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双重预防机制在化工企业中的应用研究

产品可靠性报告 2024年第9期 45-46页

作者：彭飞王雪梅湖北兴福电子材料股份有限公司湖北兴力电子材料有限公司

化工企业在进行生产经营时，涉及许多危险因素和意外因素，一旦发生危险，往往后果极为严重。因此，为了控制相关风险，企业需要持续进行风险管理，将风险分级管控和隐患排查治理的双重预防机制纳入风险管理的工作中。本文对化工企业的... 详细信息

化工企业在进行生产经营时，涉及许多危险因素和意外因素，一旦发生危险，往往后果极为严重。因此，为了控制相关风险，企业需要持续进行风险管理，将风险分级管控和隐患排查治理的双重预防机制纳入风险管理的工作中。本文对化工企业的双重预防机制进行了具体分析，并探讨了将双重预防机制融入化工企业的日常安全管理体系的建设方式，重点落实安全生产的主体责任，有效控制安全风险。

关键词：化工企业双重预防机制安全管理

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电子级四甲基硅烷的检测方法

中国标准化 2024年第S1期 219-225页

作者：谭小龙李琴万富强侯建鑫张刚贺兆波李少平叶瑞杜林湖北兴福电子材料股份有限公司

电子级四甲基硅烷（Tetramethylsilane,TMS）因其独特的化学性质，在半导体器件的化学气相沉积（CVD）等过程中发挥着关键作用。目前电子级四甲基硅烷在国际和国内都没有明确的标准可以参考。企业只能根据客户需求结合其他硅烷类产品的... 详细信息

电子级四甲基硅烷（Tetramethylsilane,TMS）因其独特的化学性质，在半导体器件的化学气相沉积（CVD）等过程中发挥着关键作用。目前电子级四甲基硅烷在国际和国内都没有明确的标准可以参考。企业只能根据客户需求结合其他硅烷类产品的国标来制定质量标准。TMS不同生产阶段侧重的检测指标不同，半导体领域客户最关心的检测指标就是纯度和金属杂质。纯度通常采用气相色谱法，而金属杂质则通过ICP-OES和ICP-MS方法进行检测。外观采用目视法、水分采用卡尔费休库伦法、颗粒度采用激光粒度仪进行检测。

关键词：电子级四甲基硅烷检测方法纯度检测气相色谱金属杂质检测 ICP-OES ICP-MS 外观水分颗粒度

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湿电子化学品中外质量评价标准体系发展概述

中国标准化 2024年第S1期 209-213页

作者：武昊冉张庭贺兆波李少平叶瑞杜林蔡贵婷湖北兴福电子材料股份有限公司

湿电子化学品是电子信息产业的关键材料，其质量直接影响到下游电子产品的性能和可靠性[1]。然而，由于湿电子化学品品类繁多、组成复杂、应用环境多样，给质量评价与控制带来诸多挑战。本文在梳理国内外湿电子化学品标准化现状的基础... 详细信息

湿电子化学品是电子信息产业的关键材料，其质量直接影响到下游电子产品的性能和可靠性[1]。然而，由于湿电子化学品品类繁多、组成复杂、应用环境多样，给质量评价与控制带来诸多挑战。本文在梳理国内外湿电子化学品标准化现状的基础上，分析了我国该领域标准体系存在的问题和面临的挑战，提出了完善湿电子化学品标准体系的对策建议。研究认为，应从加强顶层设计、提升标准水平、强化实施监管、加强人才队伍建设等方面着力，推动湿电子化学品标准体系建设再上新台阶。

关键词：湿电子化学品新材料质量评价标准体系对策建议

聚羧酸铵盐类GS652D表面活性剂对氧化铈抛光液的分散稳定性研究

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中国标准化 2024年第S1期 249-253页

作者：邹哲敏常希文罗月贺兆波李少平叶瑞杜林湖北兴福电子材料股份有限公司

氧化铈纳米粒子是一种抛光性能优异的磨料，但由于其粒径小，表面能大，在抛光液中极易团聚沉降，使得抛光液的分散稳定性差。为了解决这一问题，本文在氧化铈抛光液中引入了聚羧酸铵盐类GS652D表面活性剂，并探究了其含量对纳米氧化铈... 详细信息

