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光照和偏压对微晶硅薄膜室温电导的影响

物理学报 2006年第4期55卷 2038-2043页

作者：余云鹏林璇英林舜辉黄锐汕头大学物理系汕头515063

报道了SiCl4/H2等离子体化学气相沉积方法制备的未掺杂微晶硅薄膜,在短时间光照或加上直流偏压后其室温暗电导随时间缓慢变化的行为.Raman散射谱结果表明,薄膜的晶态体积比大于70%.暗电阻的实验结果显示:材料具有弱的持久光电导效应;薄... 详细信息

报道了SiCl4/H2等离子体化学气相沉积方法制备的未掺杂微晶硅薄膜,在短时间光照或加上直流偏压后其室温暗电导随时间缓慢变化的行为.Raman散射谱结果表明,薄膜的晶态体积比大于70%.暗电阻的实验结果显示:材料具有弱的持久光电导效应;薄膜的暗电导在外加直流电场的作用下缓慢上升,电场反向后出现暗电导的恢复过程,而且暗电导变化速度与偏压大小和温度有关.根据异质结势垒模型,指出外加条件下载流子的空间分离和重新分布以及材料非均匀性造成的势垒是引起电导缓慢变化的主要原因.

关键词：微晶硅电导率薄膜光照

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小直径CBN砂轮的磨削特性研究

机械工程学报 2000年第5期36卷 103-106页

作者：阎秋生田中宪司庄司克雄汕头大学机电系汕头515063 日本东北大学

理论分析了小直径ＣＢＮ砂轮平面磨削的特征，弄清了小直径ＣＢＮ砂轮平面磨削时发生ＣＢＮ磨粒早期脱落，是由于磨削过程中单个磨粒最大吃刀量增大，磨粒磨削弧长减小，使磨粒磨削力过大所致。采用减小单个磨粒最大吃刀量和增大磨粒磨... 详细信息

理论分析了小直径ＣＢＮ砂轮平面磨削的特征，弄清了小直径ＣＢＮ砂轮平面磨削时发生ＣＢＮ磨粒早期脱落，是由于磨削过程中单个磨粒最大吃刀量增大，磨粒磨削弧长减小，使磨粒磨削力过大所致。采用减小单个磨粒最大吃刀量和增大磨粒磨削弧长的磨削参数，即小磨削进给速度、大磨削吃刀量（蠕动磨削）和砂轮高密度化可以抑制ＣＢＮ磨粒的脱落，发挥小直径ＣＢＮ砂轮的磨削特性。

关键词：砂轮轴脱落磨削弧长 CBN砂轮小直径磨削特性

Langmuir单探针诊断射频辉光放电等离子体及其数据处理

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物理学报 2001年第7期50卷 1313-1317页

作者：池凌飞林揆训姚若河林璇英余楚迎余云鹏汕头大学物理系汕头515063

Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段 .报道了在氩气射顿 (13 5 6MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断 ,对探针I V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理 ,而后求二次微商 .在相同的放电条件下 ,使用自行设计... 详细信息

Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段 .报道了在氩气射顿 (13 5 6MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断 ,对探针I V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理 ,而后求二次微商 .在相同的放电条件下 ,使用自行设计的微分电路 ,对探针特性二次微商进行在线测量 .这两种方法得到的二次微商结果能够较好地符合 .

关键词： Langmuir探针二次微商数值滤波微分电路数据处理等离子体诊断技术

铝诱导非晶硅薄膜的场致低温快速晶化及其结构表征

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物理学报 2004年第2期53卷 582-586页

作者：陈一匡林揆训罗志梁锐生周甫方汕头大学物理系汕头515063

铝诱导非晶硅薄膜晶化可以降低退火温度、缩短退火时间 ,是制备多晶硅薄膜的一种重要方法 .在此基础上 ,通过在退火过程中加入电场加速了界面处硅、铝原子间的互扩散 ,实现了非晶硅薄膜的快速低温晶化 .实验结果表明 ,外加电场 ,退火温... 详细信息

铝诱导非晶硅薄膜晶化可以降低退火温度、缩短退火时间 ,是制备多晶硅薄膜的一种重要方法 .在此基础上 ,通过在退火过程中加入电场加速了界面处硅、铝原子间的互扩散 ,实现了非晶硅薄膜的快速低温晶化 .实验结果表明 ,外加电场 ,退火温度为 4 0 0℃ ,退火时间为 6 0min时 ,薄膜的晶化率大于 6 0 % ;退火温度为 4 5 0℃退火时间为30min时 ,薄膜已经呈现明显的晶化现象 ;退火温度为 5 0 0℃退火时间为 15min时 ,薄膜的x射线多晶峰强度与非晶峰强度之比为未加电场的 3—

关键词：非晶硅薄膜多晶硅薄膜铝诱导晶体结构退火温度退火时间外加电场

PPQ通过清除活性氧修复子宫内膜细胞增殖能力的作用研究

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东南大学学报（医学版） 2024年第3期43卷 422-430页

