检索结果-南通市图书馆

爱泼斯坦方圈法及其在直流偏磁性能测量方面的应用研究现状及展望

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材料导报 2016年第3期30卷 121-124,149页

作者：高洁杨富尧马光程灵陈新孔晓峰国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所北京102211 国网金华供电公司金华321017

阐述了基于传统爱泼斯坦(Epstein)方圈法的电工钢片磁性能测量技术的新进展,主要涉及排除方圈角部双搭接结构区域被测试样磁性能不均匀性影响的双Epstein方圈法,以及考虑了方圈不同部位总比损耗不同的磁路长度加权处理法。通过分析以Eps... 详细信息

阐述了基于传统爱泼斯坦(Epstein)方圈法的电工钢片磁性能测量技术的新进展,主要涉及排除方圈角部双搭接结构区域被测试样磁性能不均匀性影响的双Epstein方圈法,以及考虑了方圈不同部位总比损耗不同的磁路长度加权处理法。通过分析以Epstein方圈法为基础的直流偏磁工况磁测量技术发展现状和存在的问题,对方圈法在直流偏磁性能测量技术方面的应用及发展进行了展望。

关键词：磁特性测量电工钢片直流偏磁爱泼斯坦方圈

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一种新型低阳极发射效率快恢复二极管

半导体技术 2015年第12期40卷 911-915页

作者：何延强刘钺杨吴迪金锐温家良国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所北京102211

采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p^+区和低掺杂p^-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管。与常规结构二极管相比,此结构在工艺实现时,制造工艺条件、掩模版数量保持不变,只需设计高掺杂p^+区和低掺杂... 详细信息

采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p^+区和低掺杂p^-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管。与常规结构二极管相比,此结构在工艺实现时,制造工艺条件、掩模版数量保持不变,只需设计高掺杂p^+区和低掺杂p^-区层次掩模版图案,即可实现发射极注入效率的自调节,制造成本低;其反向恢复电荷减小了30.4%,反向电流峰值减小了29%,反向电压峰值减小了6.7%,反向恢复时间减小了11%,开关器件的工作损耗降低,折衷性能更加优良;在V_F基本相当的情况下,反向恢复软度特性更优。

关键词：快恢复二极管(FRD) 低阳极发射效率导通压降反向恢复电荷反向恢复电流峰值

5种接地金属材料在北方碱性黄土中的腐蚀行为

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材料保护 2014年第9期47卷 67-69,9页

作者：卢云深祝志祥韩钰赵蕊国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所北京100052

为了研究常用接地金属材料在北方碱性黄土中的腐蚀规律,利用极化曲线研究了1Cr18Ni9Ti不锈钢、纯铜、电镀铜覆钢、连铸铜覆钢、镀锌钢在北京及天津碱性黄土中的腐蚀行为,并利用失重法考察了上述材料现场埋置1 a的腐蚀情况。结果表明:在... 详细信息

为了研究常用接地金属材料在北方碱性黄土中的腐蚀规律,利用极化曲线研究了1Cr18Ni9Ti不锈钢、纯铜、电镀铜覆钢、连铸铜覆钢、镀锌钢在北京及天津碱性黄土中的腐蚀行为,并利用失重法考察了上述材料现场埋置1 a的腐蚀情况。结果表明:在碱性黄土中纯铜和铜覆钢腐蚀速度相当,低于镀锌钢,且不锈钢在碱性黄土中腐蚀过程存在钝化区间,腐蚀程度远低于纯铜和铜覆钢;利用极化曲线法计算出的腐蚀速度比现场埋置1 a的实测数据明显偏高。

关键词：土壤腐蚀碱性黄土不锈钢纯铜铜覆钢镀锌钢腐蚀速度

环氧树脂及其复合材料结构与性能的分子模拟研究进展

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绝缘材料 2015年第6期48卷 1-3页

作者：杨青何州文兰逢涛刘辉陈新国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所北京102211

介绍了近年来分子模拟方法在环氧树脂的固化、玻璃化转变、湿热老化以及复合材料的界面等方面的应用,体现了分子模拟方法在分子水平上研究关联材料的微观结构与宏观性能的优越性,分子模拟方法是未来材料设计与开发的重要手段之一。

关键词：环氧树脂复合材料分子模拟

纳米TiO_2和水分子对环氧树脂电性能影响的分子模拟研究

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绝缘材料 2015年第11期48卷 40-43,48页

作者：杨青兰逢涛何州文刘辉陈新国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所北京102211

通过分子模拟方法,在微观水平上研究了纳米Ti O2和水分子对双酚A型环氧树脂(DGEBA)-二乙基甲苯二胺(DETDA)体系电性能的影响。结果表明:与纯环氧树脂体系相比,纳米Ti O2的加入能够有效提高体系的耐电击穿性能;水分子的存在会降低体系的... 详细信息

通过分子模拟方法,在微观水平上研究了纳米Ti O2和水分子对双酚A型环氧树脂(DGEBA)-二乙基甲苯二胺(DETDA)体系电性能的影响。结果表明:与纯环氧树脂体系相比,纳米Ti O2的加入能够有效提高体系的耐电击穿性能;水分子的存在会降低体系的耐电击穿性能。

关键词：环氧树脂分子模拟电性能复合材料二氧化钛

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IGBT多级场板终端结构的仿真和验证

固体电子学研究与进展 2013年第1期33卷 76-79,101页

作者：高明超刘钺杨刘江赵哿金锐于坤山国网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所北京100192