氧化铈纳米粒子是一种抛光性能优异的磨料，但由于其粒径小，表面能大，在抛光液中极易团聚沉降，使得抛光液的分散稳定性差。为了解决这一问题，本文在氧化铈抛光液中引入了聚羧酸铵盐类GS652D表面活性剂，并探究了其含量对纳米氧化铈分散性的影响。结果表明，GS652D能显著提高纳米氧化铈在抛光液中的分散稳定性；在质量分数为1%氧化铈溶液中加入0.1%GS652D，分散液的平均粒径在180.4nm,Zeta电位绝对值为35.78mV。同时，放置48h后的分散液未出现分层现象，并且粒径略有减小。通过抛光实验可知，GS652D不仅对氧化铈的抛光性能没有影响，同时会提高碳化硅晶圆抛光后的表面质量。本实验对氧化铈抛光液的开发与应用具有指导意义。

关键词：氧化铈粉体分散性表面活性剂抛光液

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湿电子化学品企业质量管理体系建设研究

中国标准化 2024年第S1期 204-208页

作者：王水秀吕贺刘文清陈妙丹孙藜珉李少平叶瑞黄如林刘兴荣湖北兴福电子材料股份有限公司

湿电子化学品是显示面板、半导体、光伏等领域不可缺少的关键性材料之一。湿电子化学品的质量优劣，不但直接影响电子产品的质量，而且对微电子制造技术的产业化有重大影响。因此，下游客户对供应商执行严格的准入机制，这对供应商的质... 详细信息

湿电子化学品是显示面板、半导体、光伏等领域不可缺少的关键性材料之一。湿电子化学品的质量优劣，不但直接影响电子产品的质量，而且对微电子制造技术的产业化有重大影响。因此，下游客户对供应商执行严格的准入机制，这对供应商的质量管理体系提出了极高的要求。本文从质量体系建设标准、质量体系评价模式、质量管理数字化3个方面分别介绍了湿电子化学品企业进行质量管理体系建设的方法及要点，以达到实现全面质量管理及顾客持续满意的效果。最后，对湿电子化学品企业未来质量管理体系建设提出了总结和展望。

关键词：湿电子化学品质量管理体系内部审核顾客特定要求质量管理信息化

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超高纯氨精馏工艺生产技术的探索

化工管理 2024年第14期 147-149页

作者：王雪梅彭飞湖北兴力电子材料有限公司湖北宜昌443007

中国太阳能光伏产品及半导体产品的应用范围越来越广,超高纯氨的需求量日益增加。由于中国超高纯氨的生产技术工艺与国际先进技术相比仍有差距,为此,相关技术人员针对超高纯氨的性能特点及技术难点,经过大量模拟计算和研究后,开发出一... 详细信息

中国太阳能光伏产品及半导体产品的应用范围越来越广,超高纯氨的需求量日益增加。由于中国超高纯氨的生产技术工艺与国际先进技术相比仍有差距,为此,相关技术人员针对超高纯氨的性能特点及技术难点,经过大量模拟计算和研究后,开发出一套由精馏塔和水洗塔双塔生产超高纯氨的工艺技术,可以得到氨中各类金属杂质含量在10×10^(-12)以下的超高纯氨产品。

关键词：超高纯氨精馏水洗工艺技术化工生产

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浅谈电子级氢氟酸的除砷工艺

化工设计通讯 2024年第9期50卷 26-28页

作者：彭飞杨洁王雪梅湖北兴力电子材料有限公司湖北宜昌443007

电子级氢氟酸是在半导体制造等高纯度工艺中常用的酸性溶液,但其中可能含有砷等杂质,需要进行除砷处理。对电子级氢氟酸的除砷工艺进行浅谈,涵盖了氧化法、离子交换法和电解法等多种常见方法,并简述了各个方法的优缺点。通过了解这些工... 详细信息

