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硬磁畴稳定性与垂直布洛赫线间静磁相互作用的关系

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应用科学学报 1998年第3期16卷 291-299页

作者：唐贵德刘英孙会元聂向富李伯臧河北师范大学中国科学院物理研究所和凝聚态物理研究中心

研究石榴石磁泡膜在直流偏磁场作用下布洛赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响．一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系；另一方面通过引入相邻布洛赫线间的静磁作用能，改进了圆柱形硬磁畴的畴壁... 详细信息

研究石榴石磁泡膜在直流偏磁场作用下布洛赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响．一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系；另一方面通过引入相邻布洛赫线间的静磁作用能，改进了圆柱形硬磁畴的畴壁能公式，从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释，并在此基础上提出了估算硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线数目的方法．最后还应用经该文改进了的畴壁能公式定性地解释了部分硬磁畴种类随温度而变化的现象．

关键词：磁泡布洛赫线硬磁畴稳定性静磁相互作用 ID

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三类硬磁畴的形成及静态特性

物理学报 1990年第2期39卷 296-301页

作者：聂向富唐贵德牛秀德韩宝善河北师范大学物理系石家庄050016 上海交通大学物理系上海200030 中国科学院物理研究所北京100080

本文提出畴壁中含有大量VBL的石榴石磁泡材料的三类硬磁畴的分类标准,描述了它们的形成方法和静态特性,并示出典型照片。从形成条件可以合理地推论,畴壁中VBL数目的增加导致硬磁畴静态特性的质的变化。

关键词：磁泡材料硬磁畴静态特性

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直流偏磁场对三类硬磁畴畴壁长度的影响

南开大学学报（自然科学版） 1999年第2期32卷 67-69页

作者：唐贵德赵白李燕张民潘成福孙会元聂向富河北师范大学物理系

在不同的直流偏磁场Ｈｂ下，测量了石榴石磁泡膜中三类硬磁畴长度（Ｌ）、宽度（Ｗ）和泡径（ｄ）．从而得到Ｌ、Ｗ和ｄ随Ｈｂ变化的曲线．结果表明，三类硬磁畴的畴壁长度都随Ｈｂ的增加而缩短．

关键词：磁泡膜硬磁畴直流偏磁场畴壁长度

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磁泡材料中硬磁畴与物性的关系

河北师范大学学报（自然科学版） 2012年第2期36卷 147-150页

作者：赵淑梅蔡丽景唐山师范学院物理系河北唐山063000 中国联合网络通信有限公司河北省分公司信息化部河北石家庄050016

利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软... 详细信息

利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软的第1类哑铃畴(ID),而较软的第1类哑铃畴(ID)又可以随着温度的升高转变为较软的第2类哑铃畴(IID);为3类硬磁畴畴壁结构的一致性提供了直接证据.此外,VBL的这些温度特性反映出BLM方案的不足.

关键词：磁畴哑铃畴垂直布洛赫线磁泡硬磁畴

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石榴石磁泡膜中3类硬磁畴的形成方法

物理实验 2004年第5期24卷 13-16页

作者：郭革新徐建萍何文辰河北工业大学理学院天津300130 河北师范大学物理学院河北石家庄050016

研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助 .3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定性的前提 .本文综述了在石榴石磁泡膜上形成硬磁畴的 2类方法———“脉冲偏场法”和“低直流偏场法” .... 详细信息

研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助 .3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定性的前提 .本文综述了在石榴石磁泡膜上形成硬磁畴的 2类方法———“脉冲偏场法”和“低直流偏场法” .结合文献中的典型样品 ,对用“脉冲偏场法”和“低直流偏场法”形成 3类硬磁畴的过程进行了简单介绍 .

关键词：硬磁畴石榴石磁泡膜枝状畴脉冲偏场直流偏场

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对石榴石磁泡薄膜中硬磁畴特性的研究

对石榴石磁泡薄膜中硬磁畴特性的研究

作者：胡云志河北师范大学

学位级别：硕士

本文从低直流偏场法出发，实验研究了石榴石磁泡薄膜样品中的硬磁畴的动态特性和温度特性以及产生正、负垂直布洛赫线(VBL)的条件。首先，对能收缩为硬磁畴的分形畴的动态特性进行了实验研究，得到了与系列脉冲法不同的规律：用系... 详细信息

