检索结果-南通市图书馆

中国自动识别技术 2009年第6期 54-55页

作者：江苏东大集成电路系统工程技术有限公司江苏东大集成电路系统工程技术有限公司

2009年10月1日是中华人民共和国成立六十周年的大喜日子。走过六十年的风雨岁月,新中国无论是在经济建设、政治建设还是文化建设等领域都取得了举世瞩目的成就。为庆祝祖国六十华诞生日,国家决定在天安门广场举行隆重的国庆阅兵仪式。

关键词：国庆阅兵装备保障东大

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嵌入式系统低功耗设计研究

中国新通信 2021年第8期23卷 67-68页

作者：徐良伟江苏东大集成电路系统工程技术有限公司

嵌入式系统系统设计较为复杂,其中涉及到诸多内容,如何对系统进行低功耗设计,则是设计的重点和难点所在。究其根本,嵌入式系统并不具备持久电源供应支持,多是选择电池为系统提供电力支持,并且很多的嵌入式系统均会受到质量、体积等因素... 详细信息

嵌入式系统系统设计较为复杂,其中涉及到诸多内容,如何对系统进行低功耗设计,则是设计的重点和难点所在。究其根本,嵌入式系统并不具备持久电源供应支持,多是选择电池为系统提供电力支持,并且很多的嵌入式系统均会受到质量、体积等因素限制,因此无法提供大电量支持。嵌入式系统运行中,部件产生能量也会加剧功耗,为了解决散热问题会进一步加剧系统功耗。关于嵌入式系统的低功耗设计,需要综合考量集成电路工艺、硬件和软件等内容,设计最佳的低功耗方案。本文就嵌入式系统低功耗设计展开分析,在分析导致功耗大的因素基础上,结合原理选择最佳的低功耗设计方法,以求提升设计有效性。

关键词：低功耗设计嵌入式系统电磁干扰电池驱动

JFFS2文件系统在μClinux中的应用

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电子产品世界 2003年第4A期10卷 47-50页

作者：胡晨峰江苏东大集成电路系统工程技术有限公司

本文首先简述了JFFS(Joumalling Flash File system)的相关知识,然后介绍了在μClinux中实现JFFS2文件系统的具体方法。主要内容包括在μClinux中使用JFFS2文件系统时内核的配置,相关代码的修改以及辅助工具的生成和使用。

关键词： JFFS2 μClinux 文件系统 MTD FLASH

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SOI双槽隔离结构的耐压特性

东南大学学报（自然科学版） 2012年第2期42卷 234-238页

作者：陈健朱奎英刘斯扬钱钦松孙伟锋东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096

理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以... 详细信息

理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.

关键词：双槽隔离结构耐压模型压降不均衡沟槽纵横比槽间距临界击穿电压

不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究

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电子学报 2016年第2期44卷 348-352页

作者：刘斯扬于朝辉张春伟孙伟锋苏巍张爱军刘玉伟吴世利何骁伟东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心江苏南京210096 华润上华半导体有限公司江苏无锡214000

本文详细研究了不同栅压应力下1.8V p MOS器件的热载流子退化机理.研究结果表明,随着栅压应力增加,电子注入机制逐渐转化为空穴注入机制,使得p MOS漏极饱和电流(Idsat)、漏极线性电流(Idlin)及阈值电压(Vth)等性能参数退化量逐渐增加,但... 详细信息

本文详细研究了不同栅压应力下1.8V p MOS器件的热载流子退化机理.研究结果表明,随着栅压应力增加,电子注入机制逐渐转化为空穴注入机制,使得p MOS漏极饱和电流(Idsat)、漏极线性电流(Idlin)及阈值电压(Vth)等性能参数退化量逐渐增加,但在Vgs=90%*Vds时,因为没有载流子注入栅氧层,使得退化趋势出现转折.此外,研究还发现,界面态位于耗尽区时对空穴迁移率的影响小于其位于非耗尽区时的影响,致使正向Idsat退化小于反向Idsat退化,然而,正反向Idlin退化却相同,这是因为Idlin状态下器件整个沟道区均处于非耗尽状态.

关键词：热载流子不同栅压应力正反向退化

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Android操作系统移植及关键技术研究

科学技术创新 2021年第7期 78-80页

作者：安占磊江苏东大集成电路系统工程技术有限公司江苏南京211500

Android作为当前主流手机平台之一,研发之初正是为了移动设备专门设计的软件综合平台,开放性、移植性特点鲜明,可以根据产品需求不断延伸拓展,有着广泛的应用前景。相较于国外关于Android的研究,国内研究较为滞后,移植方面受到技术封闭... 详细信息

Android作为当前主流手机平台之一,研发之初正是为了移动设备专门设计的软件综合平台,开放性、移植性特点鲜明,可以根据产品需求不断延伸拓展,有着广泛的应用前景。相较于国外关于Android的研究,国内研究较为滞后,移植方面受到技术封闭影响,导致移植技术还不够成熟。基于此,就Android操作系统的移植展开分析,在了解其构成和运行原理基础上,把握其关键技术要点,以求提升国内的Android操作系统移植技术水平,保障智能手机可以高效、安全使用,更好的服务于现代社会。

