面内磁场和直流偏磁场共同作用下第Ⅱ类哑铃畴的稳定性
STABILITY OF THE SECOND KIND OF DUMBBELL DOMAINS SUBJECTED TO BOTH STATIC BIAS FIELD AND IN-PLANE FIELD作者机构：河北师范大学物理系石家庄050016 沧州师范专科学校物理系沧州061001 郑州水利学校物理教研室郑州450008
出 版 物：《南开大学学报（自然科学版）》 (Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Nankaiensis)
年 卷 期：1998年第31卷第3期
页 面：50-54页
核心收录：
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：实验研究了面内磁场Hip对处于直流偏磁场Hb作用下的第Ⅱ类哑铃畴（ⅡD）的稳定性的影响．发现当Hb小于阈值（Hb）tb时，使ⅡD向其它种类硬磁畴或软泡转变的临界面内磁场不随Hb而改变；当Hb大于（Hb）th时，临界面内磁场开始下降．
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