本文从低直流偏场法出发，实验研究了石榴石磁泡薄膜样品中的硬磁畴的动态特性和温度特性以及产生正、负垂直布洛赫线(VBL)的条件。首先，对能收缩为硬磁畴的分形畴的动态特性进行了实验研究，得到了与系列脉冲法不同的规律：用系列脉冲法产生的硬磁畴在直流偏场H升至H′时，加旋转脉冲，硬磁畴就会象风车一样转动起来，其旋转方向随硬化脉冲宽度τ的增加，从全是逆时针旋转经逆时针旋转、顺时针旋转都有的混合区域到全是顺时针旋转，硬化脉冲幅度(H)和硬化脉冲次数(n)对旋转方向没有影响;而用低直流偏场法产生的分形畴在直流偏场H升至H′时，加旋转脉冲，其旋转方向随直流偏场H的增加，从全是逆时针旋转经逆时针旋转、顺时针旋转都有的混合区域到全是顺时针旋转，其旋转方向与硬化脉冲宽度τ、硬化脉冲幅度(H)和硬化脉冲次数(n)无关。我们认为：分形畴之所以会出现上述现象，是由于畴壁中的VBL的特性引起的。通过分析、对比固定直流偏场下的系列脉冲偏场法和低直流偏场法形成的硬磁畴的转动行为，认为脉冲偏场的下降沿对应负VBL的形成，上升沿对应正VBL的形成，并指出了它们的形成规律。其次，我们实验研究了石榴石磁泡薄膜中第二类哑铃畴的温度特性，具体测量了在不同直流偏场下产生能收缩为IID的分形畴中垂直布洛赫线消失的阈值温度T和临界温度T(非压缩状态)，发现在直流偏场H等于某一值时，IID的阈值温度T和临界温度T发生改变。河北师范大学硕士研究生毕业论文我们还仔细观察了高温状态分形畴的畴形并与室温时的畴形进行了对比，发现高温时的畴形与室温时的畴形基本一致，而且在某一温度以上时产生分枝很多的分形畴全是SB，不含VBL，因此，我们认为用分形理论分析磁畴的硬度是不合理的。最后，在上面实验的基础上，我们测量并统计了零偏场时不同温度下产生的分形畴的缩灭场的分布范围以及四类磁畴所占几率和不同温度下产生的分形畴降至室温时的缩灭场的分布范围以及四类磁畴所占几率，通过对比、分析得出随着产生分形畴的温度的升高，其中所含VBL越来越少的结论，因此实验观察到有IID、ID、OHB、SB的相继产生，并且最终只有SB。

关键词：分形畴硬磁畴垂直布洛赫线

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硬磁畴动态特性的进一步研究

河北师范大学学报（自然科学版） 2004年第6期28卷 586-589页

作者：贾莲芝顾建军封顺珍孙会元河北师范大学物理学院河北石家庄050016 承德民族师范高等专科学校河北承德067000

实验研究了直流偏场为0时形成的枝状畴的一些动态特性,发现由这些枝状畴形成的硬磁畴均顺时针转动,通过与固定直流偏场下形成的硬磁畴的转动状态的比较,首次证明脉冲偏场上升沿和下降沿对形成的VBL所起的作用是不同的.

关键词：硬磁畴直流偏场转动上升证明 VBL 状态首次实验研究固定

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软畴段的分界面内场与硬磁畴临界面内场关系

承德石油高等专科学校学报 2007年第4期9卷 42-44页

作者：顾建军李春光孙会元河北省承德民族师范高等专科学校河北承德067000 河北师范大学物理科学与信息工程学院河北石家庄050016

研究了软畴段的分界面内场与三类硬磁畴临界面内场的关系。实验发现,在相同温度下,软畴段的分界面内场与硬磁畴的起始软化面内场是相等的。此外,我们还把硬磁畴的起始软化面内场随温度变化的关系曲线与材料的饱和磁化强度随温度变化的... 详细信息

研究了软畴段的分界面内场与三类硬磁畴临界面内场的关系。实验发现,在相同温度下,软畴段的分界面内场与硬磁畴的起始软化面内场是相等的。此外,我们还把硬磁畴的起始软化面内场随温度变化的关系曲线与材料的饱和磁化强度随温度变化的关系曲线进行了比较,得出了一些新的结论。

关键词：垂直布洛赫线软畴段硬磁畴面内场

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3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性

河北师范大学学报（自然科学版） 2003年第4期27卷 357-359页

作者：郭革新马丽梅唐贵德孙会元聂向富河北师范大学物理学院

研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界... 详细信息

研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界温度是相同的 ,而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的 .在临界温度范围内 ,3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的。

关键词：硬磁畴普通硬磁泡哑铃畴畴壁垂直布洛赫线温度稳定性临界温度