电子级氢氟酸是在半导体制造等高纯度工艺中常用的酸性溶液,但其中可能含有砷等杂质,需要进行除砷处理。对电子级氢氟酸的除砷工艺进行浅谈,涵盖了氧化法、离子交换法和电解法等多种常见方法,并简述了各个方法的优缺点。通过了解这些工艺方法,可以更好地理解电子级氢氟酸的除砷过程以及相关的技术挑战和解决方案。

关键词：电子级氢氟酸除砷工艺氧化反应

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硫酸-硫酸亚铁体系制备高分散球形银粉

贵金属 2024年第S1期45卷 66-70页

作者：姚远李玮李晨昊张晓杰李江辉姚志强黄富春贵研电子材料(云南)有限公司昆明650503

以AgNO_(3)作为银源,FeSO_(4)作为还原剂,H_(2)SO_(4)作为稳定剂,通过一步还原法制备球形银粉。研究了还原剂用量、稳定剂用量及操作方式对银粉形貌的影响。结果表明,对2.5gAgNO_(3),当FeSO_(4)用量在11g,0.1mol/LH_(2)SO_(4)用量在0.1g... 详细信息

以AgNO_(3)作为银源,FeSO_(4)作为还原剂,H_(2)SO_(4)作为稳定剂,通过一步还原法制备球形银粉。研究了还原剂用量、稳定剂用量及操作方式对银粉形貌的影响。结果表明,对2.5gAgNO_(3),当FeSO_(4)用量在11g,0.1mol/LH_(2)SO_(4)用量在0.1g时,向AgNO_(3)-H_(2)SO_(4)溶液中快速加入FeSO_(4)溶液,制备所得银粉形貌均一,粒径分布范围窄,形貌为形状规则球形银粉,分散性好。对反应体系中的吸附反应机理进行分析,发现SO4^(2-)及Fe^(2+)浓度对银颗粒形貌有明显的影响。

关键词：球形银粉 AgNO_(3) FeSO_(4) H_(2)SO_(4)

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纳米金属氧簇EUV光刻胶及其性能影响因素

中国科学:化学 2024年

作者：邢攸美胡涛方伟华尹云舰高立江刘伟鑫徐钉金海安王国杰杭州格林达电子材料股份有限公司北京科技大学材料科学与工程学院中国电子材料行业协会

随着半导体行业的发展,先进电子技术亟需更高电子元件密度的集成电路(integrated circuit,亦称积体电路).在集成电路光刻技术(photolithography,亦称微影技术)中,图案化特征结构的尺寸主要取决于曝光光源的波长.为将图形化尺寸推到更小... 详细信息

随着半导体行业的发展,先进电子技术亟需更高电子元件密度的集成电路(integrated circuit,亦称积体电路).在集成电路光刻技术(photolithography,亦称微影技术)中,图案化特征结构的尺寸主要取决于曝光光源的波长.为将图形化尺寸推到更小的极限,曝光光源的波长从紫外发展到极紫外.近年来,波长为13.5 nm的极紫外光(extreme ultraviolet, EUV)成为新一代光刻技术的光源,是实现10 nm及以下制程的关键因素.除光源和光刻机外,光刻胶(photoresist,亦称光阻)也是决定图案化特征尺寸的重要因素,其关键性能指标包括分辨率、灵敏度、线边缘粗糙度和线宽粗糙度等.目前适配于EUV光源的光刻胶主要有聚合物、分子玻璃和金属基材料等几类,其中,纳米金属氧簇EUV光刻胶具备高灵敏度、高分辨率和低粗糙度等性能,成为半导体集成电路行业的研究热点.本文主要介绍近年来纳米金属氧簇EUV光刻胶体系的组成、结构特征及其性能影响因素,采用多种表征手段,从分辨率、灵敏度和粗糙度等角度阐述光刻胶成分结构及环境因素对光刻过程及图案形成的影响,多层次了解其光刻机理及性能平衡策略.

关键词：纳米结构金属氧簇极紫外光刻胶半导体集成电路