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晶粒易轴取向度对纳米晶永磁Pr_2Fe_(14)B磁性的影响

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物理学报 2005年第7期54卷 3408-3413页

作者：贺淑莉张宏伟荣传兵陈仁杰孙继荣沈保根首都师范大学物理系中国科学院物理所磁学国家重点实验室北京100080 中国科学院物理所磁学国家重点实验室

构造了立方和不规则形状晶粒的各向异性纳米晶单相Pr2Fe14B磁体.利用微磁学的有限元法,模拟计算了样品的磁滞回线.计算结果表明,随着磁体晶粒易轴取向度的变差,磁体的剩磁、矫顽力均随之下降.不同晶粒尺寸的纳米晶单相Pr2Fe14B磁体,其... 详细信息

构造了立方和不规则形状晶粒的各向异性纳米晶单相Pr2Fe14B磁体.利用微磁学的有限元法,模拟计算了样品的磁滞回线.计算结果表明,随着磁体晶粒易轴取向度的变差,磁体的剩磁、矫顽力均随之下降.不同晶粒尺寸的纳米晶单相Pr2Fe14B磁体,其磁性能随取向度的变化快慢不同,原因在于磁体中的晶间交换作用(IGEC)的强弱不同.随着晶粒取向度的提高,纳米晶单相磁体的矫顽力逐渐增加,这完全不同于烧结磁体.

关键词： Pr2Fe14B 纳米晶永磁轴不规则形状晶粒取向度有限元法各向异性计算结果磁滞回线模拟计算晶粒尺寸交换作用烧结磁体矫顽力微磁学单相立方和磁性能剩磁

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美国物理学会派斯物理学史奖综述

自然辩证法研究 2020年第10期36卷 60-65页

作者：李艳平张珊首都师范大学物理系北京100048

美国物理学会和美国物理联合会2005年设立派斯物理学史奖。本文梳理该奖项16年的获奖工作,从学科建设、相对论和量子物理史、物理实验和实验室研究、科学家传记研究等方面进行介绍。这些获奖工作是对物理学史的开创性贡献,多位获奖者经... 详细信息

美国物理学会和美国物理联合会2005年设立派斯物理学史奖。本文梳理该奖项16年的获奖工作,从学科建设、相对论和量子物理史、物理实验和实验室研究、科学家传记研究等方面进行介绍。这些获奖工作是对物理学史的开创性贡献,多位获奖者经历了物理学家转向物理学史家的过程。

关键词：物理学史美国物理学会亚伯拉罕·派斯

中国放射化学的开拓者之一——肖伦的生平、思想

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化学通报 2013年第2期76卷 187-192页

作者：白欣胡佳冯晓颖首都师范大学物理系科技史研究室首都师范大学化学系北京100048

在郑大章、杨承宗等多位学者的努力下,使中国现代放射化学从无到有,逐渐发展壮大起来。肖伦院士也是中国放射化学的开拓者之一。本文介绍了肖伦院士的生平、成就及思想、社会活动等。

关键词：肖伦放射化学同位素

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太赫兹辐射原理与若干应用

激光与红外 2006年第B9期36卷 785-791页

作者：李福利任荣东王新柯周斌权首都师范大学物理系北京100037

文章介绍了太赫兹辐射的原理及在安全检查、中药鉴别等方面的应用。

关键词：太赫兹辐射太赫兹成像炸药中药

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太赫兹波段下金属狭缝的透射增强特性研究

物理学报 2008年第5期57卷 3198-3202页

作者：孟阔王艳花陈龙旺张岩北京市太赫兹波谱与成像重点实验室省部共建太赫兹光电子学教育部重点实验室首都师范大学物理系北京100037 哈尔滨工业大学物理系哈尔滨150001

用太赫兹时域光谱技术研究了具有不同宽度的金属狭缝透射光谱特征.实验结果显示在实验测量有效光谱范围(0.2thz—2.6thz)内,当狭缝宽度小到一定程度,在频谱中出现了共振增强,具有明显的带通带阻现象,并在理论上分析了这种共振透射现象... 详细信息

用太赫兹时域光谱技术研究了具有不同宽度的金属狭缝透射光谱特征.实验结果显示在实验测量有效光谱范围(0.2thz—2.6thz)内,当狭缝宽度小到一定程度,在频谱中出现了共振增强,具有明显的带通带阻现象,并在理论上分析了这种共振透射现象的原因.

