Ag离子注入ZnO薄膜对其发光性质的影响

作     者：李浩 刘昌龙 LI Hao;LIU Changlong

作者机构：天津大学理学院天津300072 天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室天津300072 

出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期：2015年第38卷第8期

页      面：23-30页

核心收录：

学科分类：082703[工学-核技术及应用] 08[工学] 0827[工学-核科学与技术] 

基　　金：国家自然科学基金(No.11175129)资助 

主　　题：ZnO薄膜 Ag纳米颗粒 离子注入 缺陷 光致发光 

摘      要：采用磁控溅射技术在蓝宝石基底上制备了Zn O薄膜,并对样品在氧气氛下进行了热处理,然后采用不同能量、剂量的Ag离子注入Zn O薄膜中,形成Ag纳米颗粒。利用X射线衍射、光致发光、紫外可见吸收等技术详细地研究了样品的结构与发光性质。结果表明,未注入的Zn O薄膜在380 nm和610 nm处出现发光峰,分别对应Zn O激子峰与深能级缺陷峰。Ag离子注入Zn O样品的激子发光峰增强,并在400 nm和430 nm左右处出现新发光峰,同时深能级缺陷引起的发光峰减弱。在N2气氛下退火处理后,Ag离子注入Zn O样品在400 nm处的发光峰消失,430 nm左右发光峰减弱。Ag离子注入Zn O薄膜中合成了Ag纳米颗粒,观察到了Ag纳米颗粒的等离子共振效应。对Ag纳米颗粒和离子注入产生的缺陷、Zn O发光性质的影响给出了解释。