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MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性

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红外与毫米波学报 1994年第1期13卷 33-36页

作者：程兴奎黄柏标徐现刚刘士文任红文蒋民华山东大学光电材料与器件研究所山东大学晶体材料研究所

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为... 详细信息

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致．

关键词：多量子阱子带红外辐射外延生长

GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收

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红外与毫米波学报 1997年第5期16卷 339-343页

作者：程兴奎黄柏标徐现刚刘士文任红文蒋民华山东大学光电材料与器件研究所山东大学晶体材料研究所

在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ－１处的几个吸收峰．认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收峰位置与实验结果很一致．

关键词：多量子阱结构电子干涉红外吸收砷化镓铝镓砷

基于多光谱和高光谱的茶树越冬期REC、SPAD和MDA预测模型

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光谱学与光谱分析 2025年第1期45卷 256-263页

作者：徐阳毛艺霖李赫王玉王双双钱文俊丁兆堂范凯青岛农业大学茶叶研究所山东青岛266109 山东省农业科学院茶叶研究所山东济南250100

抗寒生理指标的测定是评价茶树抗寒性的重要途径。传统上,茶树抗寒性的评价方法主要是通过测定茶树在低温胁迫下的理化参数。然而,这些方法不仅费时费力,而且具有破坏性。该研究建立了一种基于多光谱和高光谱成像技术的茶树抗寒性REC、S... 详细信息

抗寒生理指标的测定是评价茶树抗寒性的重要途径。传统上,茶树抗寒性的评价方法主要是通过测定茶树在低温胁迫下的理化参数。然而,这些方法不仅费时费力,而且具有破坏性。该研究建立了一种基于多光谱和高光谱成像技术的茶树抗寒性REC、SPAD、MDA预测模型。首先,采集了低温胁迫下32份育种材料的多光谱与高光谱图像,并测定相应茶树叶片的REC、SPAD、MDA、SP和SS含量。其次,对其中的高光谱图像数据采用MSC、SNV、S-G、1-D和2-D五种方法进行光谱预处理,采用UVE和SPA两种方法筛选特征波段。最后,分别对多光谱和高光谱数据采用SVM、RF和PLS算法建立茶树抗寒性REC、SPAD、MDA预测模型。结果表明,(1)MSC、SNV、S-G、1-D和2-D联合预处理后的光谱更加稳定,峰谷更加突出,模型的准确性和可靠性更高;(2)UVE算法筛选的特征波段数量最多,而SPA算法筛选的特征波段数量最少,更适合高光谱数据建立回归模型;(3)RF模型在多光谱成像预测叶片的REC(R_(p)=0.7352,RMSEP=0.0771)、SPAD(R_(p)=0.5029,RMSEP=6.6818)和MDA含量(R_(p)=0.7846,RMSEP=8.8853)方面具有最高的精度;SPA-SVM模型在高光谱成像预测叶片的SPAD(R_(p)=0.7349,RMSEP=4.1546)和MDA(R_(p)=0.6858,RMSEP=8.5488)方面具有最高的精度,SPA-PLS模型在预测REC(R_(p)=0.6298,RMSEP=0.0669)方面具有最高的精度。因此,基于多光谱、高光谱成像和机器学习算法的REC、SPAD、MDA预测模型提供了一种准确、无损和高效的方法,对茶树抗寒性评价具有重要意义。

关键词：茶树多光谱成像高光谱成像机器学习无损检测抗寒性

双轴应变对NbSe_(2)/MoSi_(2)N_(4)肖特基势垒的调控

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原子与分子物理学报 2025年第5期42卷 182-188页

作者：张宇哲安梦雅谢泉贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所贵阳550025

最近一种高质量的二维(Two-dimensional,2D)半导体材料MoSi_(2)N_(4)(MSN)在实验上被成功合成,具有优异的电气和机械性能.尽管最近有大量的研究致力于揭示MSN的材料特性,但到目前为止,对MSN的电接触物理特性的探索还比较少.在这项工作中... 详细信息

最近一种高质量的二维(Two-dimensional,2D)半导体材料MoSi_(2)N_(4)(MSN)在实验上被成功合成,具有优异的电气和机械性能.尽管最近有大量的研究致力于揭示MSN的材料特性,但到目前为止,对MSN的电接触物理特性的探索还比较少.在这项工作中,构建了金属-半导体NbSe_(2)/MSN肖特基结并使用第一性原理密度泛函理论计算研究了该肖特基结的材料特性.发现NbSe_(2)/MSN接触具有超低肖特基势垒高度(Schottky barrier height,SBH),这有利于纳米电子学应用.SBH可以通过施加双轴应变的方式进行有效的调控.当施加拉伸应变时能实现NbSe_(2)/MSN肖特基结由p型肖特基接触转变为p型欧姆接触,而当施加较大的压缩应变时能实现p型肖特基接触和n型肖特基接触之间的转换.我们的研究结果为MSN的2D电触点的物理特性提供了见解,并将为设计基于MSN的2D纳米器件的高性能电触点提供关键的一步.

