一款2-3GHz超低噪声放大器设计
作者单位：河北半导体研究所
会议名称：《2024年全国微波毫米波会议（中国微波年会）》
会议日期：1000年
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：本文采用0.15μm GaAs E-PHEMT工艺,设计了一款工作在2～3GHz频段的超低噪声放大器芯片。该低噪声放大器由单电源5V供电,整体电路由两级共源放大器级联构成,第一级采用有源偏置和电流复用结构,简化芯片复杂度并降低功耗。第二级采用负反馈结构,优化增益平坦度并改善带宽。最终测试结果表明:在2～3GHz频率范围内,该低噪放可提供18.6 dBm的1dB增益压缩输出功率,30 dB的小信号增益,带内增益平坦度为±0.1dB,带内噪声系数典型值0.5 dB。芯片整体面积为2.0×2.0mm。