作者：彭佳欣冯文翔李奕霖龚熊美玉曾聚涛李伟南华大学附属第二医院湖南衡阳421001 汕头大学第二附属医院广东汕头515041 南方医科大学南方医院第二临床医学院广东广州510515

目的:设计并合成聚乙二醇修饰负载槲皮素的聚多巴胺(PDA)类黑色素纳米粒子(PPQ),检测其物化表征及活性氧(ROS)清除能力,并进一步探究其改善子宫内膜异位症能力。方法:采用透射电子显微镜(TEM)、水合粒径(DLS)、Zeta电位分析PPQ的形貌、... 详细信息

目的:设计并合成聚乙二醇修饰负载槲皮素的聚多巴胺(PDA)类黑色素纳米粒子(PPQ),检测其物化表征及活性氧(ROS)清除能力,并进一步探究其改善子宫内膜异位症能力。方法:采用透射电子显微镜(TEM)、水合粒径(DLS)、Zeta电位分析PPQ的形貌、粒径大小;利用紫外光谱(UV-Vis)分析PPQ中槲皮素的载药浓度及包封率;利用总抗氧化能力的检测试剂(DPPH和ABTS)检测槲皮素、聚乙二醇修饰PDA(PEG-PDA)及PPQ的ROS清除能力;将人子宫异位子宫内膜上皮细胞系(hEM15A)分为对照组及刺激组,并将刺激组分别用槲皮素、PEG-PDA及PPQ进行孵育处理,进一步采用激光共聚焦、细胞毒性试验、细胞活性染色、细胞EdU增殖染色试验及子宫内膜异位症小鼠模型评估PPQ清除ROS改善子宫内膜异位症的作用。结果:TEM及DLS结果提示制备的PDA、PEG-PDA及PPQ为100 nm左右的圆球颗粒,其电位分别为-30、-32、-35 mV左右。紫外光谱提示槲皮素的载药率和包封率分别为≤23%和≤85%。总抗氧化能力检测试剂结果提示槲皮素、PEG-PDA及PPQ均可减少氧自由基的含量,且随着浓度升高其含量越少,同时PPQ展示出最好的ROS清除能力。激光共聚焦实验结果提示:相比于对照组,IL-1β可显著上调hEM15A细胞内ROS水平(P<0.001),而槲皮素、PEG-PDA及PPQ都会降低IL-1β处理的hEM15A细胞内ROS水平(P<0.001),且相比于槲皮素和PEG-PDA,PPQ在细胞内可更有效清除ROS(P<0.001)。细胞毒性试验、细胞活性染色及EdU增殖染色试验结果表明:相比于对照组,IL-1β可显著降低hEM15A细胞的存活率、增殖能力及增加细胞死亡率(P<0.001),而槲皮素、PEG-PDA及PPQ可增加IL-1β处理的hEM15A细胞存活率及增殖能力,降低死亡率(P<0.001),且相比于槲皮素和PEG-PDA,PPQ对处理的细胞效果最显著(P<0.001)。在体试验显示:PPQ在子宫内膜异位症区域有良好的富集作用,且相比于对照组,PPQ可缩小子宫内膜异位症区域的体积(P<0.001),同时显著降低其ROS水平(P<0.001)。结论:PPQ具有良好的清除ROS功能,是治疗子宫内膜异位症的一种潜在新方法。

关键词：聚乙二醇修饰负载槲皮素的聚多巴胺类黑色素纳米粒子活性氧子宫内膜细胞增殖能力小鼠

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间歇运行下地埋管周围土壤热湿特性实验研究

太阳能学报 2024年第6期45卷 44-50页

作者：徐昭何伟王义天贾臻邾茂盛庾汉成合肥工业大学建筑环境与技术工程系合肥230009 青海建筑职业技术学院市政机电系西宁810012

搭建地源热泵地埋管周围土壤热湿传递的试验台,对初始含水率、防水层、保温层以及相变回填材料等因素对土壤热量和水分传递的影响进行探究。沙箱实验结果表明:竖直埋管的热量会引起周围土壤的温度传递和水分迁移,土壤初始含水率的提高... 详细信息

搭建地源热泵地埋管周围土壤热湿传递的试验台,对初始含水率、防水层、保温层以及相变回填材料等因素对土壤热量和水分传递的影响进行探究。沙箱实验结果表明:竖直埋管的热量会引起周围土壤的温度传递和水分迁移,土壤初始含水率的提高有利于温度恢复和地埋管换热,系统运行期间的温度峰值随初始含水率的增加而降低,防水层、保温层和相变回填材料也会对温度峰值和温度恢复产生影响。温度梯度和水力梯度是引起水分迁移的主要因素,在15%初始含水率时,温度梯度占据主导,驱动水分沿径向向远处扩散;在25%初始含水率时,水力梯度占据主导,水分沿深度向下渗透。

