检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于失效物理的集成电路故障定位方法

半导体技术 2019年第4期44卷 307-312页

作者：陈选龙李洁森黎恩良刘丽媛方建明工业和信息化部电子第五研究所广州510610 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心广州510610 中山大学电子与信息工程学院广州510275

超大规模集成电路后道工艺(BEOL)中的失效日益增多,例如多层金属化布线桥连、划伤,栅氧化层的静电放电(ESD)损伤、裂纹等失效模式,由于失效点本身尺寸小加上电路规模大,使得失效分析难度增加。为了能够对故障点进行快速、精确定位,提出... 详细信息

超大规模集成电路后道工艺(BEOL)中的失效日益增多,例如多层金属化布线桥连、划伤,栅氧化层的静电放电(ESD)损伤、裂纹等失效模式,由于失效点本身尺寸小加上电路规模大,使得失效分析难度增加。为了能够对故障点进行快速、精确定位,提出了基于失效物理的集成电路故障定位方法。根据CMOS反相器电路的失效模式提出了4种主要故障模型:栅极电平连接至电源(地)、栅极连接的金属化高阻或者开路、氧化层漏电和pn结漏电。结合故障模型产生的光发射显微镜(PEM)和光致电阻变化(OBIRCH)现象的特征形貌和位置特点,进行合理的失效物理假设。结果表明,基于该方法可对通孔缺陷、多层金属化布线损伤以及栅氧化层静电放电损伤失效进行有效的定位,快速缩小失效范围,提高失效分析的成功率。

关键词：集成电路失效物理失效分析金属化缺陷光发射显微镜

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于深度学习的芯片图像超分辨率重建

模式识别与人工智能 2019年第4期32卷 353-360页

作者：范明明池源张铭津李云松西安电子科技大学综合业务网理论及关键技术国家重点实验室西安710071 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州510610

考虑到卷积神经网络可以通过训练过程引入图像的先验知识,文中提出基于深度学习的芯片图像超分辨率重建。利用卷积神经网络改善迭代反投影法的初始估计图像,通过迭代过程引入图像序列间的互补信息,建立芯片图像的样本集。实验表明,在不... 详细信息

考虑到卷积神经网络可以通过训练过程引入图像的先验知识,文中提出基于深度学习的芯片图像超分辨率重建。利用卷积神经网络改善迭代反投影法的初始估计图像,通过迭代过程引入图像序列间的互补信息,建立芯片图像的样本集。实验表明,在不同放大倍数下,改进算法的客观评价指标平均值均较高,在芯片图像中的电路密集处,改进算法的主观视觉感受也较好。同时,文中算法适用于自然图像。

关键词：超分辨率重建卷积神经网络迭代反投影芯片硬件木马

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

集成电路失效定位技术现状和发展趋势

半导体技术 2020年第5期45卷 329-337,370页

作者：陈选龙王有亮方建明林晓玲倪毅强工业和信息化部电子第五研究所广州510610 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心广州510610 广东机电职业技术学院电子与通信学院广州510550

集成电路(IC)失效分析包含了不同的分析流程,但所有的步骤都是以失效定位和故障隔离作为第一步工作。失效定位指的是不断地缩小半导体器件故障范围直至可以进行破坏性物理分析的过程。根据IC的结构特点和分析思路,将整个失效分析流程中... 详细信息

集成电路(IC)失效分析包含了不同的分析流程,但所有的步骤都是以失效定位和故障隔离作为第一步工作。失效定位指的是不断地缩小半导体器件故障范围直至可以进行破坏性物理分析的过程。根据IC的结构特点和分析思路,将整个失效分析流程中失效定位分为封装级失效定位、器件级失效定位和物理分析失效定位。通过定位技术结合案例分析的形式,重点介绍了时域反射、X射线断层扫描、扫描声学分析、锁相红外成像、光发射分析、激光激发技术和电压衬度等关键的失效定位技术原理和方法。总结了不同失效定位技术的适用范围和面临的挑战。同时,也对未来失效分析技术发展趋势进行了展望。

关键词：集成电路(IC)失效定位物理失效分析电压衬度光发射显微镜热激光激发

Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点中的电迁移

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2009年第3期58卷 1942-1947页

作者：陆裕东何小琦恩云飞王歆庄志强华南理工大学材料学院特种功能材料教育部重点实验室广州510640 信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610

采用104A/cm2数量级的电流密度对Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点中的电迁移机理作了研究.电迁移引起的原子(或空位)的迁移以及在此过程中形成的焦耳热,使Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点的显微形貌发生变化.电迁移作用下,由于空位的定向迁移和局部的电流聚... 详细信息

采用104A/cm2数量级的电流密度对Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点中的电迁移机理作了研究.电迁移引起的原子(或空位)的迁移以及在此过程中形成的焦耳热,使Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点的显微形貌发生变化.电迁移作用下,由于空位的定向迁移和局部的电流聚集效应使阴极芯片端焊料与金属间化合物界面形成薄层状空洞.处于阴极的Cu焊盘的Ni(P)镀层与焊料间也产生了连续性空洞,但空洞面积明显小于处于阴极的芯片端焊料与金属间化合物界面.焊盘中的Cu原子在电迁移作用下形成与电子流方向一致的通量,最终导致焊点高电流密度区域出现连续性的金属间化合物且金属间化合物量由阴极向阳极逐渐增多.

