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阶梯电压下量子环的动力学性质

物理学报 2010年第1期59卷 555-559页

作者：郭延江熊永建宁波重点纳米实验室、宁波大学物理系宁波315211

利用非平衡格林函数方法,研究了一维量子环的动力学特性.量子环中通过恒定的磁通,并通过单根导线与电子库连接.考虑瞬时改变库的势(阶梯电压),导线与环间有含时的隧穿电流.提出一种数值方法计算有阶梯电压体系的电导,结果说明遂穿电流... 详细信息

利用非平衡格林函数方法,研究了一维量子环的动力学特性.量子环中通过恒定的磁通,并通过单根导线与电子库连接.考虑瞬时改变库的势(阶梯电压),导线与环间有含时的隧穿电流.提出一种数值方法计算有阶梯电压体系的电导,结果说明遂穿电流特性能够反映量子环中电子能谱结构.

关键词：量子环遂穿电流电子能谱

P-block基金属原子在TiO_(2)(110)表面的吸附及扩散性质研究

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原子与分子物理学报 2025年第6期42卷 17-21页

作者：丁雅妮郭梦雨王博涵贾晨怡王美娟史金磊郑州师范学院物理与电子工程学院郑州市低维纳米材料重点实验室郑州450044

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们系统研究了p-block金属原子(Sn,Sb,Bi和Te)在TiO_(2)(110)表面上的吸附及扩散行为.计算结果表明Sn,Sb及Bi金属原子在TiO_(2)(110)表面上具有较大的吸附能和较高的扩散势垒,倾向于形成分散的p-... 详细信息

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们系统研究了p-block金属原子(Sn,Sb,Bi和Te)在TiO_(2)(110)表面上的吸附及扩散行为.计算结果表明Sn,Sb及Bi金属原子在TiO_(2)(110)表面上具有较大的吸附能和较高的扩散势垒,倾向于形成分散的p-block单原子,然而对于Te金属原子,由于其与衬底结合能相对较弱且扩散势垒较低而更倾向于形成团簇,该研究结果有助于为实验上构建基于p-block的金属单原子催化剂提供理论依据.

关键词： p-block单原子催化剂吸附及扩散势垒第一性原理计算

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用推广的李群约化法求解非线性薛定谔方程

物理学报 2005年第3期54卷 996-1001页

作者：阮航宇李慧军宁波大学物理系宁波315211

用推广的经典李群约化法 ,得到了色散系数、非线性系数、补偿 (或损失 )系数为时、空变量函数时的非线性薛定谔方程的精确解 .深入研究了非线性薛定谔模型的一般孤波解与线性调频孤波解在光纤通讯与光纤放大器中的潜在应用 .

关键词：约化李群非线性薛定谔方程孤波解精确解系数求解线性调频光纤放大器光纤通讯

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浅水体系中的多孤立波

物理学报 2002年第5期51卷 955-960页

作者：陈黎丽陈伟中宁波大学物理系宁波315211 南京大学近代声学国家重点实验室南京210093

形式分离变量法被推广应用于寻求不可积模型的多孤立波解 .特别地 ,应用形式分离变量法于三个描述浅水体系的非线性方程 :推广Whitham Broer Kaup(WBK)方程、2 +1维耦合KortewegdeVries(KdV)方程和 1+1维耦合KdV方程。

关键词：浅水体系多孤立波形式分离变量法不可积模型水动力学

2+1维Nizhnik-Novikov-Veselov方程中孤子相互作用的探索

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物理学报 2003年第6期52卷 1313-1318页

作者：阮航宇陈一新宁波大学物理系宁波315211 浙江大学近代物理中心杭州310027

利用分离变量法得到了 2 + 1维Nizhnik Novikov Veselov方程包含三个任意函数的精确解 .合适地选择任意函数 ,该精确解可以是描述所有方向指数局域的dromion相互作用 ,三个方向指数局域的‘Solitoff’和dromion相互作用以及线孤子和y周... 详细信息

利用分离变量法得到了 2 + 1维Nizhnik Novikov Veselov方程包含三个任意函数的精确解 .合适地选择任意函数 ,该精确解可以是描述所有方向指数局域的dromion相互作用 ,三个方向指数局域的‘Solitoff’和dromion相互作用以及线孤子和y周期孤子相互作用的解 .对dromion相互作用从解析和几何两个角度进行了详细地探讨。

关键词：分离变量法 2+1维Nizhnik-Novikov-Veselov方程孤子相互作用 dromion相互作用高维可积模型

Ce^3+/Yb^3+共掺LiLuF4单晶的紫外和近红外发光研究

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无机材料学报 2020年第5期35卷 556-560页

作者：周雄方立志黄双武夏海平胡建旭章践立陈宝玖宁波大学光电子功能材料重点实验室宁波315211 大连海事大学物理系大连116026

采用改进的坩埚下降法成功生长了Ce^3+/Yb^3+离子双掺杂LiLuF4单晶, Ce^3+的初始离子掺杂浓度为0.1mol%,Yb^3+离子浓度从0变化到2.0mol%。在波长291 nm激发时观察到Yb^3+在1020 nm(2F5/2→2F7/2)附近的强近红外发射以及Ce^3+在300~350 n... 详细信息

