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阶梯型弯曲振动聚能器的设计
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压电与声光 2001年 第6期23卷 443-444页
作者： 韩庆邦 孙建 常州师范专科学校物理教研室 常州213004 西安邮电学院计算机系 西安710061
在考虑转动惯性及剪切形变的影响下 ,研究出了一种简单并近似有效的阶梯型弯曲振动聚能器的设计方法 ,能很好地满足工程上的需要 ,并以纯弯曲理论对其放大倍数进行了分析。
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理想气体在绝热膨胀时温度降低的微观解释
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大学物理 1996年 第1期15卷 20-21页
作者： 迟恩武 杨来福 营口大学物理教研室 营口师范专科学校物理系
理想气体在绝热压缩时温度升高，在绝热膨胀时温度降低，这是能量守恒的结果．本文从气体分子运动论的观点，提出了理想气体在绝热膨胀时温度降低的微观解释．
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(2+1)维Camassa-Holm方程的相似约化与解析解
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物理学报 2002年 第11期51卷 2426-2430页
作者： 郑春龙 张解放 丽水师范专科学校物理系 丽水323000 浙江师范大学非线性物理研究室 金华321004
将Clarkson和Krushal引入的直接约化方法推广并应用到 (2 +1)维Camassa Holm方程组 ,获得了该方程的若干相似约化和解析解 ,其中包括Logistic方程和Bernoulli方程 .约化结果得到了Peakon解、Cuspon解和关于时间t的奇异解 .
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复合全息透镜用作单色器
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光学学报 1987年 第1期7卷 55-61+98页
作者： 姜亚光 黄佩倩 曹国荣 苏州大学激光研究室 镇江师范专科学校物理系
本文提出了用一个双复合重铬酸明胶全息透镜作单色器,计算并测量了此全息透镜的光谱半宽度,实验结果表明此新型单色器的可行性。
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FINEMET非晶合金激波晶化中Cu和Nb作用的失效
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金属学报 2000年 第2期36卷 120-122页
作者： 刘佐权 张远第 周效锋 刘贤 阚家德 吕毓松 云南大学物理系 昆明650091 曲靖高等师范专科学校物理系 曲靖655000
应用ＸＲＤ， ＤＳＣ及ＴＥＭ等技术，将ＦＩＮＥＭＥＴ非晶合金的激波晶化与退火晶化及不含Ｃｕ，Ｎｂ的Ｆｅ－Ｂ－Ｓｉ和Ｆｅ－Ｍｏ－Ｂ－Ｓｉ合金的激波晶化作了对比研究结果表明，该合金的激波晶化除了具有极高的转变速率和相当完... 详细信息
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三维显示技术
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物理 1989年 第4期18卷 216-220页
作者： 王本 沈树群 常默君 陶蕙英 北京邮电学院应用物理系 廊坊师范专科学校物理教研室
本文简要叙述了三维显示的基本原理和特性．概述了体视对显示技术、自体视显示技术、空间加载显示技术和全息显示技术的原理和方法．介绍了目前在电影、电视、图象等领域已经实用的三维显示技术．描绘了三维显示技术和计算机技术相结合... 详细信息
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从进化论的演变方式看科学认识的发展模式
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理论探讨 1992年 第5期 97-100页
作者： 周秀芹 刘潜 中共哈尔滨市委党校哲学教研室 哈尔滨师范专科学校科研科
西方科学哲学在科学发展模式的理论探索方面做过不少工作。但是,由于他们多数陷于物理、化学、天文等无机领域,极少涉足有机界,因而得出的认识和结论常常带有明显的缺欠或局限性。在研究这一问题时,本文作者惊异地发现,生物进化论的演... 详细信息
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MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性
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物理学报 1995年 第2期44卷 292-298页
作者： 方庆清 方瑞宜 张胜 戴道生 安徽省六安师范专科学校 北京大学物理系 北京100871
报道了采用真空蒸镀的方法制备的MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性.Mn:Bi:Dy(Sm)的投料比为2:1:0.10.薄膜经过退出处理(350—425℃,保温4h)后,具有NiAs型hcp结构,C轴垂直膜面,剩余磁感应强度B=3.4-6.5kG,内禀矫顽力_MH_c≈3-8kOe,最大磁能... 详细信息
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科学技术含义的几个认识
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科学技术与辩证法 1991年 第4期8卷 24-27页
作者： 戴五三 邓明立 山东淄博师范专科学校物理系 河北师范学院马列教研室
科学技术是一种社会历史现象。随着时代的进步,科学和技术的关系日益密切,原有的一些界限变得模糊,出现了科学的技术化和技术的科学化趋势,但两者又不相等同,它们有着各自的研究内容和本质属性。本文分别对科学、技术的含义从狭义、广... 详细信息
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面内磁场和直流偏磁场共同作用下第Ⅱ类哑铃畴的稳定性
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南开大学学报（自然科学版） 1998年 第3期31卷 50-54页
作者： 唐贵德 孙会元 聂向富 王洪信 赵白 河北师范大学物理系 石家庄050016 沧州师范专科学校物理系 沧州061001 郑州水利学校物理教研室 郑州450008
实验研究了面内磁场Hip对处于直流偏磁场Hb作用下的第Ⅱ类哑铃畴（ⅡD）的稳定性的影响．发现当Hb小于阈值（Hb）tb时，使ⅡD向其它种类硬磁畴或软泡转变的临界面内磁场不随Hb而改变；当Hb大于（Hb）th时，临界面内磁场开始下降．
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