检索结果-南通市图书馆

掺Mn:MgAl_2O_4透明陶瓷的制备工艺和光学性能

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稀有金属材料与工程 2007年第A02期36卷 438-441页

作者：孙月峰卢铁城王学军四川大学物理系和辐射物理及技术教育部重点实验室四川成都610064

采用熔盐焙烧法制得了不同掺杂浓度的Mn:MgAl_2O_4超细粉体,采用真空烧结法制得Mn:MgAl_2O_4透明陶瓷。通过紫外可见分光计、扫描电镜、荧光分光计等测试手段研究了可望用于可见波段的新型激光材料Mn:MgAl_2O_4透明陶瓷的光学透过率、... 详细信息

采用熔盐焙烧法制得了不同掺杂浓度的Mn:MgAl_2O_4超细粉体,采用真空烧结法制得Mn:MgAl_2O_4透明陶瓷。通过紫外可见分光计、扫描电镜、荧光分光计等测试手段研究了可望用于可见波段的新型激光材料Mn:MgAl_2O_4透明陶瓷的光学透过率、微观形貌和光荧光特性。结果表明,通过简单的制备工艺可制得光学特性均一的Mn:MgAl_2O_4透明陶瓷,并且与单晶相比Mn:MgAl_2O_4透明陶瓷存在两条发光通道,一个中心在520nm附近很强的荧光峰,其强度随着掺杂浓度的增加而加强;一个是中心在690nm附近处微弱的荧光峰。这两条发光通道不是独立的,这与单晶是不相同的。

关键词：透明陶瓷 Mn:MgAl2O4 可见波段激光材料

金红石型二氧化钒的电子结构及光电性质的计算

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计算物理 2008年第3期25卷 365-372页

作者：宋婷婷何捷孟庆凯孙鹏张雷林理彬四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室四川成都610064

采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法（SCC-DV-Xα-ECM），对金红石型二氧化钒（VO2）的电子结构、介电常数、吸收系数、折射率、电导率等光电性质进行计算．得到O的2p能态与V的3d能态杂化形成一个宽带，费米能级在此带内上部．在... 详细信息

采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法（SCC-DV-Xα-ECM），对金红石型二氧化钒（VO2）的电子结构、介电常数、吸收系数、折射率、电导率等光电性质进行计算．得到O的2p能态与V的3d能态杂化形成一个宽带，费米能级在此带内上部．在费米能级下的能级上都占据有电子，此带中有大量电子都可参与导电，因此金红石型Vq呈现金属性质．介电常数虚部随入射光频率的变化，反映了在0．8eV能量附近，电子激发以带内跃迁为主，在5—7ev能量范围，电子激发以带间跃迁为主．折射率和消光系数与已报道的实验结果符合得比较好．并将所得结果与CASTEP软件计算结果对比及分析讨论．

关键词： VO2 SCC-DV-Xα-ECM 电子结构光电性质

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单斜型二氧化钒材料光电性质的理论研究

中国激光 2010年第2期37卷 560-566页

作者：王晓中何捷刘强宋婷婷王玲珑郭英杰林理彬四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室四川成都610064

采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法(SCC-DV-X_a-ECM)对单斜型VO_2的电子结构和光电性质进行了计算。计算结果表明,单斜型VO_2带隙宽度为0.4411 eV,费米能级在带隙中间以上0.00365 eV靠近导带处,和实验数据符合得很好。单斜型VO_2... 详细信息

采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法(SCC-DV-X_a-ECM)对单斜型VO_2的电子结构和光电性质进行了计算。计算结果表明,单斜型VO_2带隙宽度为0.4411 eV,费米能级在带隙中间以上0.00365 eV靠近导带处,和实验数据符合得很好。单斜型VO_2的总能(-568.18 eV)比金红石型VO_2(-470.33 eV)小,说明外加能量如升高温度会使单斜型VO_2相变至金红石型VO_2。吸收系数在低频率段和实验情形符合得很好,光电导率在2.5～13.5 eV的变化趋势和其他的理论分析是一致的。