关键词：关键技术操作系统 Android 系统移植

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数据终端局域网通信问题浅析

无线互联科技 2015年第23期12卷 5-8页

作者：王正坤江苏东大集成电路系统工程技术有限公司江苏南京210012

数据终端设备具有数据采集和数据通信功能,对系统架构设计、产品功能模块布局、无线通信射频系统设计及EMI整机系统设计提出了较高的要求。文章针对数据终端在局域网通信间出现的掉线和丢包问题,通过电路分段对比测试和结果分析测试,提... 详细信息

数据终端设备具有数据采集和数据通信功能,对系统架构设计、产品功能模块布局、无线通信射频系统设计及EMI整机系统设计提出了较高的要求。文章针对数据终端在局域网通信间出现的掉线和丢包问题,通过电路分段对比测试和结果分析测试,提出了调整AP组网布局、针对特殊环境定制模块工作模式、改善本机的EMC噪声等办法以彻底解决终端无线通信不稳定的问题,提高了数据终端的局域网通信的稳定性。

关键词： 802.11 a/b/g/n DHCP 漫游 AP搜索方向性 CCK

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高功率单相桥模块封装热特性研究及优化

东南大学学报（自然科学版） 2016年第5期46卷 928-933页

作者：王宁宋海洋魏家行刘斯扬孙伟锋朱久桃余传武朱袁正东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 无锡新洁能股份有限公司无锡214131

为了提升高功率应用下单相桥模块的热可靠性,利用有限元仿真分析方法,研究了模块的封装热特性,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的准确性和可靠性.结果表明:单相桥模块结壳热阻为0.185 3℃/W,封装7层结构中直接覆铜基板(DBC)陶瓷层... 详细信息

为了提升高功率应用下单相桥模块的热可靠性,利用有限元仿真分析方法,研究了模块的封装热特性,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的准确性和可靠性.结果表明:单相桥模块结壳热阻为0.185 3℃/W,封装7层结构中直接覆铜基板(DBC)陶瓷层占总热阻的52.12%,将DBC陶瓷绝缘材料替换为高导热率绝缘材料能够有效减小结壳热阻;在高功率应用条件下,由功率端子和引线寄生引起的焦耳热将进一步导致结温升高及模块性能下降.在此基础上,具体分析了不同功率端子、引线模型对模块封装热特性的影响.分析表明,采用铜柱型功率端子和增大近端子侧(高电流密度区域)的引线密度或截面直径均可降低结温,从而有助于提高单相桥模块的过电流能力和热可靠性.

关键词：单相桥模块高功率热阻功率端子引线

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Android操作系统的安全性优化

电子技术与软件工程 2021年第2期 237-238页

作者：徐良伟江苏东大集成电路系统工程技术有限公司江苏省南京市210032

本文主要就Android操作系统的特点和安全机制展开分析,并剖析其中存在的安全隐患,进一步提出优化改良措施,以求最大程度上保障用户信息安全。移动互联网用户数量不断增加,智能移动终端的功能也越来越强大,但功能多样的同时,意味着系统... 详细信息

本文主要就Android操作系统的特点和安全机制展开分析,并剖析其中存在的安全隐患,进一步提出优化改良措施,以求最大程度上保障用户信息安全。移动互联网用户数量不断增加,智能移动终端的功能也越来越强大,但功能多样的同时,意味着系统的安全性勉励这严峻挑战。Android操作系统作为主流移动终端操作系统之一,凭借其开放性特点,受到了各大移动设备生产厂商和用户的喜爱,但其安全性却始终受到诟病,自诞生起屡屡出现手机安全事件,严重侵害了用户的信息安全。因此对Android操作系统的安全性优化措施进行研究很重要。

关键词： Android操作系统安全性数字签名木马病毒

700V高压LDMOS器件瞬态失效机理研究

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固体电子学研究与进展 2012年第4期32卷 330-335页

作者：崔其晖刘斯扬钱钦松孙伟锋苏巍张森何乃龙东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 华润上华科技有限公司江苏无锡214028

详细分析了700V横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件瞬态失效机理的特性。研究表明触发器件寄生晶体管开启的失效功率不仅与器件内部温度有关,同时也与电场分布有关。器件温度影响寄生阱电阻和衬底电流的大小,而电场分布影响器件内... 详细信息

详细分析了700V横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件瞬态失效机理的特性。研究表明触发器件寄生晶体管开启的失效功率不仅与器件内部温度有关,同时也与电场分布有关。器件温度影响寄生阱电阻和衬底电流的大小,而电场分布影响器件内部碰撞电离。器件温度与电场分布均与栅脉冲参数有密切关系。为了阐述栅脉冲参数对器件温度的影响,模拟仿真了器件的热响应曲线。

关键词：横向双扩散金属氧化物半导体器件瞬态失效机理温度