爱泼斯坦方圈法及其在直流偏磁性能测量方面的应用研究现状及展望
Research and Prospect on DC-Biasing Performance Measurement Based on Epstein Frame Method作者机构：国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所北京102211 国网金华供电公司金华321017
出 版 物：《材料导报》 (Materials Reports)
年 卷 期：2016年第30卷第3期
页 面：121-124,149页
核心收录：
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
摘 要：阐述了基于传统爱泼斯坦(Epstein)方圈法的电工钢片磁性能测量技术的新进展,主要涉及排除方圈角部双搭接结构区域被测试样磁性能不均匀性影响的双Epstein方圈法,以及考虑了方圈不同部位总比损耗不同的磁路长度加权处理法。通过分析以Epstein方圈法为基础的直流偏磁工况磁测量技术发展现状和存在的问题,对方圈法在直流偏磁性能测量技术方面的应用及发展进行了展望。
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