关键词：地源热泵土壤温度土壤湿度相变材料

Sr_2CeO_4电荷迁移发光的光谱结构规律研究

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物理学报 2005年第5期54卷 2369-2373页

作者：符史流戴军丁球科赵韦人汕头大学物理系汕头515063

利用高温固相反应法分别合成了不同物相形成机理的Sr2 CeO4 ,Sr2 CeO4 ∶Ca2 + 和Sr2 CeO4 ∶Ba2 + 样品 ,并对其光谱特性进行了研究 .结果发现 ,对于由SrO和CeO2 直接反应生成的Sr2 CeO4 (Ⅰ ) ,激发主峰位于 2 5 6nm左右 ;而对于SrCeO... 详细信息

利用高温固相反应法分别合成了不同物相形成机理的Sr2 CeO4 ,Sr2 CeO4 ∶Ca2 + 和Sr2 CeO4 ∶Ba2 + 样品 ,并对其光谱特性进行了研究 .结果发现 ,对于由SrO和CeO2 直接反应生成的Sr2 CeO4 (Ⅰ ) ,激发主峰位于 2 5 6nm左右 ;而对于SrCeO3和SrO反应生成的Sr2 CeO4 (Ⅱ ) ,激发主峰位于 2 79nm左右 .在Sr2 CeO4 (Ⅰ )中掺入Ca2 + ,其激发光谱随着Ca2 + 离子浓度的增加逐渐接近于Sr2 CeO4 (Ⅱ )的激发光谱 .激发主峰带应属于CeO6 八面体终端Ce4 + —O2 - 键的电荷迁移带 .对于激发光谱中 340nm左右的弱激发峰 ,其峰值波长不受形成机理及Ca2 + 掺杂的影响 ,只是其强度随着激发主峰的红移而增加 ,它可能属于CeO6 八面体平面上Ce4 + —O2 - 键的电荷迁移带 .形成机理及Ca2 + 掺杂对发射光谱没有影响 .Ca2 + 在Sr2 CeO4 (Ⅱ )与Ba2 + 在Sr2 CeO4 (Ⅰ )和 (Ⅱ )中均难于替代Sr2 + 的位置 .

关键词：光谱规律电荷迁移发光高温固相反应法 Sr2CeO4 激发主峰

用紧束缚方法描述光子晶体缺陷耦合的共振频率移动

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物理学报 2007年第5期56卷 2742-2746页

作者：蔡旭红林旭升石全赵年顺汕头大学物理系汕头515063

通常采用含两个耦合参数的紧束缚近似,就能很好地描述光子晶体缺陷因耦合而导致的共振频率分裂.然而,缺陷耦合造成的共振频率移动,即包含奇数个缺陷的耦合系统的中央共振频率位置与原来单缺陷时的共振频率位置存在差异,则只有采用含三... 详细信息

通常采用含两个耦合参数的紧束缚近似,就能很好地描述光子晶体缺陷因耦合而导致的共振频率分裂.然而,缺陷耦合造成的共振频率移动,即包含奇数个缺陷的耦合系统的中央共振频率位置与原来单缺陷时的共振频率位置存在差异,则只有采用含三个耦合参数的严格紧束缚方法才能正确描述.根据耦合参数与共振频率的关系,利用三缺陷耦合系统的模拟计算结果确定了三个耦合参数的具体值,从而在理论上能够预言由任意个缺陷构成的耦合系统的共振频率的移动和分裂.理论预言与基于有限时域差分法的数值计算完全相符.

关键词：光子晶体缺陷耦合紧束缚方法共振频率分裂共振频率移动

氧含量对a-SiO_xN_y薄膜荧光特性的影响

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光谱学与光谱分析 2000年第4期20卷 569-571页

作者：黄翀石旺舟汕头大学物理系汕头515063

采用PECVD方法制备了a SiOxNy 薄膜 ,观察到强荧光发射现象 ,荧光光谱由波段范围为 2 60～3 5 0nm和 5 0 0～ 70 0nm的宽谱带和位置分别为 3 65、 3 75、 3 80、 73 5和 74 5nm的荧光发射峰组成。通过改变沉积过程中氢分压研究了氧含量... 详细信息

采用PECVD方法制备了a SiOxNy 薄膜 ,观察到强荧光发射现象 ,荧光光谱由波段范围为 2 60～3 5 0nm和 5 0 0～ 70 0nm的宽谱带和位置分别为 3 65、 3 75、 3 80、 73 5和 74 5nm的荧光发射峰组成。通过改变沉积过程中氢分压研究了氧含量及荧光特性的影响 ,随着氢分压下降 ,薄膜中氧含量升高 ,荧光峰强度增加 ,但位置不变 ;而荧光带在强度增加的同时 ,中心位置产生红移。根据实验结果对荧光起源及变化机制进行了讨论。

关键词： a-SiOxNy薄膜氧含量荧光光谱 PECVD 制备