石墨表面吸附钾系统电子性质的理论研究(英文)

作     者：伍勇 王爱华 

作者机构：首都师范大学物理系北京100037 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2004年第25卷第1期

页      面：1-8页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

主　　题：石墨 表面电子结构 碱金属 表面吸附 电荷自洽 EHT LMTO 态密度 吸附能 费米能级 

摘      要：基于集团模型电荷自洽的EHT(ExtendedH櫣ｃｋｅｌＴｈｅｏｒｙ)方法对K在石墨 ( 0 0 0 1 )表面吸附态进行了优化计算。在 3种不同的覆盖度 (Θ)下 ,对K 石墨系统的电荷转移量ΔQ、吸附能ΔE、态密度PDOS和TDOS、Mul liken集居数和成键性质进行了比较。认同K/石墨吸附系统是石墨插层化合物 (GIC)的雏型。并用LMTO方法对KC8完成电子结构的第一性原理研究 ,得到与EHT完全一致的结果 :K4s Cσ杂化态主要位于低能区域远离费米能级 ,构成反键轨道 ,其电子转移到费米能级附近K3d Cπ成键的杂化轨道上。空的 3d轨道在目前EHT方法和LMTO方法计算中扮演了关键角色。这与其他文献K 4s态处在EF 能级的结果不同 ,但与早期Fischer( 1 984) ,Johnson( 1 986)XPS,ARUPS的实验结果吻合。