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2005中国钢铁年会

作者： Toru KATO Noriaki BABA Yoshiki ITO Akihiro YAMANAKA corporate r＆d labs. Sumitomo Metal Industries Ltd. Japan Kashima Steel Works Sumitomo Metal IndustriesLtd.Japan corporate r＆d labs. Sumitomo Metal IndustriesLtd.Japan corporate r＆d labs. Sumitomo Metal IndustriesLtd.Japan

板坯的表面横裂多发现于连铸的弯曲或矫直处,并与γ-α相变温度区域的热延性有关。许多研究表明,裂纹是由于晶界处片层状铁素体的应变集中所导致的。在传统流程中的弯曲矫直期间,板坯的表面温度主要考虑来避开脆化温度区的。在该研究中... 详细信息

板坯的表面横裂多发现于连铸的弯曲或矫直处,并与γ-α相变温度区域的热延性有关。许多研究表明,裂纹是由于晶界处片层状铁素体的应变集中所导致的。在传统流程中的弯曲矫直期间,板坯的表面温度主要考虑来避开脆化温度区的。在该研究中,提出了一个新的概念:利用铸坯表层微观组织控制来预防横向裂纹。通过板坯表层组织控制（SSC）能够抑制晶界处片层状铁素体的形成,方法有二冷区初期的强冷却和随后的潜热引起的再加热。现场的凝固高温拉伸试验证明,通过微观结构控制可以消除脆性极限。SSC对裂纹敏感性的影响已经通过半工业化连铸机在试验上得到了验证。在浇铸之后进行的是弯曲。在钢坯表面上的慢冷使横裂纹在实验上再现,即传统冷却方式可以产生具有片层状铁素体的正常微观结构。通过表层组织控制（SSC）裂纹是可以预防的。传统连铸也可采用这些操作方法。

关键词：连铸横裂纹二次冷却微观结构热延性析出物低合金钢

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Visible-and solar-blind photodetectors using AlGaN high electron mobility transistors with a nanodot-based floating gate

引用

Photonics research 2019年第6期7卷 I0026-I0033页

作者： ANdrEW M.ArMSTrONG BrIANNA A.KLEIN ANdrEW A.ALLErMAN ALBErT G.BACA MArY H.CrAWFOrd JACOB POdKAMINEr CArLOS r.PErEZ MICHAEL P.SIEGAL ErICA A.dOUGLAS VINCENT M.ABATE FrANCOIS LEONArd Sandia National Laboratories Albuquerque New Mexico 87185 USA Current address: 3M corporate research labs St. Paul Minnesota 55144 USA Sandia National Laboratories Livermore California 94550 USA

AlGaN-channel high electron mobility transistors(HEMTs) were operated as visible-and solar-blind photodetectors by using GaN nanodots as an optically active floating gate. The effect of the floating gate was large enough to switch an HEMT from the off-state in the dark to an on-state under illumination. This opto-electronic response achieved responsivity >10^8 A∕W at room temperature while allowing HEMTs to be electrically biased in the offstate for low dark current and low dC power dissipation. The influence of GaN nanodot distance from the HEMT channel on the dynamic range of the photodetector was investigated, along with the responsivity and temporal response of the floating gate HEMT as a function of optical intensity. The absorption threshold was shown to be controlled by the AlN mole fraction of the HEMT channel layer, thus enabling the same device design to be tuned for either visible-or solar-blind detection.

关键词： photodetectors high electron mobility transistors

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