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硅片近边缘形态的研究进展

稀有金属 2024年第2期48卷 254-261页

作者：摆易寒周旗钢宁永铎王新张果虎有研科技集团有限公司集成电路关键材料国家工程研究中心北京100088 有研半导体硅材料股份公司北京100088 北京有色金属研究总院北京100088 山东省硅单晶半导体材料与技术重点实验室山东德州253000

关于硅片近边缘形态已有的研究主要集中在评价方法、工艺改进以及加工装置上。国际半导体产业协会(SEMI)标准量化评价硅片近边缘形态,约定了有关硅片近边缘卷曲度(ROA)、近边缘曲率、近边缘局部平整度、近边缘不完整区域局部平整度的评... 详细信息

关于硅片近边缘形态已有的研究主要集中在评价方法、工艺改进以及加工装置上。国际半导体产业协会(SEMI)标准量化评价硅片近边缘形态,约定了有关硅片近边缘卷曲度(ROA)、近边缘曲率、近边缘局部平整度、近边缘不完整区域局部平整度的评价方法,可以依据不同的应用场景选择适合的评价方法来判断近边缘形态。对于硅片近边缘形态的测量手段,可以分为近边缘卷曲(ERO)和近边缘微粗糙度两个方面。探究了抛光工艺和抛光前道制程对硅片近边缘形态的影响:抛光工艺会影响硅片近边缘局部平整度和硅片ROA,通过控制抛光压力、抛光时间和转速等工艺参数以及抛光垫和抛光浆料等工艺耗材可以改善硅片近边缘局部平整度;对于300 mm硅片,通过对抛光垫的改良和创新,设计出双层抛光垫以及3层抛光垫,可以缓解硅片近边缘塌陷。对于200 mm硅片,通过匹配腐蚀工艺和双面研磨工艺有益于改进局部平整度。近边缘形态相关专利主要通过改进工艺流程、引入单面磨削、改变硅片形状来改善硅片近边缘形态。

关键词：近边缘卷曲(ERO) 近边缘曲率近边缘局部平整度键合

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晶粒度对半导体行业中超高纯气体阀门的影响

阀门 2024年第1期 83-87页

作者：孙志兴威莱克半导体材料(浙江)有限责任公司浙江嘉兴314000

在半导体行业中,对于超高纯气体的使用至关重要。在超高纯气体输送和控制过程中,如何保证其纯度是一个至关重要的因素。而要想保证纯度,对于阀门和管道的内壁粗糙度、材料的机械性能、材料表面的抛光效果、弯曲管道的内壁折弯情况、表... 详细信息

在半导体行业中,对于超高纯气体的使用至关重要。在超高纯气体输送和控制过程中,如何保证其纯度是一个至关重要的因素。而要想保证纯度,对于阀门和管道的内壁粗糙度、材料的机械性能、材料表面的抛光效果、弯曲管道的内壁折弯情况、表面钝化程度、焊接工艺的质量等都有极其高的要求。很多厂家都在想办法通过提高工艺的技术要求,或通过改善工艺方法等来优化最终的完工效果,多数采用在原材料上的控制,但关注更多的是原材料的机械性能、化学成分、热处理效果等方面,经研究发现,原材料的晶粒度是影响这些工艺的一个非常重要因素。

关键词：晶粒度半导体超高纯气体阀门

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溅射镀膜单体机真空系统设计及性能分析

真空科学与技术学报 2024年

作者：许泽宇胡明刘杰顾子莺赵德明浙江理工大学杭纳半导体装备(杭州)有限公司

为了使溅射镀膜单体机的极限真空度达到5×10-4Pa并提高其抽空效率，提出了新的溅射镀膜单体机真空系统设计方案。利用MOLFLOW+软件对所设计的真空系统进行了极限真空度验证，真空室内部气压均优于2.7×10-4Pa；同时，建立了真空系统的... 详细信息