关键词： Sn3.0Ag0.5Cu 倒装焊点电迁移

不同应力下碳化硅场效应晶体管器件总剂量效应及退火特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2021年第16期70卷 198-206页

作者：顾朝桥郭红霞潘霄宇雷志峰张凤祁张鸿琚安安柳奕天湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 西北核技术研究所西安710024 工业和信息化部第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610

以碳化硅场效应晶体管器件作为研究对象,对其开展了不同电压、不同温度下的钴源辐照实验以及辐照后的退火实验.使用半导体参数分析仪测试了器件的直流参数,研究了器件辐照敏感参数在辐照和退火过程中的变化规律,分析了电压、温度对器件... 详细信息

以碳化硅场效应晶体管器件作为研究对象,对其开展了不同电压、不同温度下的钴源辐照实验以及辐照后的退火实验.使用半导体参数分析仪测试了器件的直流参数,研究了器件辐照敏感参数在辐照和退火过程中的变化规律,分析了电压、温度对器件辐照退化产生影响的原因,也探索了退火恢复的机理.结果表明:辐照感生的氧化物陷阱电荷是造成碳化硅场效应晶体管器件电学参数退化的主要原因,电压和温度条件会影响氧化物陷阱电荷的最终产额,从而导致器件在不同电压、不同温度下辐照后的退化程度存在差异;退火过程中由于氧化物陷阱电荷发生了隧穿退火,导致器件电学性能得到了部分恢复.

关键词：碳化硅场效应晶体管总剂量电压温度退火效应

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

超高清电视机显示性能测评及分析

中国测试 2021年第S1期47卷 203-210页

作者：韦胜钰徐华伟蔡佳黄林轶叶超吴萍萍刘斌辉工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 智能产品质量评价与可靠性保障技术工业和信息化部重点实验室广东广州510610

超高清电视机的显示性能则是决定消费者观看体验的重要环节,是目前行业最为关注的问题。为解决当前面向消费级中高端电视显示性能评价标准及规范空缺的问题,通过光电测试与主观评价相结合的综合评价方法开展性能评价方法研究,并根据研... 详细信息

超高清电视机的显示性能则是决定消费者观看体验的重要环节,是目前行业最为关注的问题。为解决当前面向消费级中高端电视显示性能评价标准及规范空缺的问题,通过光电测试与主观评价相结合的综合评价方法开展性能评价方法研究,并根据研究结果对国内外消费级电视机产品开展光电测试与主观评价测试,研究当前电视机行业的显示质量情况。测试结果表明,当前电视机产品的明暗度性能及电光转换效果的性能差异较大,而色彩性能的差异不大;而明暗度性能对电视机产品的主观观看效果影响最大。综合本次研究而制定电视机显示性能测试标准及分级评价规范,可通过高效的光电测试方法直观地反应出电视机产品的显示性能等级,从而为消费者提供准确的购买指引。

关键词：光电测试分级评测限值高动态范围主观评价

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

考虑热效应的IGBT热网络模型建模方法

半导体技术 2018年第12期43卷 898-904页

作者：申海东解江吴雪珂欧永工业和信息化部电子第五研究所广州510610 广东省电子信息产品可靠性技术重点实验室广州510610 电子信息产品可靠性分析与测试技术国家地方联合工程中心广州510610 泰州赛宝工业技术研究院有限公司江苏泰州225500

功率器件结温预测对于器件的寿命评价具有重要意义,而材料的热效应是影响结温预测结果的关键因素之一。基于此,提出了一种考虑热效应的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)热网络模型建模方法,可提高IGBT结温预测的准确性。采用经典Foster与Cauer... 详细信息

功率器件结温预测对于器件的寿命评价具有重要意义,而材料的热效应是影响结温预测结果的关键因素之一。基于此,提出了一种考虑热效应的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)热网络模型建模方法,可提高IGBT结温预测的准确性。采用经典Foster与Cauer热网络模型转换方法,获取IGBT各层结构热阻和热容,建立芯片Si热阻-温度的函数模型,对比模型计算值与实验结果,验证了热阻-温度函数建模方法的合理性与准确性。最后基于Multisim平台建立了新型IGBT Cauer热网络模型,实现热效应耦合下结温的实时预测。仿真结果表明,随着环境温度升高和IGBT功耗增大,材料热效应对结温预测影响就越大,此时新Cauer模型仿真结果更具有参考价值,可为功率器件寿命评价提供更可靠的数据支持。