采用改进的坩埚下降法成功生长了Ce^3+/Yb^3+离子双掺杂LiLuF4单晶, Ce^3+的初始离子掺杂浓度为0.1mol%,Yb^3+离子浓度从0变化到2.0mol%。在波长291 nm激发时观察到Yb^3+在1020 nm(2F5/2→2F7/2)附近的强近红外发射以及Ce^3+在300~350 nm(5d→4f)的紫外发射。通过吸收光谱、荧光光谱研究了Yb^3+离子掺杂浓度对Ce^3+/Yb^3+共掺杂LiLuF4单晶光谱性质的影响及Ce^3+到Yb^3+离子的能量转移机理。通过变温光谱的研究发现,当环境温度从298 K增加到443K时,其荧光发射强度不断降低。Ce^3+/Yb^3+共掺杂LiLuF4单晶发光波长主要位于紫外和近红外,这种独特的发光属性可望用于防伪技术和公共安全事务中。

关键词： Ce^3+/Yb^3+ 紫外和近红外发射 LiLuF4单晶能量转移

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五边形石墨烯氧气吸附与解离特性研究

原子与分子物理学报 2025年第4期42卷 40-44页

作者：吴旌贺丁雅妮郭梦雨陈卫光史金磊河南财政金融学院创新创业学院郑州450046 郑州师范学院物理与电子工程学院郑州市低维纳米材料重点实验室郑州450044

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了O_(2)在五边形石墨烯(PG)上的吸附与解离动力学行为.研究结果表明,PG并不能有效地激发O_(2),形成稳定的氧吸附结构需要克服约0.54 eV势垒,并且吸附的O_(2)分解需要克服约0.82 eV势垒.然而,O... 详细信息

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了O_(2)在五边形石墨烯(PG)上的吸附与解离动力学行为.研究结果表明,PG并不能有效地激发O_(2),形成稳定的氧吸附结构需要克服约0.54 eV势垒,并且吸附的O_(2)分解需要克服约0.82 eV势垒.然而,O_(2)分解后的PG衬底结构却能使后续吸附的O_(2)分子自动分解,破坏C-C键,以致PG在空气中难以稳定存在.基于此,为了避免PG结构在空气中被氧化,我们进一步提出将过渡金属原子吸附PG,使得O_(2)更容易被过渡金属原子吸附与激发,从而避免了PG被氧化.

关键词：五边形石墨烯 O_(2)吸附与解离第一性原理计算

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五边形石墨烯双层电子性能及磁性调控的第一性原理研究

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原子与分子物理学报 2025年第5期42卷 67-71页

作者：吴旌贺丁雅妮郭梦雨陈卫光王美娟史金磊河南财政金融学院创新创业学院郑州450046 郑州师范学院物理与电子工程学院郑州市低维纳米材料重点实验室郑州450044

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们研究了五边形石墨烯双层结构表面氢氟化对其电子结构及磁性的调控.计算结果表明,氢氟化的五边形石墨烯双层可以在价带顶和导带底出现自旋极化态,从而诱导出磁性且有效降低带隙.基于这一特性,... 详细信息

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们研究了五边形石墨烯双层结构表面氢氟化对其电子结构及磁性的调控.计算结果表明,氢氟化的五边形石墨烯双层可以在价带顶和导带底出现自旋极化态,从而诱导出磁性且有效降低带隙.基于这一特性,我们进一步发现通过调控氢氟化覆盖度能够有效调节体系带隙及磁矩,并且随着覆盖度增加实现了五边形石墨烯双层从半导体-金属-半导体的转变.

关键词：五边形石墨烯双层电子结构和磁性调控第一性原理计算

Pr3+掺杂Na5Lu9F32单晶发光性能的优化（英文）

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光子学报 2019年第5期48卷 16-23页

作者：赵志伟周雄夏海平胡建旭章践立陈宝玖宁波大学光电子功能材料重点实验室浙江宁波315211 大连海事大学物理系辽宁大连116026

应用坩埚下降法生长了Pr^3+离子掺杂的Na5Lu9F32单晶体.系统地研究了Pr^3+掺杂的Na5Lu9F32单晶的吸收光谱、荧光光谱和荧光衰减曲线.应用Judd-Ofelt理论分析计算了其光学强度等参数,结果表明Pr^3+离子处于Pr-F强共价键的高对称环境中.在... 详细信息

应用坩埚下降法生长了Pr^3+离子掺杂的Na5Lu9F32单晶体.系统地研究了Pr^3+掺杂的Na5Lu9F32单晶的吸收光谱、荧光光谱和荧光衰减曲线.应用Judd-Ofelt理论分析计算了其光学强度等参数,结果表明Pr^3+离子处于Pr-F强共价键的高对称环境中.在440nm光的激发下观察到以482、523和605nm为中心的尖锐的强荧光发射带.研究了Pr^3+掺杂浓度对上述发光强度的影响规律,实验发现当Pr^3+掺杂浓度达到~0.5mol%时,其荧光发射强度达到最大.分析了环境温度从298K到443K变化时对荧光强度的影响,随着温度的增加,荧光强度逐步变弱,且其523nm的绿光受温度影响要小于482nm的蓝光和605nm的红光.

关键词：光学材料 Na5Lu9F32单晶体变温能量传递光学性能