检索结果-南通市图书馆

物理学报 2010年第11期59卷 7974-7978页

作者：张大成申艳艳黄元杰王卓刘昌龙天津大学理学院物理系天津300072 天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室天津300072

理论上提出了利用离散电子态来计算绝缘体中金属纳米颗粒Fermi能级的方法,给出了金属纳米颗粒的能级结构,并得到了依据金属纳米颗粒等离子体共振峰计算金属纳米颗粒尺寸的新公式.该理论可解释相关现象,通过实验初步验证了该理论的正确性.

关键词：离子注入金属纳米颗粒绝缘体 Fermi能级

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固态锂金属电池正极/电解质界面研究进展

电源技术 2024年第8期48卷 1420-1431页

作者：王冠华张宇航刘峰李德平吴禹翰沈阳工业大学环境与化学工程学院辽宁沈阳110870 沈阳工业大学材料科学与工程学院辽宁沈阳110870 哈尔滨工业大学(深圳)材料科学与工程学院广东深圳518055 南开大学先进能源材料化学教育部重点实验室天津300071

固态锂金属电池以其突出的安全性与高理论比容量成为目前最具发展前景的锂电池技术。在构建高比能固态锂电池体系时,如何较好地解决正极与固体电解质之间的界面问题以及二者之间的兼容性,是高安全性和高比能量固态锂电池技术的痛点之一... 详细信息

固态锂金属电池以其突出的安全性与高理论比容量成为目前最具发展前景的锂电池技术。在构建高比能固态锂电池体系时,如何较好地解决正极与固体电解质之间的界面问题以及二者之间的兼容性,是高安全性和高比能量固态锂电池技术的痛点之一。通过对固体电解质膜机械特性改性、正极/电解质界面特性改性及其一体化制备技术、界面理论计算等介绍,总结综述了如优化固态电解质与正极材料的物理接触、加强正极/电解质渗透性、改善界面兼容性和正极/电解质固体界面相构建等正极/电解质界面改性技术进展情况,并对固态锂金属电池界面改性技术的发展趋势做了展望。

关键词：固态锂金属电池正极/电解质界面界面工程

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

等离子体增强脉冲激光沉积o-BN薄膜

物理学报 2009年第9期58卷 6530-6533页

作者：李卫青天津大学理学院现代材料物理研究所天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室天津300072

利用等离子体增强脉冲激光沉积系统在Si(100)基底上沉积出了高质量的o-BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)和原子力显微镜照片对o-BN薄膜进行了表征.通过红外光谱(FTIR)得到o-BN薄膜的红外峰特征峰值为1189 cm-1,1585 cm-1和1... 详细信息

利用等离子体增强脉冲激光沉积系统在Si(100)基底上沉积出了高质量的o-BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)和原子力显微镜照片对o-BN薄膜进行了表征.通过红外光谱(FTIR)得到o-BN薄膜的红外峰特征峰值为1189 cm-1,1585 cm-1和1450 cm-1;由XRD谱得到o-BN薄膜的(111),(020),(021),(310)和(243)各晶面的衍射峰,特别是(310)和(243)晶面的衍射峰非常强;通过原子力显微镜照片清楚看到BN薄膜具有尖状突起的表面形貌.

关键词：等离子体增强脉冲激光沉积氮化硼薄膜 X射线衍射谱

快离子导体AgxTiS2中Ag^＋离子-空位的二维基态结构与能量性质研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2008年第3期57卷 1823-1828页

作者：宋庆功姜恩永天津大学理学院现代材料物理研究所天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室天津300072 中国民航大学理学院材料物理系天津300300

根据Ag+离子-空位的二维有序结构建立了三维晶胞模型.采用局域密度近似下的平面波赝势方法,对有序AgxTiS2(x=0,1/4,1/3,1/2,2/3,3/4,1)系列进行了几何结构优化和总能量计算,并与LixTiS2系列进行了对比研究.有序AgxTiS2系统的晶格参量增... 详细信息

根据Ag+离子-空位的二维有序结构建立了三维晶胞模型.采用局域密度近似下的平面波赝势方法,对有序AgxTiS2(x=0,1/4,1/3,1/2,2/3,3/4,1)系列进行了几何结构优化和总能量计算,并与LixTiS2系列进行了对比研究.有序AgxTiS2系统的晶格参量增量Δa0和Δc0随离子浓度单调增加,与实验结果符合得较好.有序AgxTiS2和LixTiS2系统的总能量均随插层离子浓度增加线性下降,且前者下降较快.有序AgxTiS2(x=0,1/4,1/3,1/2,2/3,3/4,1)系统的形成能均小于零,表明其基态性质.具有3a0×3a0超结构的Ag1/3TiS2系统的形成能最低.能量性质的对比显示,有序AgxTiS2系统的形成能较低,有序-无序相变温度较高,离子扩散活化能较高.根据计算结果对有关实验给出了合理解释.

