检索结果-南通市图书馆

核电子学与探测技术 2006年第4期26卷 421-424页

作者：张软玉周清华罗小兵王鹏许祖润四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室四川成都610064

提出并建立了一种数值仿真方法,通过计算机模拟,生成各种数字化核信号波形,以此作为工具开展核信号数字处理方法的研究。通过准高斯滤波、梯形滤波和匹配滤波算法对数字核信号处理结果的研究与比较表明,提出的方法是准确而可行的。

关键词：核信号数值仿真数字核信号处理

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自偏置的多段曲率校正带隙基准源

四川大学学报（自然科学版） 2010年第2期47卷 293-296页

作者：赵玉月龚敏邬齐荣陈畅四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室成都610064

典型的带隙基准电压源电路是由CMOS工艺产生的具有负温度系数的寄生横向BJT的发射结电压V_(EB)和具有正温度系数的热电压V_t相补偿产生零温度系数的基准带隙电压源.但是V_(EB)与温度不是线性关系,因此V_(REF)需要被校正.本文介绍了一种... 详细信息

典型的带隙基准电压源电路是由CMOS工艺产生的具有负温度系数的寄生横向BJT的发射结电压V_(EB)和具有正温度系数的热电压V_t相补偿产生零温度系数的基准带隙电压源.但是V_(EB)与温度不是线性关系,因此V_(REF)需要被校正.本文介绍了一种高精度自偏置多段二次曲率补偿的CMOS带隙基准电压源.采用0.5μm CMOS工艺、工作电压为3.3 V,该芯片室温下功耗为94μW.设计在0℃～75℃有效温度系数达到了0.7 ppm/℃.

关键词：带隙基准电压共源共栅电流镜自偏置低温度系数二次曲率校正

2.4GHz 0.18μm CMOS Doherty功率放大器设计

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四川大学学报（自然科学版） 2010年第4期47卷 775-779页

作者：李美光邬其荣石瑞英四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室成都610064

采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了一款2.4 GHz Doherty结构功率放大器.两子功放均采用两级放大结构,提高了功放的功率增益和功率附加效率(PAE).模拟显示最大功率输出为28.75 dBm,对应PAE为43%,功率1 dB压缩点输出功率为26.71 dBm,对应PA... 详细信息

采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了一款2.4 GHz Doherty结构功率放大器.两子功放均采用两级放大结构,提高了功放的功率增益和功率附加效率(PAE).模拟显示最大功率输出为28.75 dBm,对应PAE为43%,功率1 dB压缩点输出功率为26.71 dBm,对应PAE为38%.功率增益为24 dB.与以往报道的CMOS Doherty功放相比,PAE和功率增益均得到了明显的改善.

关键词：功率放大器 Doherty CMOS PAE 功率增益

X荧光分析法测定地表灰尘和空调灰中重金属含量

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物理学报 2018年第1期67卷 46-52页

作者：王鑫康明铭刘军陈秀莲覃雪四川大学物理科学与技术学院成都610064 辐射物理及技术教育部重点实验室成都610064

使用X荧光分析法对地表灰尘和空调滤网灰中所含金属元素(Mn,Fe,Cu,Zn,Pb)做了定量分析.结果表明,5种元素在空调灰中的含量都大于其在地表灰尘中的含量,其中Cu,Zn,Pb 3种元素在地表灰尘和空调灰中的含量远远大于四川省表层土壤中对应的... 详细信息

使用X荧光分析法对地表灰尘和空调滤网灰中所含金属元素(Mn,Fe,Cu,Zn,Pb)做了定量分析.结果表明,5种元素在空调灰中的含量都大于其在地表灰尘中的含量,其中Cu,Zn,Pb 3种元素在地表灰尘和空调灰中的含量远远大于四川省表层土壤中对应的平均含量.通过对不同粒径组地表灰尘中重金属含量的分析表明,地表灰尘中五种元素的含量在测量范围内随灰尘直径的变化规律大致相同.

