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流动石墨烯增强薄板的模态分析

海南师范大学学报(自然科学版) 2025年

作者：随岁寒刘金建商丘工学院机械工程学院无锡茨勒创智能科技有限公司无锡金元启信息技术科技有限公司苏州聚悦信息科技有限公司

兼顾科氏加速度和离心加速度，提出了流动连续体力学的概念。在四边固支边界内，通过欧拉法建立流动石墨烯增强薄板的动力学方程。应用有限差分法求解动力学方程时，为克服传统一维节点编号方法带来的编程困难，开发了二维节点编号法，... 详细信息

兼顾科氏加速度和离心加速度，提出了流动连续体力学的概念。在四边固支边界内，通过欧拉法建立流动石墨烯增强薄板的动力学方程。应用有限差分法求解动力学方程时，为克服传统一维节点编号方法带来的编程困难，开发了二维节点编号法，在此基础上给出了前四阶导数的差分公式。通过与ANSYS软件对比发现，本文算法能够在较少的节点数量条件下获得很高的计算精度。将广义特征值方程转换为标准特征值方程，求解得到的特征值和特征向量分别代表固有频率和模态，给出了固有频率实部和虚部与流速的关系，其中实部用于表征振动稳定性。利用特征值矩阵拟合出前两阶模态的三维图，给出了各个流速条件下的模态正视图和斜视图，呈现了模态的阶跃特性。研究还发现：随着石墨烯含量的增加，各阶频率相应增大，但趋势渐缓；科氏加速度和离心加速度都是流动石墨烯增强薄板振动的重要影响因素，各自贡献大小与振动阶次相关。

关键词：流动连续体力学石墨烯增强薄板模态分析有限差分法二维节点编号法

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面向CMOS图像传感器的噪声抑制研究进展

电子与封装 2025年

作者：陈建涛郭劼钟啸宇顾晓峰虞致国江南大学集成电路学院中电海康无锡科技有限公司

作为一种典型的固体成像传感器，CMOS图像传感器(CIS)利用标准的CMOS工艺将像素、信号处理电路集成到一块芯片上。在CIS的设计过程中，噪声的存在会给图像引入随机变化，带来图像质量下降、信噪比下降等不利影响，尤其是在低光照条件下... 详细信息

作为一种典型的固体成像传感器，CMOS图像传感器(CIS)利用标准的CMOS工艺将像素、信号处理电路集成到一块芯片上。在CIS的设计过程中，噪声的存在会给图像引入随机变化，带来图像质量下降、信噪比下降等不利影响，尤其是在低光照条件下，这种影响更加明显。因此，为了提高CIS的成像质量，必须采取措施来最大限度地减小噪声的影响。本研究回顾了CIS的架构和典型的噪声模型，从像素单元和读出电路两方面详细分析了各种噪声抑制方法的最新进展和各项指标对比，并讨论和展望了设计低噪声CIS可能的发展方向。

关键词： CMOS图像传感器低噪声相关多采样模数转换器

1200V沟槽栅/平面栅场截止型IGBT短路耐量特性研究

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固体电子学研究与进展 2014年第2期34卷 111-119页

作者：陈天杨晓鸾季顺黄无锡凤凰半导体科技有限公司江苏无锡214000

研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身的结构与工艺两方面对具有沟槽栅及平面栅结构的场截止型IGBT进行了探究,其中热耗散为引起击穿的主要原因... 详细信息

研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身的结构与工艺两方面对具有沟槽栅及平面栅结构的场截止型IGBT进行了探究,其中热耗散为引起击穿的主要原因。实际制作了沟槽栅-场截止型IGBT,采用优化的正面沟槽结构结合背面场截止薄片工艺,选择了合适的集电极-发射极间的饱和电流保证器件具有较低的导通压降的同时减少了焦耳热的产生,提升了芯片自身的抗短路能力(tsc>12μs),有利于沟槽栅IGBT应用的可靠性。