基于现有工艺平台设计一个多级场板终端结构:在有源区最外围元胞和场板之间加一个P-Ring环,可以降低第一级场板边缘下的电场强度;改变第四级场板氧化层厚度,可以调整IGBT击穿电压值;在工艺过程中在淀积第四台阶氧化层之前先淀积一薄层Si... 详细信息

基于现有工艺平台设计一个多级场板终端结构:在有源区最外围元胞和场板之间加一个P-Ring环,可以降低第一级场板边缘下的电场强度;改变第四级场板氧化层厚度,可以调整IGBT击穿电压值;在工艺过程中在淀积第四台阶氧化层之前先淀积一薄层SiOxNy薄膜作为腐蚀阻挡层,可降低对工艺精度的要求,同时提高器件可靠性;多级场板终端结构可以阻止器件表面电荷进入硅表面改变硅表面电势,提高器件的稳定性和可靠性。将此终端用在1 200V NPT Planer IGBT结构上进行流片验证,击穿电压可达1 300V以上。

关键词：绝缘栅双极晶体管终端多级场板击穿场强

薄规格冷轧取向硅钢脱碳板中析出相粒子及织构分布

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材料热处理学报 2015年第10期36卷 103-109页

作者：杨富尧何承绪孟利马光陈新毛卫民北京科技大学材料科学与工程学院北京100083 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所北京102211

薄规格冷轧取向硅钢要求比普通厚度取向硅钢更加严格的抑制剂设计及控制。将常化板冷轧至0.23 mm和0.18 mm并分别进行脱碳退火处理,利用SEM及EBSD技术分析了两种厚度脱碳退火板的表层、次表层、中心层等层区的析出相粒子分布及织构。结... 详细信息

薄规格冷轧取向硅钢要求比普通厚度取向硅钢更加严格的抑制剂设计及控制。将常化板冷轧至0.23 mm和0.18 mm并分别进行脱碳退火处理,利用SEM及EBSD技术分析了两种厚度脱碳退火板的表层、次表层、中心层等层区的析出相粒子分布及织构。结果表明:在设计的工艺下,两种厚度脱碳板同层区的析出相粒子的平均尺寸d、面密度nA及面积分数AA的分布趋势类似,粒子平均尺寸都表现为d表层>d次表层>d中心层,且次表层的粒子面密度最高;两种板沿板厚方向的组织及织构分布不均匀,但各层区织构组成相近,{111}、{411}组分的比例明显高于其他取向,表层Goss取向晶粒数较多;随压下量增大,Goss、{111}、{411}等织构均减弱。

关键词：薄规格取向硅钢析出相粒子抑制剂脱碳退火冷轧织构

基于高压大电流模块应用的3300V软穿通快速IGBT的设计

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固体电子学研究与进展 2017年第1期37卷 45-51页

作者：王柳敏金锐谢刚于佳泓盛况浙江大学国家电网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所

设计了3 300V/50A的软穿通型IGBT芯片(SPT IGBT),利用数值仿真软件MEDICI对其各项特性进行了仿真研究,包括静态特性、开关特性、动态雪崩特性、短路特性、电容特性和闩锁特性,在满足设计需求的同时重点进行动态失效特性仿真,验证了该器... 详细信息

设计了3 300V/50A的软穿通型IGBT芯片(SPT IGBT),利用数值仿真软件MEDICI对其各项特性进行了仿真研究,包括静态特性、开关特性、动态雪崩特性、短路特性、电容特性和闩锁特性,在满足设计需求的同时重点进行动态失效特性仿真,验证了该器件的可靠性。仿真结果显示,器件的额定工作电流为50A、正向阻断电压为4 178.8V、阈值电压VTH为7.8V、导通压降为2.67V、短路电流为857A、工作电流为100A时的雪崩耐量为1.755J。利用局域载流子寿命控制的方法对器件进行优化后,器件的正向阻断电压仍为4 178.8V,导通压降为4.13V,没有明显的改变,关断时间由6 725.75ns降低到了1 006.49ns,关断速度提高了568%,大大提高了器件的性能,降低了损耗。

关键词：高压大电流软穿通型绝缘栅双极型晶体管动态失效快速局域载流子寿命

基于嵌入式操作系统VxWorks的I^2C总线驱动设计

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单片机与嵌入式系统应用 2015年第8期15卷 34-37页

作者：卢慧慧袁玉湘国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所北京102211

针对目前嵌入式操作系统VxWorks缺乏I2 C设备驱动具体实现的问题,提出了基于VxWorks的I2 C驱动程序的完整设计。利用I2 C协议以及VxWorks下设备驱动机制,通过采用VxWorks内核I/O子系统的层次划分方式,设计了I2 C主控制器驱动实现方法。... 详细信息

针对目前嵌入式操作系统VxWorks缺乏I2 C设备驱动具体实现的问题,提出了基于VxWorks的I2 C驱动程序的完整设计。利用I2 C协议以及VxWorks下设备驱动机制,通过采用VxWorks内核I/O子系统的层次划分方式,设计了I2 C主控制器驱动实现方法。最后,以RTC芯片RX8025为例,详细说明了I2 C设备驱动的设计流程,实现了基于VxWorks的I2 C驱动程序的完整设计。

关键词： VxWorks 嵌入式操作系统 I^2C总线 I^2C主控制器 RX8025