  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 计算机科学与技术...

主题

  • 1 篇 heterostructure
  • 1 篇 bandgap
  • 1 篇 hemt
  • 1 篇 2deg

机构

  • 1 篇 department of ec...
  • 1 篇 department of it...
  • 1 篇 department of ec...

作者

  • 1 篇 t.gnanasekaran
  • 1 篇 t.d.subash
  • 1 篇 p.deepthi nair

语言

  • 1 篇 英文
检索条件"机构=Department of ECE Annai Vailankanni College of Engineering Kanyakumari"
共 1 条 记 录，以下是1-10 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
Analytical modeling of AlInSb/InSb MOS gate HEMT structure with improved performance
收藏
分享
引用
International Journal of Modeling, Simulation, and Scientific Computing 2016年 第3期7卷 386-394页
作者： T.D.Subash T.Gnanasekaran P.Deepthi Nair department of ece K.N.S.K.college of engineering Nagercoil TamilnaduIndia department of IT R.M.K.college of engineering and Technology Chennai TamilnaduIndia department of ece annai vailankanni college of engineering kanyakumari TamilnaduIndia
The performance of AlInSb/InSb heterostructure with various parameters is considered with T-Cad *** the heterojunctions are having more advantageous properties that is a real support for so many application such as so... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共1页 <<  < 1 >  >>
回到顶部
执行限定条件