关键词：绝缘栅双极型晶体管短路耐量沟槽栅平面栅场截止

钼铜载体与铝合金外壳的无压纳米银胶低温烧结强度

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半导体技术 2025年第1期50卷 95-100页

作者：陈澄尹红波王成倪大海谢璐曾超林扬州海科电子科技有限公司江苏扬州225001

纳米银胶的烧结温度一般为250℃及以上,而在功率模块装配过程中,多温度梯度装配工艺要求纳米银胶的烧结温度不得超过217℃。使用800HT2V纳米银胶烧结钼铜载体与铝合金外壳,观察了不同烧结温度下纳米银胶装配后的微观形貌,测试了其装配... 详细信息

纳米银胶的烧结温度一般为250℃及以上,而在功率模块装配过程中,多温度梯度装配工艺要求纳米银胶的烧结温度不得超过217℃。使用800HT2V纳米银胶烧结钼铜载体与铝合金外壳,观察了不同烧结温度下纳米银胶装配后的微观形貌,测试了其装配后剪切强度、热导率的变化,并进行了温度冲击试验。测试结果表明,烧结样品剪切强度均符合标准要求,随着烧结温度的升高,纳米银胶热导率及剪切强度明显提升,且在最高温度200℃下烧结充分,并形成致密的烧结体。在温度冲击试验后烧结样品的剪切强度均有一定程度的下降,最高温度150℃和175℃烧结的纳米银胶烧结样品剪切强度下降超过40%,而最高温度200℃烧结的样品剪切强度只下降21.2%。考虑到功率模块的长期可靠性,纳米银胶推荐使用最高温度200℃烧结。

关键词：无压纳米银胶烧结钼铜载体铝合金外壳剪切强度热导率可靠性

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一种用于高性能FPGA的多功能I/O电路

半导体技术 2025年

作者：罗旸刘波曹正州谢达张艳飞单悦尔中国电子科技集团公司第58研究所航天新气象科技有限公司

为了满足等效系统门数为亿门级现场可编程门阵列（FPGA）的高速率、多功能数据传输需求，设计了一种用于高性能FPGA的多功能输入输出（I/O）电路，工作电压为0.95 V，单个I/O电路的最高数据传输速率为2 Gbit/s。通过在输入逻辑电路中设... 详细信息

为了满足等效系统门数为亿门级现场可编程门阵列（FPGA）的高速率、多功能数据传输需求，设计了一种用于高性能FPGA的多功能输入输出（I/O）电路，工作电压为0.95 V，单个I/O电路的最高数据传输速率为2 Gbit/s。通过在输入逻辑电路中设计同一边沿流水技术的双倍数据速率（DDR）电路，可以使数据不仅能在相同的时钟沿输出，而且能在同一个时钟周期输出。通过分级采样结合时钟分频和偏移技术，只需4个时钟即可完成8:1数据的转换。另外，该I/O还可以对数据输入输出的延时进行调节，使用粗调和细调相结合的方式，共提供512个延时抽头，并且延时的分辨率达到4 ps。仿真和实测结果表明，该支持多功能的I/O电路能为高性能FPGA提供灵活、多协议的高速数据传输功能。

关键词：现场可编程门阵列(FPGA) 输入输出(I/O) 多电平标准双倍数据速率串并转换器

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6A双通道降压型电源芯片系统架构设计

信息记录材料 2025年第1期 136-138页

作者：许一力杭州谱析光晶半导体科技有限公司

随着电子设备日益复杂，对高效能和高密度电源管理解决方案的需求也在不断增加。因此，如何设计出高效、可靠且具有良好电磁兼容性的电源管理芯片成为电子工程师面临的重要课题。本文从6A双通道降压型电源芯片相关概述出发，通过对6A双... 详细信息

随着电子设备日益复杂，对高效能和高密度电源管理解决方案的需求也在不断增加。因此，如何设计出高效、可靠且具有良好电磁兼容性的电源管理芯片成为电子工程师面临的重要课题。本文从6A双通道降压型电源芯片相关概述出发，通过对6A双通道降压型电源芯片中的外部接口系统、散热系统、脉宽调制(pulse-width modulation, PWM)控制系统、电路保护系统等进行设计，为未来的高效电源管理提供有力支持。

