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具有均匀照度的高倍太阳能聚光器

太阳能学报 2012年第2期33卷 338-342页

作者：曾飞李洪涛郝智彪韩彦军罗毅清华信息科学与技术国家实验室集成光电子学国家重点实验室清华大学电子工程系北京100084

利用非成像光学方法,设计了适用于聚光光伏系统的高倍聚光器。为了提高电池表面的照度均匀性,在设计中引入匀光器,并综合优化容忍角和光通过率等关键参数。设计完成的带有匀光器的TIR-R(Total Internal Reflection-Refraction)太阳能聚... 详细信息

利用非成像光学方法,设计了适用于聚光光伏系统的高倍聚光器。为了提高电池表面的照度均匀性,在设计中引入匀光器,并综合优化容忍角和光通过率等关键参数。设计完成的带有匀光器的TIR-R(Total Internal Reflection-Refraction)太阳能聚光器,可使电池表面光照最大强度不大于平均值的2倍,容忍角达到1.53°,聚光倍数为1256倍。仿真表明,太阳光发散角可改善光照均匀性,而聚光器材料色散则主要造成容忍角减小。

关键词：聚光器匀光聚光光伏非成像光学

基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器

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真空科学与技术学报 2012年第12期32卷 1089-1092页

作者：郭智博汪莱郝智彪罗毅清华信息科学与技术国家实验室(筹)/集成光电子学国家重点实验室清华大学电子工程系北京100084

制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×400μm,对常温下氢气浓度为2×10-6至6216×10-6的氢气... 详细信息

制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×400μm,对常温下氢气浓度为2×10-6至6216×10-6的氢气/氮气混合气进行了检测。结果表明,在VGS=-1.5 V,VDS=1 V的工作偏压下,10倍的氢气浓度变化平均引起33.9%的灵敏度变化量。同时,器件对2×10-6的氢气具有6.3%的灵敏度,表现出了具有竞争力的低浓度检测极限。

关键词： AlGaN GaN高电子迁移率晶体管氢气传感灵敏度恢复特性

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基于半导体光放大器的光单稳态触发器

光电子．激光 2012年第2期23卷 219-223页

作者：张圆成张洪明姚敏玉清华大学电子工程系信息科学与技术国家实验室集成光电子学国家重点实验室北京100084

为实现全光缓存中的光读写控制和光逻辑判断,提出并实验验证了一种基于半导体光放大器(SOA)双环结构的全光单稳态触发器。此触发器的稳态与非稳态激射不同的光波长,状态间静态消光比超过40 dB,切换时间仅仅为1-2个环腔周期,控制信号光... 详细信息

为实现全光缓存中的光读写控制和光逻辑判断,提出并实验验证了一种基于半导体光放大器(SOA)双环结构的全光单稳态触发器。此触发器的稳态与非稳态激射不同的光波长,状态间静态消光比超过40 dB,切换时间仅仅为1-2个环腔周期,控制信号光波长范围大。通过减小环腔长度可进一步减小两状态之间切换时间,并可作为光缓存的控制单元。

关键词：半导体光放大器(SOA) 单稳态触发器光缓存

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光传送网的生存技术

电子学报 2013年第7期41卷 1395-1405页

作者：倪文达李青山李艳和张汉一周炳琨郑小平清华大学电子工程系清华信息科学与技术国家实验室(筹) 集成光电子国家重点实验室北京100084

生存技术作为光传送网体系演进中最为重要的组成部件,受到学术界和工业界广泛而持久的关注.论文回顾和总结光传送网生存技术的重要研究成果及若干最新进展,内容包括:光网络的连接恢复技术、可生存光网络的资源优化与服务质量、两层网络... 详细信息

生存技术作为光传送网体系演进中最为重要的组成部件,受到学术界和工业界广泛而持久的关注.论文回顾和总结光传送网生存技术的重要研究成果及若干最新进展,内容包括:光网络的连接恢复技术、可生存光网络的资源优化与服务质量、两层网络的连接恢复技术以及透明光网络的故障定位技术.

关键词：光传送网网络生存技术资源优化服务质量共享路径保护两层网络故障定位

基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作

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物理学报 2010年第10期59卷 7239-7244页

作者：袁贺孙长征徐建明武庆熊兵罗毅清华大学电子工程系清华信息科学与技术国家实验室集成光电子学国家重点实验室北京100084

针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设... 详细信息

针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设计了四层SiO2/SiNx抗反膜结构,能够在70nm的波长范围内实现低于10-4的反射率,并且当单层膜厚度变化在±5nm以内时,中心波长1550nm处的反射率低于5×10-4.根据计算结果,在F-P激光器端面进行了SiO2/SiNx多层抗反镀膜的制作.对输出光功率谱的测试分析表明,在1535—1565nm范围内的残余反射率达到了10-4量级。

