1200V沟槽栅/平面栅场截止型IGBT短路耐量特性研究

作     者：陈天 杨晓鸾 季顺黄 CHEN Tian;YANG Xiaoluan;JI Shunhuang

作者机构：无锡凤凰半导体科技有限公司江苏无锡214000 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2014年第34卷第2期

页      面：111-119页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家工信部新型电力电子器件研发及产业化资助项目(2010) 

主　　题：绝缘栅双极型晶体管 短路耐量 沟槽栅 平面栅 场截止 

摘      要：研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身的结构与工艺两方面对具有沟槽栅及平面栅结构的场截止型IGBT进行了探究,其中热耗散为引起击穿的主要原因。实际制作了沟槽栅-场截止型IGBT,采用优化的正面沟槽结构结合背面场截止薄片工艺,选择了合适的集电极-发射极间的饱和电流保证器件具有较低的导通压降的同时减少了焦耳热的产生,提升了芯片自身的抗短路能力(tsc12μs),有利于沟槽栅IGBT应用的可靠性。