关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) Cauer模型结温热网络模型可靠性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

胡杨PeMAX2调控拟南芥耐旱性

北京林业大学学报 2024年第6期46卷 106-117页

作者：马思圆尧俊李静安珂悦赵瑞赵楠周晓阳陈少良北京林业大学生物科学与技术学院林木、花卉遗传育种教育部重点实验室北京100083 广东省森林培育与保护利用重点实验室广东省林业科学研究院广东广州510520 北京林业大学验室与设备管理处北京100083

【目的】MAX2能抑制植物的分枝,且是独角金内酯信号传导途径的关键调控因子。MAX2同时还参与多种激素间的交叉互作,在植物抵御生物和非生物胁迫中发挥至关重要的作用。前期研究发现胡杨PeMAX2能调控拟南芥的离子平衡和耐盐性,但对于PeM... 详细信息

【目的】MAX2能抑制植物的分枝,且是独角金内酯信号传导途径的关键调控因子。MAX2同时还参与多种激素间的交叉互作,在植物抵御生物和非生物胁迫中发挥至关重要的作用。前期研究发现胡杨PeMAX2能调控拟南芥的离子平衡和耐盐性,但对于PeMAX2的耐旱功能还知之甚少,本文将探索胡杨PeMAX2调控拟南芥耐旱性的作用机制。【方法】将胡杨PeMAX2在拟南芥中异源表达,进行渗透胁迫和干旱胁迫,研究过表达PeMAX2拟南芥的生理和分子响应机制。【结果】(1)在长期干旱胁迫下,胡杨叶片PeMAX2基因表达水平升高。(2)甘露醇处理后,PeMAX2转基因拟南芥的种子萌发率和根长均高于野生型拟南芥(WT)和max2突变体,并且转基因株系细胞膜受损较轻。渗透胁迫后,转基因株系超氧化歧化酶、过氧化物酶、过氧化氢酶活性及其编码基因上调表达的升高幅度均显著高于拟南芥WT和max2突变体,转基因株系调控根细胞H_(2)O_(2)水平的能力更强。(3)土壤干旱处理10 d后,转基因株系叶绿素含量下降幅度低于WT和max2突变体,而且过表达株系在干旱胁迫下能维持较高水平的PSⅡ最大光化学效率、相对电子传递效率和实际光合量子产量;在碳同化和气孔导度方面,转基因拟南芥叶片的净光合速率和气孔导度均高于WT和突变体,说明过表达PeMAX2提高了拟南芥转基因植株在干旱条件下光合作用的能力。土壤复水后WT和突变体叶绿素含量、荧光和光合作用的恢复程度也明显低于转基因株系。【结论】过表达胡杨PeMAX2可以提高拟南芥的耐旱性,主要是由于过表达Pe MAX2提高了转基因拟南芥活性氧平衡的调控能力,减弱了干旱胁迫对生物膜的氧化损伤和光合作用的抑制。

关键词：胡杨 PeMAX2 拟南芥耐旱性抗氧化酶光合作用

行波管阴极组件激光焊接残余应力及其对结构强度的影响分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

真空科学与技术学报 2017年第9期37卷 878-884页

作者：宋芳芳恩云飞金亮李斌华南理工大学电子与信息学院广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州510610

对行波管阴极钼筒和钽支撑筒的焊接材料及焊接工艺进行了研究,并用数值模拟方法对焊接结构的残余应力进行了分析,获得焊接残余应力值及其分布,并与试验值进行了比对,仿真结果与试验结果一致。同时将残余应力结果作为预应力加载到行波管... 详细信息

对行波管阴极钼筒和钽支撑筒的焊接材料及焊接工艺进行了研究,并用数值模拟方法对焊接结构的残余应力进行了分析,获得焊接残余应力值及其分布,并与试验值进行了比对,仿真结果与试验结果一致。同时将残余应力结果作为预应力加载到行波管阴极组件上,分析了其对结构强度的影响。结果表明:焊接残余应力使阴极组件结构在实际工作中的应力值增大且应力分布发生了变化,在残余应力的影响下,钽支撑筒在高温工作时的应力由332变化为412 MPa,增幅达24%,而且最大应力的位置也由钽爪内表面转移到钽爪拐角处。而六个钽支撑爪子的外表面(焊接处)由于残余应力最大,该处应力值也由101增加到250 MPa,增幅高达150%。因此阴极组件中钽支撑筒与阴极钼筒的焊接处很容易因应力值过大而失效,需要对焊接处残余应力进行消除和控制并对结构进行加固设计。

关键词：行波管阴极组件激光焊接焊接残余应力结构强度