关键词：抗反膜等离子体增强化学气相沉积二氧化硅/氮化硅多层膜

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单偏振半导体光放大器扫频光相干层析系统

半导体光电 2014年第1期35卷 113-117页

作者：尚怀嬴霍力吴远鹏娄采云清华大学电子工程系信息科学与技术国家实验室集成光电子学国家重点实验室北京100084

实现了基于单偏振半导体光放大器高速扫频光源的光相干层析系统。系统中的扫频光源使用偏振相关的半导体光放大器,采用傅里叶域锁模结构。偏振相关的半导体光放大器有着增益谱宽大、输出功率高的优点,使得光源仅使用一个放大器即可获得... 详细信息

实现了基于单偏振半导体光放大器高速扫频光源的光相干层析系统。系统中的扫频光源使用偏振相关的半导体光放大器,采用傅里叶域锁模结构。偏振相关的半导体光放大器有着增益谱宽大、输出功率高的优点,使得光源仅使用一个放大器即可获得足够的增益谱宽与输出功率。扫频光源输出功率达到32mW左右,有效扫描频率为45kHz,输出光谱的中心波长为1 326nm,光谱宽度为115nm。利用系统进行光相干层析成像时,横向分辨率为9μm,纵向分辨率为12.9μm左右,灵敏度为105dB。利用该系统实现了多种生物和非生物样品的光学相干层析成像。

关键词：相干光学傅里叶域锁模结构光源光相干层析半导体光放大器

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倍频傅里叶域模式锁定扫频激光源

半导体光电 2014年第5期35卷 908-911页

作者：吴远鹏霍力尚怀嬴娄采云清华大学电子工程系信息科学与技术国家实验室集成光电子学国家重点实验室北京100084

搭建完成了基于单偏振助推光学放大器的傅里叶域模式锁定扫频激光源,并在此基础上实现了倍频傅里叶域模式锁定扫频激光源,将光源的成像速度提高了一倍。该倍频激光源输出功率达到2mW左右,扫描频率为45kHz,输出光谱的中心波长为1 315nm,... 详细信息

搭建完成了基于单偏振助推光学放大器的傅里叶域模式锁定扫频激光源,并在此基础上实现了倍频傅里叶域模式锁定扫频激光源,将光源的成像速度提高了一倍。该倍频激光源输出功率达到2mW左右,扫描频率为45kHz,输出光谱的中心波长为1 315nm,光谱宽度为107nm。利用该光源进行相干层析成像实验时,系统的A-Scan速率为90kHz,纵向分辨率为12.9μm左右,相干长度为0.9mm左右,灵敏度为105dB。

关键词：相干层析成像傅里叶域模式锁定扫频激光源倍频光源助推光学放大器

AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响

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物理学报 2008年第11期57卷 7238-7243页

作者：席光义任凡郝智彪汪莱李洪涛江洋赵维韩彦军罗毅清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室清华大学信息科学与技术国家实验室北京100084

利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引... 详细信息

利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引起栅延迟电流崩塌效应和源漏电阻的增加,而且表面坑状缺陷越多,栅延迟电流崩塌程度和源漏电阻的增加越明显.漏延迟测试显示,AlGaN表面坑状缺陷对漏延迟电流崩塌影响不大,而GaN缓冲层位错缺陷主要影响漏延迟电流崩塌.研究结果表明,AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷分别是引起AlGaN/GaN HEMT栅、漏延迟电流崩塌的电子陷阱来源之一.

关键词： AlGaN/GaN HEMT 电流崩塌坑状缺陷位错缺陷

MOVPE低温生长的n型GaN电学特性研究

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物理学报 2008年第9期57卷 5923-5927页

作者：汪莱张贤鹏席光义赵维李洪涛江洋韩彦军罗毅集成光电子学国家重点实验室清华信息科学与技术国家实验室清华大学电子工程系北京100084

系统研究了采用金属有机物化学气相外延方法在740℃和900℃条件下生长的n型GaN的电学特性.电化学电容-电压测试表明,在低温条件下采用三乙基镓作为Ga源生长有利于降低非故意掺杂n型GaN的背景杂质浓度.另外,对重掺Si的n型GaN的霍耳效应... 详细信息

系统研究了采用金属有机物化学气相外延方法在740℃和900℃条件下生长的n型GaN的电学特性.电化学电容-电压测试表明,在低温条件下采用三乙基镓作为Ga源生长有利于降低非故意掺杂n型GaN的背景杂质浓度.另外,对重掺Si的n型GaN的霍耳效应测试表明,随着Si掺杂浓度增大,电子浓度相应线性增大,表现出杂质带导电特性,而迁移率则相应减小.同时,原子力显微镜测试和X射线衍射测试均表明生长温度和掺杂浓度对外延材料的表面形貌和晶体质量有影响,特别是在高掺杂浓度的情况下,样品的表面形貌恶化更严重.在所研究的Si掺杂浓度范围内,在氧气中退火前后所有样品的电子迁移率基本不变,而Si掺杂浓度高于6×1019cm-3的样品在氧气中退火后电子浓度会下降,表明对低温生长的重掺杂n型GaN,热处理的过程有助于Si原子取代N原子形成受主而产生补偿施主的作用.

关键词： n型GaN 电子浓度迁移率