关键词：光电性质带隙宽度电荷自洽离散变分法二氧化钒

调整VO_2薄膜相变特性和TCR的制备及辐照方法

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激光技术 2002年第1期26卷 58-60页

作者：卢勇林理彬何捷四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室成都610064

采用不同的真空还原时间、真空退火温度和衬底制备出了VO2 薄膜 ,并对制备出的薄膜进行电子辐照。通过测试辐照前后的VO2 薄膜相变电学性能及低温半导体相电阻温度系数 (TCR) ,表明不同的制备工艺和不同注量的电子辐照可明显改变VO2 ... 详细信息

采用不同的真空还原时间、真空退火温度和衬底制备出了VO2 薄膜 ,并对制备出的薄膜进行电子辐照。通过测试辐照前后的VO2 薄膜相变电学性能及低温半导体相电阻温度系数 (TCR) ,表明不同的制备工艺和不同注量的电子辐照可明显改变VO2 薄膜相变过程中电学性能 ,提高薄膜的电阻温度系数。对影响VO2

关键词： VO2薄膜电阻温度系数电学性能电子辐照相变特性

双束质子辐照砷化镓光电导探测器的I-V特性

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强激光与粒子束 2004年第4期16卷 457-460页

作者：葛兆云林理彬四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室四川成都610064

　对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为1011～1013cm-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试,并由此推得电导率的变化。结果表明,经过能量为7.5MeV的质子改性后的砷化镓探测器相对于未改性的附加光电导率... 详细信息

　对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为1011～1013cm-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试,并由此推得电导率的变化。结果表明,经过能量为7.5MeV的质子改性后的砷化镓探测器相对于未改性的附加光电导率Δσ减少,而且随着辐照注量的增加而越小,而对于先用能量为20MeV质子辐照后再用能量为7.5MeV的质子辐照的砷化镓材料制作的探测器,其附加光电导率Δσ的减少则更为明显。对上述现象进行了分析,并根据其相应关系预测了该种探测器的响应时间、灵敏度、拖尾现象及受X射线激发的输出脉冲的后延的变化情况。

关键词：质子 GaAs 探测器光电流暗电流

共沉淀法制备纯相钇铝石榴石(YAG)纳米粉体中的若干影响因素

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功能材料 2006年第1期37卷 66-69页

作者：郭旺卢铁城仝世红张颖邹萍四川大学物理系和辐射物理及技术教育部重点实验室四川成都610064

探讨了影响生成纯相YAG纳米粉体的各种因素,并通过优化工艺参数,得到了纯相并具有单分散、无团聚、颗粒尺寸分布窄且近似球形特点的YAG纳米粉体。实验中,配制不同浓度的NH4HCO3水溶液作为沉淀剂,配制不同浓度的Y(NO3)3和NH4Al(SO4)2混... 详细信息

探讨了影响生成纯相YAG纳米粉体的各种因素,并通过优化工艺参数,得到了纯相并具有单分散、无团聚、颗粒尺寸分布窄且近似球形特点的YAG纳米粉体。实验中,配制不同浓度的NH4HCO3水溶液作为沉淀剂,配制不同浓度的Y(NO3)3和NH4Al(SO4)2混合水溶液作为母液,在不同的的温度下,采用不同的滴定速度,得到不同的前驱体,前驱体在900℃以上的温度焙烧2h即可获得不同的粉体。主要采用X射线衍射(XRD)对这些粉体进行了物相分析,同时结合红外光谱法(FT-IR)对部分前驱体进行了定性分析,用透射电子显微镜(TEM)对纯相粉体进行了形貌观察。结果表明,在共沉淀过程中,混合溶液和沉淀剂的浓度直接决定了是否生成YAG为主相的粉体,环境温度和滴定速度则对是否生成纯相粉体有较大的影响。

关键词：共沉淀法钇铝石榴石(YAG) 纳米粉体纯相

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碳化硼球面薄膜及空心微球的制备

无机材料学报 2012年第12期27卷 1325-1330页

作者：于小河卢铁城林涛王自磊陶勇廖志君四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室成都610064 中国科学院国际材料物理中心沈阳110015 四川大学高能量密度与物理技术教育部重点实验室成都610064

