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Si对TiSiN膜组成结构的影响

The Effect of Si Content on Composition and Construction of iSiN Films

作     者:石玉龙 彭红瑞 李世直 

作者机构:青岛化工学院等离子体表面技术研究所山东青岛266042 

出 版 物:《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期:1999年第30卷第1期

页      面:66-67页

核心收录:

学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

主  题:PCVD TiSiN膜 显微分析  结构 组成 

摘      要:报告了等离子化学气相沉积(PCVD)硬膜TiSiN中Si对膜的影响。沉积膜经过电子探针(EMPA)、扫描电镜(SEM)、X射线(XRD)和X光电子谱(XPS)分析。实验表明,在TiN的气相沉积中加入少量Si可以明显改善膜的结构和组成。

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