磷酸中金属离子的种类与含量对多晶硅蚀刻速率的影响
Effect of the Type and Content of Metal Ions in Phosphoric Acid on the Etching Rate of Polysilicon作者机构：湖北兴福电子材料有限公司
出 版 物：《中国标准化》 (China Standardization)
年 卷 期：2024年第S1期
页 面：314-319页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：中国科学技术部重点研发专项《中低品位硅钙质胶磷矿绿色高效利用及耦合制备高质磷化产品技术》项目(2022YFC2904705)资助
摘 要：在集成电路制造工艺中，热磷酸主要用于氮化硅的选择性蚀刻去除，对多晶硅的蚀刻速率很低。实验研究了9种磷酸中常见的金属离子对磷酸蚀刻多晶硅的影响，发现，在常见浓度范围内，磷酸中单独或同时存在Al3+、Co2+、Zn2+以及Na+时，不会对多晶硅的蚀刻速率产生影响。而Fe3+、Ni2+、Sb3+、Cu2+以及W6+均会不同程度提高磷酸对多晶硅的蚀刻速率，相同金属离子浓度下，Cu2+的影响程度最大，Sb3+次之，W6+的影响最小。
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