采用电子束蒸发镀膜技术,结合磁控滚动方法在φ1 mm的钢球基底上制备碳化硼球面膜层,通过退火、打孔及腐蚀获得碳化硼空心微球.主要研究了球面膜层的宏观形貌、微观结构、成分及初步探讨了不同退火温度（800~1100℃）对核膜结构空心化... 详细信息

采用电子束蒸发镀膜技术,结合磁控滚动方法在φ1 mm的钢球基底上制备碳化硼球面膜层,通过退火、打孔及腐蚀获得碳化硼空心微球.主要研究了球面膜层的宏观形貌、微观结构、成分及初步探讨了不同退火温度（800~1100℃）对核膜结构空心化的影响.利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱分析（XPS）、原子力显微镜（AFM）对球面薄膜表面形态和薄膜元素组成进行了分析.结果表明：磁控滚动模式制备的球面膜层表面平整,没有裂纹和孔洞,元素分布均匀.核膜结构（镀膜时间在5~70 h）经900℃以上温度退火,空心化后的球面膜层可实现自支撑,900℃退火的微球表面形貌最好,壁厚可达10μm以上.

关键词：电子束真空蒸发磁控滚动方法碳化硼球面薄膜碳化硼空心微球

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装饰建材放射性无损检测及评价方法研究

核技术 2003年第7期26卷 564-568页

作者：毛亚虹林理彬刘怡刚四川省放射卫生防护所四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室成都610064 四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室

根据g衰变纲图,研究将g射线强度的测量问题转化为表面a射线的强度测量问题,从而实现建材的快速无损检测。进行了各类建材表面a、b辐射水平和其天然放射性核素g比活度关系的研究和不同饰材表面b辐射水平的饱和厚度研究。结果发现:由于天... 详细信息

根据g衰变纲图,研究将g射线强度的测量问题转化为表面a射线的强度测量问题,从而实现建材的快速无损检测。进行了各类建材表面a、b辐射水平和其天然放射性核素g比活度关系的研究和不同饰材表面b辐射水平的饱和厚度研究。结果发现:由于天然放射系中最大能量b粒子的射程大于单块饰材,不能用表面b辐射水平进行无损检测判断;花岗石的表面a辐射水平与外照射指数的拟合关系为:Ig= 0.38+49.84a+288.24a2,拟合曲线和实测值的符合率为95%;抛光砖的表面a辐射水平与外照射指数的拟合关系为:Ig=0.42+343.55a32999.66a2,拟合曲线和实测值的符合率为90%。积累更多的数据将进一步提高拟合曲线和实测值的符合率。

关键词：装饰建材 α辐射水平内照射指数外照射指数放射性无损检测

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晶体生长用TiO_2纳米晶的改良工艺研究

无机材料学报 2001年第3期16卷 475-480页

作者：卢铁城宋萍林理彬卢勇祖小涛廖志君四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室成都610064 四川大学应用物理系成都610064

针对晶体生长的具体应用，分别以硫酸氧钛铵（ＡＴＳ）和改良硫酸氧钛铵（Ｍ－ＡＴＳ）为原料，采用高温焙烧法制备了ＴｉＯ２纳米晶，用ＸＲＤ分析了原料和纳米晶的物相，用ＳＥＭ分析了纳米晶的形貌．结果表明虽然两种原料具有相似的... 详细信息

针对晶体生长的具体应用，分别以硫酸氧钛铵（ＡＴＳ）和改良硫酸氧钛铵（Ｍ－ＡＴＳ）为原料，采用高温焙烧法制备了ＴｉＯ２纳米晶，用ＸＲＤ分析了原料和纳米晶的物相，用ＳＥＭ分析了纳米晶的形貌．结果表明虽然两种原料具有相似的物相结构，但所得纳米晶的性状不同，Ｍ－ＡＴＳ焙烧所得纳米晶分散性更高，均匀性更好．此外，研究了焙烧温度、保温时间、急烧、缓烧等工艺条件对纳米晶形貌、物相的影响，并给出了批量制备ＴｉＯ２纳米晶粉体的最佳工艺条件．

关键词：纳米晶分散性 SEM XRD 二氧化钛纳米材料硫酸氧钛铵晶体生长高温焙烧法