关键词：表面等离子体太赫兹脉冲时域光谱技术金属狭缝

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基于分形理论的太赫兹光谱识别

量子电子学报 2007年第6期24卷 672-677页

作者：张平王新柯李海涛李宇晔耿玉珍李福利首都师范大学物理系北京100037

介绍了分形的基本概念和分形盒维算法.提出了一种新的太赫兹光谱识别方法.实验中测得了两种中药的太赫兹光谱,算出了它们的盒维数并进行了比较.通过这种方法使不同的药品得到了很好的鉴别.

关键词：光谱学分形盒维数太赫兹光谱识别

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YAG：Nd^（3＋）晶体的发光研究

光谱学与光谱分析 1995年第1期15卷 1-4,8页

作者：孟昭信宋增福丁小平曹军鞠赣平华道宏谢大韬北京大学物理系武汉激光技术国家实验室首都师范大学物理系

在３０～８４０Ｋ的温度区间内研究了ＹＡＧ：Ｎｄ３＋荧光谱线（由斯塔克能级Ｒ１、Ｒ２向Ｚｉ（ｉ＝１，５）跃迁所辐射的荧光）的相对强度随温度的变化。同时，还研究了该晶体的多光子荧光过程。

关键词：荧光谱线多光子过程钕离子 YAG 稀土

石墨表面吸附钾系统电子性质的理论研究(英文)

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发光学报 2004年第1期25卷 1-8页

作者：伍勇王爱华首都师范大学物理系北京100037

基于集团模型电荷自洽的EHT(ExtendedH櫣ｃｋｅｌＴｈｅｏｒｙ)方法对K在石墨 ( 0 0 0 1 )表面吸附态进行了优化计算。在 3种不同的覆盖度 (Θ)下 ,对K 石墨系统的电荷转移量ΔQ、吸附能ΔE、态密度PDOS和TDOS、Mul liken集居数和成键... 详细信息

基于集团模型电荷自洽的EHT(ExtendedH櫣ｃｋｅｌＴｈｅｏｒｙ)方法对K在石墨 ( 0 0 0 1 )表面吸附态进行了优化计算。在 3种不同的覆盖度 (Θ)下 ,对K 石墨系统的电荷转移量ΔQ、吸附能ΔE、态密度PDOS和TDOS、Mul liken集居数和成键性质进行了比较。认同K/石墨吸附系统是石墨插层化合物 (GIC)的雏型。并用LMTO方法对KC8完成电子结构的第一性原理研究 ,得到与EHT完全一致的结果 :K4s Cσ杂化态主要位于低能区域远离费米能级 ,构成反键轨道 ,其电子转移到费米能级附近K3d Cπ成键的杂化轨道上。空的 3d轨道在目前EHT方法和LMTO方法计算中扮演了关键角色。这与其他文献K 4s态处在EF 能级的结果不同 ,但与早期Fischer( 1 984) ,Johnson( 1 986)XPS,ARUPS的实验结果吻合。

关键词：石墨表面电子结构碱金属表面吸附电荷自洽 EHT LMTO 态密度吸附能费米能级

毁誉参半的科学天才——纪念威廉·肖克莱诞辰100周年

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自然辩证法通讯 2010年第3期32卷 98-107页

作者：刘树勇王晓义首都师范大学物理系北京100048

威廉.肖克莱作为晶体管的发明人、诺贝尔奖得主、美国硅谷的奠基人和优生学观点的坚持者走过了辉煌而又饱受非议的一生。他的卓见和追求值得我们纪念,他的过失和失败也值得我们借鉴,为此本文就所掌握的史料从肖克莱的生平、晶体管发明... 详细信息

威廉.肖克莱作为晶体管的发明人、诺贝尔奖得主、美国硅谷的奠基人和优生学观点的坚持者走过了辉煌而又饱受非议的一生。他的卓见和追求值得我们纪念,他的过失和失败也值得我们借鉴,为此本文就所掌握的史料从肖克莱的生平、晶体管发明权的争议、肖克莱半导体实验室的"八大叛逆"事件、硅谷诞生的烽烟和肖克莱提倡的优生学带来的纷争五个方面对肖克莱的一生进行评述。

关键词：肖克莱晶体管硅谷优生观