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射频等离子体化学气相沉积择优取向膜的研究

真空电子技术 1996年第3期9卷 9-11页

作者：谢雁李世直青岛化工学院等离子体表面技术研究所

用Ｘ－衍射的方法分析影响射频等离子体沉积择优取向的ＴＩＮ膜，取向的原因。

关键词：氮化钛膜回摆曲线择优取向射频等离子体

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Si对TiSiN膜组成结构的影响

功能材料 1999年第1期30卷 66-67页

作者：石玉龙彭红瑞李世直青岛化工学院等离子体表面技术研究所山东青岛266042

报告了等离子化学气相沉积（PCVD）硬膜TiSiN中Si对膜的影响。沉积膜经过电子探针（EMPA）、扫描电镜（SEM）、X射线（XRD）和X光电子谱（XPS）分析。实验表明，在TiN的气相沉积中加入少量Si可以明显改善膜的结构和组成。

关键词： PCVD TiSiN膜显微分析硅结构组成

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气相沉积中电阻真空计的使用问题

真空 1998年第4期35卷 42-45页

作者：石玉龙彭红瑞李世直青岛化工学院等离子体表面技术研究所

本文叙述了气相沉积中使用电阻真空计遇到的一些问题及解决的方法。

关键词：气相沉积真空计电阻真空计 CVD PVD 真空镀膜

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MOPCVD制备Ti(CN)硬膜研究

真空科学与技术 2000年第1期20卷 60-62页

作者：石玉龙彭红瑞李世直青岛化工学院等离子体表面技术研究所青岛266042

采用金属有机物四异丙基钛 (Ti[OC3 H7]4 )为钛源 ,在辅助加热PCVD设备上进行沉积Ti(CN)涂层研究。并对涂层进行了显微硬度测量、扫描电镜观察和X射线衍射分析。结果表明 ,此法制备的Ti(CN)涂层其显微硬度可达 15 6 80N/mm2 。Ti(CN)涂... 详细信息

采用金属有机物四异丙基钛 (Ti[OC3 H7]4 )为钛源 ,在辅助加热PCVD设备上进行沉积Ti(CN)涂层研究。并对涂层进行了显微硬度测量、扫描电镜观察和X射线衍射分析。结果表明 ,此法制备的Ti(CN)涂层其显微硬度可达 15 6 80N/mm2 。Ti(CN)涂层仍为柱状晶结构 ,Ti(CN)晶体的d(2 0 0 )值随着炉温和氢、氮比的变化而变化。切削实验证明 ,6mm高速钢钻头经MOPCVD Ti(CN)涂镀后提高使用寿命 7 3倍 ;经MOPCVD Ti(CN)涂镀的6 5mm×2 2mm× 5mm直齿三面刃铣刀使用寿命是非涂镀的 8倍。

关键词： PCVD技术硬膜技术四异丙基钛碳氮化钛

等离子体化学气相沉积TiN涂层的后热处理技术研究

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真空科学与技术 2000年第5期20卷 366-369页

作者：赵程彭红瑞谢广文李世直青岛化工学院等离子体表面技术研究所青岛266042

为了提高等离子体化学气相沉积 (PCVD)涂层的质量 ,改善基体材料的机械性能 ,更好地发挥PCVD硬质涂层的使用效果 ,采用了先沉积后热处理的新工艺。结果表明 ,热处理温度对PCVD TiN涂层的化学成分、显微结构和性能有较大的影响。随着处... 详细信息

为了提高等离子体化学气相沉积 (PCVD)涂层的质量 ,改善基体材料的机械性能 ,更好地发挥PCVD硬质涂层的使用效果 ,采用了先沉积后热处理的新工艺。结果表明 ,热处理温度对PCVD TiN涂层的化学成分、显微结构和性能有较大的影响。随着处理温度的提高 ,涂层的结晶度得到大幅度的改善 ,涂层内的杂质氯含量降低 ,涂层的 (2 0 0 )晶面距减小 ,但在 90 0℃时 ,PCVD

关键词： TiN涂层后热处理 PCVD 金属表面强化

等离子重熔对Al-16Si合金中Si相的细化作用

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金属学报 2000年第7期36卷 689-692页

作者：潘学民边秀房赵程山东工业大学材料科学与工程学院济南250061 青岛化工学院等离子体表面技术研究所青岛266062

经等离子重熔的Ａ１－１６Ｓｉ合金与电阻炉重熔的相比，组织有明显的细化效果：初晶Ｓｉ最大长度由１２０μｍ变为１０μｍ，共晶Ｓｉ最大长度由７５ μｍ变为８ μｍ，并且这种细化效果随着放电电流和气流量的增大而增强，分析认... 详细信息

经等离子重熔的Ａ１－１６Ｓｉ合金与电阻炉重熔的相比，组织有明显的细化效果：初晶Ｓｉ最大长度由１２０μｍ变为１０μｍ，共晶Ｓｉ最大长度由７５ μｍ变为８ μｍ，并且这种细化效果随着放电电流和气流量的增大而增强，分析认为，造成组织细化的原因是由于等离子熔炼特殊的加热方式所致，等离子轰击作用能使熔体中保留遗传信息的原子团簇变小，微观结构更加均匀，

关键词：等了重熔 Al-16Si合金硅相细化