为了使溅射镀膜单体机的极限真空度达到5×10-4Pa并提高其抽空效率，提出了新的溅射镀膜单体机真空系统设计方案。利用MOLFLOW+软件对所设计的真空系统进行了极限真空度验证，真空室内部气压均优于2.7×10-4Pa；同时，建立了真空系统的抽气计算模型，求解得到抽空曲线，与实机试验结果进行比较，结果显示，计算模型获得的抽空曲线与试验测试值偏差小于5%，可用于高真空系统性能分析。

关键词：磁控溅射真空系统抽气性能抽空曲线

半导体产业“三主体一中心”高端人才培养模式探索与实践

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教育进展 2024年第3期14卷 88-93页

作者：张明幸巧玲蔡勇湖南大学重庆研究院重庆湖南大学半导体学院(集成电路学院) 湖南长沙

半导体产业是现代信息社会的基石,也是我国科技“卡脖子”领域。我国半导体产业存在供需和结构性失衡、专业人才匮乏等问题:高端人才培养脱离产业需求;工程硕士与学术硕士培养同质化;培养主体单一,协同育人机制不完善。基于此,本文以半... 详细信息

半导体产业是现代信息社会的基石,也是我国科技“卡脖子”领域。我国半导体产业存在供需和结构性失衡、专业人才匮乏等问题:高端人才培养脱离产业需求;工程硕士与学术硕士培养同质化;培养主体单一,协同育人机制不完善。基于此,本文以半导体产业需求为导向,在传统工程硕士校企协同培养模式基础上,创新性提出了一种“三主体一中心”高端人才培养新模式。“三主体”(高校、创新研究院、产业领军企业)围绕“一中心”(研究生)建立协同培养高端专业人才合作共同体。充分发挥高校的人才优势,创新研究院的科研优势,产业领军企业的产业优势,整合三方资源,把最新的人才需求、最前沿的业态变化转化为人才培养的优势,有效提高人才培养质量。

关键词：半导体产业高端人才三主体一中心

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基于漏纵波模式的高频宽带低插损滤波器设计

压电与声光 2024年第1期46卷 1-5页

作者：王巍张迎王方滕洪菠丁辉郭家成吴浩重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院重庆400065

采用常规的瑞利声表面波设计低插损、大带宽的高频声表滤波器,难以满足设计要求。该文设计了一种基于多层膜结构的漏纵波(LLSAW)的高频宽带低损耗声表面波(SAW)滤波器。确定了激发LLSAW的波导结构,建立器件的二维理论模型;研究了电极各... 详细信息

采用常规的瑞利声表面波设计低插损、大带宽的高频声表滤波器,难以满足设计要求。该文设计了一种基于多层膜结构的漏纵波(LLSAW)的高频宽带低损耗声表面波(SAW)滤波器。确定了激发LLSAW的波导结构,建立器件的二维理论模型;研究了电极各项参数对杂散的影响,在此基础上对电极参数进行了优化设计。研究发现,将串联谐振器的反射栅对数设置为6时,可有效抑制通带内的杂散。设计了镜像T型及镜像π型LLSAW结构滤波器,并进行性能比较分析。结果表明,镜像T型结构更能抑制杂散响应,设计的镜像T型结构LLSAW滤波器的中心频率为3545 MHz,插入损耗为-1.416 dB,-3 dB带宽为274 MHz,带外抑制大于-30 dB。

关键词：漏纵波电极反射栅杂散响应镜像T型

肖特基结多数载流子积累新型绝缘栅双极晶体管

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物理学报 2024年第7期73卷 325-332页

作者：段宝兴刘雨林唐春萍杨银堂西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是现代功率半导体器件的核心,因其良好的电学特性得到了广泛的应用.本文提出了一种具有肖特基结接触的栅半导体层新型多数载流子积累模式IGBT,并对其进行特性研究和仿真分析.... 详细信息

绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是现代功率半导体器件的核心,因其良好的电学特性得到了广泛的应用.本文提出了一种具有肖特基结接触的栅半导体层新型多数载流子积累模式IGBT,并对其进行特性研究和仿真分析.当新型IGBT处于导通状态,栅极施加正向偏压,由于肖特基势垒二极管极低的正向导通压降,使得栅半导体层的电压几乎等于栅极电压,从而能够在漂移区中积累大量的多数载流子电子.除了现有的电子外,这些积累的电子增大了漂移区的电导率,从而显著降低了正向导通压降.因此,打破了传统IGBT正向导通压降受漂移区掺杂浓度的限制.轻掺杂的漂移区可以使新型IGBT具有较高的击穿电压,同时减小了关断过程中器件内部耗尽层电容,因此整体米勒电容减小,提升了关断速度,减小了关断时间和关断损耗.分析结果表明,600 V级别的击穿电压时,新型IGBT的正向导通压降,关断损耗和关断时间相比常规IGBT分别降低了 46.2％,52.5％,30％,打破了 IGBT中正向导通压降和关断损耗之间的矛盾.此外,新型IGBT具有更高的抗闩锁能力和更大的正偏安全工作区.新型结构的提出满足了未来IGBT器件性能的发展要求,对于功率半导体器件领域具有重大指导意义.

关键词：绝缘栅双极晶体管积累模式正向导通压降关断损耗

来源：博看期刊评论

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半导体可饱和吸收镜锁模激光器研究进展

激光与光电子学进展 2024年第9期61卷 89-101页

作者：黄婷林楠张秋月何天将熊聪仲莉刘素平马骁宇中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为超快激光技术中最常用的被动锁模器件,由于可自启动、插入损耗小、集成度高和设计灵活等优点,具有广泛的应用范围和极佳的商业前景。本文主要介绍SESAM的锁模原理和发展现状,对目前SESAM的外延结构、生长... 详细信息

半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为超快激光技术中最常用的被动锁模器件,由于可自启动、插入损耗小、集成度高和设计灵活等优点,具有广泛的应用范围和极佳的商业前景。本文主要介绍SESAM的锁模原理和发展现状,对目前SESAM的外延结构、生长方式和参数性能进行总结归纳,详尽描述其在固体激光器、半导体激光器和光纤激光器的锁模最新进展,并指出各类锁模激光器的性能特点和未来发展方向。

关键词：半导体可饱和吸收镜被动锁模激光器超快激光

新型载流子积累的逆导型横向绝缘栅双极晶体管

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物理学报 2024年第15期73卷 179-186页

作者：段宝兴王佳森唐春萍杨银堂西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

通过引入n^(+)阳极在体内集成续流二极管的逆导型横向绝缘栅双极晶体管(reverse-conducting lateral insulated gate bipolar transistor,RC-LIGBT)可以实现反向导通,并且优化器件的关断特性,是功率集成电路中一个有竞争力的器件.本文... 详细信息

通过引入n^(+)阳极在体内集成续流二极管的逆导型横向绝缘栅双极晶体管(reverse-conducting lateral insulated gate bipolar transistor,RC-LIGBT)可以实现反向导通,并且优化器件的关断特性,是功率集成电路中一个有竞争力的器件.本文提出了一种新型载流子积累的RC-LIGBT,它具有电子控制栅(electron-controlled gate,EG)和分离短路阳极(separated short-anode,SSA),可以同时实现较低的导通压降和关断损耗.在正向导通状态,漂移区上方的EG结构可以在漂移区的表面积累一个高密度的电子层,从而大大地降低器件的导通压降.同时,SSA结构的使用还极大优化了器件的关断损耗.另外,低掺杂p型漂移区与SSA结构配合,可以简单地实现反向导通并且消除回吸电压.仿真结果表明,所提出的器件具有优秀的导通压降与关断损耗之间的折衷关系,其导通压降为1.16 V,比SSA LIGBT低55%,其关断损耗为0.099 mJ/cm^(2),比SSA LIGBT和常规LIGBT分别低38.5%和94.7%.

关键词：载流子积累逆导型横向绝缘栅双极晶体管导通压降回吸电压

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一款2-3GHz超低噪声放大器设计

一款2-3GHz超低噪声放大器设计