关键词： AgxTiS2 有序—无序相变离子扩散第一性原理计算二维基态结构快离子导体

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Ag离子注入ZnO薄膜对其发光性质的影响

核技术 2015年第8期38卷 23-30页

作者：李浩刘昌龙天津大学理学院天津300072 天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室天津300072

采用磁控溅射技术在蓝宝石基底上制备了Zn O薄膜,并对样品在氧气氛下进行了热处理,然后采用不同能量、剂量的Ag离子注入Zn O薄膜中,形成Ag纳米颗粒。利用X射线衍射、光致发光、紫外可见吸收等技术详细地研究了样品的结构与发光性质。结... 详细信息

采用磁控溅射技术在蓝宝石基底上制备了Zn O薄膜,并对样品在氧气氛下进行了热处理,然后采用不同能量、剂量的Ag离子注入Zn O薄膜中,形成Ag纳米颗粒。利用X射线衍射、光致发光、紫外可见吸收等技术详细地研究了样品的结构与发光性质。结果表明,未注入的Zn O薄膜在380 nm和610 nm处出现发光峰,分别对应Zn O激子峰与深能级缺陷峰。Ag离子注入Zn O样品的激子发光峰增强,并在400 nm和430 nm左右处出现新发光峰,同时深能级缺陷引起的发光峰减弱。在N2气氛下退火处理后,Ag离子注入Zn O样品在400 nm处的发光峰消失,430 nm左右发光峰减弱。Ag离子注入Zn O薄膜中合成了Ag纳米颗粒,观察到了Ag纳米颗粒的等离子共振效应。对Ag纳米颗粒和离子注入产生的缺陷、Zn O发光性质的影响给出了解释。

关键词： ZnO薄膜 Ag纳米颗粒离子注入缺陷光致发光

Cu,Zn离子注入SiO_2纳米颗粒合成及氧气氛围下的热稳定性研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2014年第7期63卷 383-390页

作者：许蓉贾光一刘昌龙天津大学理学院天津300072 天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室天津300072 北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室北京100875

通过45 keV,1.0×1017cm-2的Cu离子注入SiO2基底合成了嵌入式的Cu纳米颗粒,采用不同剂量的50 keV Zn离子对Cu纳米颗粒进行后续辐照,详细研究了Zn离子后续辐照对Cu纳米颗粒结构、光学性质的影响及其氧气气氛下的热演变规律.研究结果表明... 详细信息

通过45 keV,1.0×1017cm-2的Cu离子注入SiO2基底合成了嵌入式的Cu纳米颗粒,采用不同剂量的50 keV Zn离子对Cu纳米颗粒进行后续辐照,详细研究了Zn离子后续辐照对Cu纳米颗粒结构、光学性质的影响及其氧气气氛下的热演变规律.研究结果表明,Cu和0.5×1017cm-2的Zn离子顺次注入可在SiO2基底中形成Cu-Zn合金纳米颗粒,它们可以在516 nm附近引起独特的表面等离子共振(SPR)吸收峰.后续O2气氛中450?C退火可以导致Cu-Zn合金纳米颗粒分解,并在基体中形成了ZnO和Cu纳米颗粒.研究结果还表明后续Zn离子的辐照可以有效地提高Cu纳米颗粒的抗氧化能力;同时基体中Cu的存在也会加速Zn向样品表面的扩散,从而促进了ZnO的形成.

关键词：双离子注入,Cu—Zn合金纳米颗粒,热稳定性,Zn扩散

阶梯化对快离子导体LixTiS2的结构与能量性质的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2008年第5期57卷 3093-3099页

