MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性
INTERSUBBAND INFRARED ABSORPTION IN GaAs/AlGaAs MULTIQUANTUM WELL GROWN BY MOCVD作者机构：山东大学光电材料与器件研究所 山东大学晶体材料研究所
出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)
年 卷 期：1994年第13卷第1期
页 面：33-36页
核心收录：
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致．
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