关键词： 6A双通道降压电源芯片

CFRP高速干切过程中铣削力及工件表面损伤的试验研究

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表面技术 2025年

作者：张韬邓刘云李英之黄孟琼薛喆孙方宏无锡职业技术学院机械技术学院张家港市微纳新材料科技有限公司上海交通大学机械与动力工程学院

目的研究适用于碳纤维增强树脂基复合材料（CFRP）铣削加工的极限切削速度，并探讨切削参数与切削力、CFRP加工表面质量之间的关系。方法基于正交试验，利用高速加工中心及自制的金刚石涂层立铣刀对T300CFRP板进行铣削试验研究，并采... 详细信息

目的研究适用于碳纤维增强树脂基复合材料（CFRP）铣削加工的极限切削速度，并探讨切削参数与切削力、CFRP加工表面质量之间的关系。方法基于正交试验，利用高速加工中心及自制的金刚石涂层立铣刀对T300CFRP板进行铣削试验研究，并采用KISTLER测力仪及PG1000显微镜监测切削力及工件表面质量。结果适度增加切削速度至300m/min和进给量至400-600mm/min，可有效减小切削力；通过极差分析可得出切削参数对主切削力影响程度为：径向切削深度＞轴向切削深度＞主轴转速>进给量。当切削力较小且辅以合理的加工参数时（如：切削速度300m/min；进给量800mm/min；轴向切深1.5mm；径向切深3mm），可有效避免CFRP工件表面产生毛刺、崩边等缺陷，并获得较高的材料去除率。结论切削速度范围在264-300 m/min时，有助于改善CFRP工件的表面质量。超过此切削速度会导致切削力增大，增加工件损伤的风险。

关键词：碳纤维增强树脂基复合材料金刚涂层刀具高速干切切削力毛刺

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交叉深沟槽硅外延的生长研究

固体电子学研究与进展 2022年第6期42卷 515-520页

作者：倪立华范晓王函张召李佳龙华虹半导体(无锡)有限公司江苏无锡214000

随着先进半导体器件需求的不断提升,深沟槽硅外延已逐渐代替传统离子注入工艺成为器件开发的新方向,由于受晶向的影响,硅外延生长质量存在极大差异。通过和两种晶向硅片在交叉深沟槽中的外延生长,采用SEM和TEM分析了硅外延生长形貌和质... 详细信息

随着先进半导体器件需求的不断提升,深沟槽硅外延已逐渐代替传统离子注入工艺成为器件开发的新方向,由于受晶向的影响,硅外延生长质量存在极大差异。通过和两种晶向硅片在交叉深沟槽中的外延生长,采用SEM和TEM分析了硅外延生长形貌和质量,运用TCAD模拟验证该结构下的外延生长机理,同时采用暗场扫描(DFI)和表面刻蚀方法检测硅片表面缺陷。结果表明硅晶向对交叉深沟槽外延的生长质量有重要影响,硅片在交叉区域外延形成的{110}面和{111}面多,容易产生位错缺陷,而硅片相比硅片转向了45°,外延中形成的{110}面和{111}面减少了一半,从而外延质量改善明显。

关键词：晶向交叉深沟槽硅外延晶格位错

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MPS快恢复二极管反向恢复时间的研究

电力电子技术 2013年第11期47卷 73-75页

作者：陈天杨晓鸾季顺黄无锡凤凰半导体科技有限公司江苏无锡214000

基于现代电力电子技术的发展要求,与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管应具有低的正向导通损耗与超快超软的恢复特性。论述了MPS快恢复二极管的反向恢复原理,利用TCAD仿真软件对快恢复二极管的反向恢复时间参数进行了仿... 详细信息

基于现代电力电子技术的发展要求,与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管应具有低的正向导通损耗与超快超软的恢复特性。论述了MPS快恢复二极管的反向恢复原理,利用TCAD仿真软件对快恢复二极管的反向恢复时间参数进行了仿真设计。实验在外延硅片上利用外延层与村底过渡区域的高浓度梯度特性结合电子辐照技术,制作出了反向恢复时间为45 ns的外延功率快速软恢复二极管;同时,通过在硅片背面引入深层的n型掺杂缓冲层,在单晶硅片上制作出了具有较短反向恢复时间(55 ns)和良好软度因子的单晶功率快速软恢复二极管。

关键词：快恢复二极管反向恢复时间缓冲层