作者：宋庆功姜恩永康建海天津大学理学院现代材料物理研究所天津市低维材料物理与制备技术重点实验室天津300072 中国民航大学理学院天津300300

根据密度波理论建立了stage-2有序LixTiS2(x=1/8,1/6,1/4,1/3,3/8,1/2)系统的晶胞模型.采用平面波赝势方法,对stage-2有序系统和stage-1有序LixTiS2(x=0,1/4,1/3,1/2,2/3,3/4,1)系统进行了几何结构优化和总能量计算,并进行了对比研究.发现stage-2晶胞的参量c(d)与stage-1晶胞的参量2c0(d)有相似的变化规律.但在stage-2有序系统中,有插层离子的夹层间距c1(d)相对于stage-1有序系统的夹层间距c0(d)额外膨胀,而与之对应的无插层离子的夹层间距c2(d)被压缩.这种额外膨胀和压缩有一定的互补关系.阶梯化对TiS2夹层中的原子结构也有显著影响.stage-2有序Li1/2TiS2系统的形成能明显高于stage-1有序Li1/2TiS2系统,表明后者更稳定.这与已报道的实验结果一致.stage-2有序Li1/4TiS2系统的形成能低于stage-1有序Li1/4TiS2系统,预言了一种新的有序结构.

关键词： LixTiS2 阶梯结构有序—无序相变第一性原理计算

剩余应变对半导体量子点边带能影响的数值分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子学报 2009年第11期37卷 2476-2479页

作者：杨红波俞重远天津大学理学院天津300072 天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室天津300072 北京邮电大学理学院北京100876

从弹性力学的理论出发,导出了应变对量子点各边带能级影响改变量的表达式,以有限元法计算了量子点的应变;结合应变能改变量表达式给出了应变作用下各边带能改变量的变化曲线,指出应变使量子点导带级平行移动,且移动的数值只与材料的性... 详细信息

从弹性力学的理论出发,导出了应变对量子点各边带能级影响改变量的表达式,以有限元法计算了量子点的应变;结合应变能改变量表达式给出了应变作用下各边带能改变量的变化曲线,指出应变使量子点导带级平行移动,且移动的数值只与材料的性质有关;应变作用下重空穴带和轻空穴带发生分裂,分裂的大小与材料的性质和量子点的形状都有关.

关键词：量子点剩余应变边带能有限元法

插层化合物Li_xTiS_2中Li离子-空位二维有序结构稳定性的第一性原理研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2007年第8期56卷 4817-4822页

作者：宋庆功姜恩永裴海林康建海郭英天津大学理学院现代材料物理研究所天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室天津300072 中国民航大学理学院天津300130 河北工业大学理学院天津300300

根据局域密度近似下的密度泛函理论,用第一性原理方法对TiS2,LiTiS2和LixTiS2(x=1/4,1/3,1/2,2/3,3/4)有序系统进行了几何优化和总能量计算.将计算结果与已有的实验和理论结果进行了对比,得到的归一化结构参量增量Δa0和Δc0随离子浓度... 详细信息

根据局域密度近似下的密度泛函理论,用第一性原理方法对TiS2,LiTiS2和LixTiS2(x=1/4,1/3,1/2,2/3,3/4)有序系统进行了几何优化和总能量计算.将计算结果与已有的实验和理论结果进行了对比,得到的归一化结构参量增量Δa0和Δc0随离子浓度单调地增加,与实验结果符合较好.LixTiS2(x=1/4,1/3,1/2,2/3,3/4)有序结构的形成能均小于零,表明这些结构的稳定性.具有3a0×a0有序结构的Li1/2TiS2系统的形成能最低、结构最稳定.研究结果表明,对上述系统使用局域密度近似下的密度泛函理论是合理的.

关键词： LixTiS2 有序结构第一性原理计算密度泛函理论

Mn掺杂SnO2块体样品的铁磁性:载流子的作用(英文)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

低温物理学报 2018年第2期40卷 34-39页

作者：李志青李冉杜涛天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室

本文研究了掺杂杂质对Sn1-xMnxO2多晶样品的影响.实验发现,当Sn1-xMnxO2中掺入+2价的Cu离子时体系的铁磁性增强,此时样品仍为绝缘体.而当Sn1-xMnxO2中掺入Sb元素时其铁磁性减弱,并且当Sb的掺杂量达到0.04时样品Sn0.97-zMn0.03SbzO2的电... 详细信息

本文研究了掺杂杂质对Sn1-xMnxO2多晶样品的影响.实验发现,当Sn1-xMnxO2中掺入+2价的Cu离子时体系的铁磁性增强,此时样品仍为绝缘体.而当Sn1-xMnxO2中掺入Sb元素时其铁磁性减弱,并且当Sb的掺杂量达到0.04时样品Sn0.97-zMn0.03SbzO2的电阻率显著下降.实验结果表明,自由移动的载流子会破坏样品的铁磁性,束缚极化子可能是Mn掺杂SnO2样品产生铁磁耦合的主要原因.

关键词：稀磁半导体铁磁性束缚极化子