关键词： MoSi_(2)N_(4) NbSe_(2) 肖特基结欧姆接触

偏压磁控溅射法在水冷柔性衬底上制备ITO透明导电膜

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物理学报 2000年第6期49卷 1196-1201页

作者：杨志伟韩圣浩杨田林赵俊卿马瑾马洪磊程传福山东大学光电材料与器件研究所济南250100 山东师范大学物理系济南250014

通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底轰击 ,从而用射频磁控溅射法在水冷透明绦纶聚脂胶片上制备出相对透过率为 80 %左右、最小电阻率为 6 3× 10 -4 Ωcm、附着良好的ITO(IndiumTinOxide)透明导电膜 .SnO2 最佳掺杂浓度... 详细信息

通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底轰击 ,从而用射频磁控溅射法在水冷透明绦纶聚脂胶片上制备出相对透过率为 80 %左右、最小电阻率为 6 3× 10 -4 Ωcm、附着良好的ITO(IndiumTinOxide)透明导电膜 .SnO2 最佳掺杂浓度为 7 5 %— 10 % (w .t.) ,最佳氩分压为 0 5— 1Pa.当衬底负偏压为 2 0— 40V时 ,晶粒平均尺寸最大 ,制备出的薄膜的电阻率有最小值 .薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的c轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随衬底负偏压的增大 ,沿 [4 0 0 ]方向生长的晶相减少 .最佳衬底负偏压取值范围为 2 0— 40V .

关键词：偏压磁控溅射法水冷柔性衬底 ITO透明导电膜

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柔性衬底ITO导电膜的低温制备及特性研究

半导体光电 2000年第1期21卷 46-49页

作者：马瑾赵俊卿叶丽娜田茂华马洪磊山东大学光电材料与器件研究所济南250100

用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ITO透明导电薄膜 ,对薄膜的低温制备 (80～ 2 4 0℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备的薄膜为多晶膜 ,具有纯三氧化二铟的立方铁锰矿结构 ,最佳取向为 (111)方向。薄膜在可见光区的最低电... 详细信息

用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ITO透明导电薄膜 ,对薄膜的低温制备 (80～ 2 4 0℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备的薄膜为多晶膜 ,具有纯三氧化二铟的立方铁锰矿结构 ,最佳取向为 (111)方向。薄膜在可见光区的最低电阻率为 6 .6 3× 10 - 4Ω·cm ,透过率达到 82 %。

关键词：柔性衬底透明导电膜 ITO薄膜低温制备

GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉

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红外与毫米波学报 2001年第4期20卷 318-320页

作者：程兴奎马洪磊周均铭黄绮山东大学光电材料与器件研究所山东济南250100 中国科学院物理研究所北京100080

在 77K温度 ,测量了 Ga As/ Al Ga As多量子阱结构的光电流 ,观测到在ν=15 89cm- 1 ,即λ=6 .2 9μm附近存在一个强电流峰 ,分析认为 ,该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关 .

关键词：多量子阱结构光电流电子干涉

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超晶格结构中电子的波动性

物理学报 2001年第3期50卷 536-539页

作者：程兴奎周均铭黄绮山东大学光电材料与器件研究所济南250100 中国科学院物理研究所北京100080

在温度T =77K ,测量了GaAs/AlGaAs超晶格的光电流 ,观测到在ν =15 89cm-1有一个强电流峰 ,而在ν =1779,2 12 9和 2 40 1cm-1附近存在弱电流峰 .分析认为 ,这些电流峰与电子的波动性有关 .

关键词：超晶格电子波动性 GaAs/AlGaAs 砷化镓

Ⅱ-Ⅵ族化合物(Hg_(1-x)Cd_xTe)非晶薄膜的半导体性质

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Journal of Semiconductors 1990年第7期11卷 527-532页

作者：曹宝成刘明戴国才山东大学光电材料和器件研究所

本文对用蒸发法制备的非晶和多晶碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)薄膜的结构特性及其光学和电学性质进行了研究。在800—2600nm的波长范围内测量了样品的透过率,得到了非晶和多晶状态相应的光学隙分别为1eV以上和0.65eV左右。对非晶样品的退火... 详细信息

本文对用蒸发法制备的非晶和多晶碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)薄膜的结构特性及其光学和电学性质进行了研究。在800—2600nm的波长范围内测量了样品的透过率,得到了非晶和多晶状态相应的光学隙分别为1eV以上和0.65eV左右。对非晶样品的退火实验发现,在90—100℃区间退火使非晶样品的结构转变为多晶,同时电阻率突然变小约5个数量级和光学隙由1eV以上突变为0.62eV左右。在20—300K的温度范围内,分别测量了非晶与多晶样品的电阻率,所得结果可用现代非晶半导体理论进行解释。

关键词： HgCdTe 非晶薄膜光电性质