AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响

作     者：席光义 任凡 郝智彪 汪莱 李洪涛 江洋 赵维 韩彦军 罗毅 Xi Guang-Yi;Ren Fan;Hao Zhi-Biao;Wang Lai;Li Hong-Tao;Jiang Yang;Zhao Wei;Han Yan-Jun;Luo Yi

作者机构：清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室清华大学信息科学与技术国家实验室北京100084 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2008年第57卷第11期

页      面：7238-7243页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002) 国家重点基础研究发展计划“973”(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106) 国家高技术研究发展计划“863”(批准号:2006AA03A105) 北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~ 

主　　题：AlGaN/GaN HEMT 电流崩塌 坑状缺陷 位错缺陷 

摘      要：利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引起栅延迟电流崩塌效应和源漏电阻的增加,而且表面坑状缺陷越多,栅延迟电流崩塌程度和源漏电阻的增加越明显.漏延迟测试显示,AlGaN表面坑状缺陷对漏延迟电流崩塌影响不大,而GaN缓冲层位错缺陷主要影响漏延迟电流崩塌.研究结果表明,AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷分别是引起AlGaN/GaN HEMT栅、漏延迟电流崩塌的电子陷阱来源之一.