关键词：灰尘 X荧光分析重金属含量灰尘粒径

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CMOS电路的低功耗逻辑综合

四川大学学报（自然科学版） 2007年第1期44卷 106-110页

作者：刘丹单邬齐荣马瑶龚敏四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室成都610064

针对CMOS电路的功耗来源提出了一种低功耗综合流程.这种综合流程在不改变原有电路设计的前提下同时采用了门控时钟、操作数隔离和门级功率优化来降低功耗.对一个PTC(PWM/Timer/Counter)控制器的仿真表明,这种流程可以降低电路功耗57%,... 详细信息

针对CMOS电路的功耗来源提出了一种低功耗综合流程.这种综合流程在不改变原有电路设计的前提下同时采用了门控时钟、操作数隔离和门级功率优化来降低功耗.对一个PTC(PWM/Timer/Counter)控制器的仿真表明,这种流程可以降低电路功耗57%,与仅使用门控时钟的流程相比可以进一步降低电路功耗21%.

关键词：逻辑综合低功耗门控时钟操作数隔离门级功率优化

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基于角谱理论的厚层光刻胶衍射光场研究

光学学报 2004年第12期24卷 1691-1696页

作者：唐雄贵郭永康杜惊雷刘世杰高福华四川大学物理科学与技术学院成都610064

为快速、准确地获得厚层光刻胶内部衍射光场的分布,利用角谱理论的思想,考虑入射光通过掩模后在光刻胶面的反射、透射和光刻胶曝光过程中其折射率及吸收系数在深度方向上的变化,建立了衍射光场在厚层光刻胶中传输的理论模型。为减小计算... 详细信息

为快速、准确地获得厚层光刻胶内部衍射光场的分布,利用角谱理论的思想,考虑入射光通过掩模后在光刻胶面的反射、透射和光刻胶曝光过程中其折射率及吸收系数在深度方向上的变化,建立了衍射光场在厚层光刻胶中传输的理论模型。为减小计算量,对快速傅里叶算法进行了改进。该方法数值计算速度快,计算结果准确,并适用于光在折射率渐变的其它介质中的传播。最后,对厚层光刻胶中光场分布进行了数值模拟;计算模拟表明,对于厚层光刻胶,其表面的反射、透射和折射率及吸收系数在深度方向变化对衍射光场分布有明显的影响。

关键词：物理光学光刻角谱理论传递函数厚层光刻胶快速傅里叶算法

生物活性羟基磷灰石/二元氨基酸共聚物复合材料的制备和性能

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材料工程 2013年第4期41卷 56-62页

作者：蒋佳春吕国玉严永刚伍登学刘少英四川大学物理科学与技术学院成都610064

通过原位聚合法制备新型生物活性羟基磷灰石/二元氨基酸共聚物(BHA/PAA)复合材料。采用1 H核磁共振(1 H NMR)、红外光谱(IR)、X-ray衍射光谱(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)和差示扫描量热分析(DSC)对其组成结构、热性能、... 详细信息

通过原位聚合法制备新型生物活性羟基磷灰石/二元氨基酸共聚物(BHA/PAA)复合材料。采用1 H核磁共振(1 H NMR)、红外光谱(IR)、X-ray衍射光谱(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)和差示扫描量热分析(DSC)对其组成结构、热性能、力学性能和体外降解性能进行研究。结果表明:BHA颗粒均匀分散在PAA基质中,形成的复合材料具有良好的均一性;复合材料的无机相和有机相之间存在着一定的化学键相互作用;由于BHA的引入,复合材料的结晶速率加快,整体结晶度下降;复合材料具有良好的力学性能,其抗压强度随着BHA含量的增加而明显提高,抗弯强度略有减小,当BHA含量为30%(质量分数)时,复合材料的抗压强度和抗弯强度分别为141.02MPa和86.32MPa,力学性能与人体皮质骨相匹配;体外降解实验结果表明,随着BHA含量的增加,材料的降解速率加快,且在降解过程中保持良好的力学性能稳定性,在骨修复方面具有潜在的应用。

关键词：二元氨基酸共聚物生物活性羟基磷灰石复合材料力学性能降解

Al吸附在Pt,Ir和Au的(111)面的低覆盖度研究

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物理学报 2010年第6期59卷 4143-4149页

作者：张建军张红四川大学物理科学与技术学院成都610065

应用密度泛函理论,系统研究了Al原子在Pt(111),Ir(111)和Au(111)表面的桥位、顶位、三重面心立方(fcc)洞位和六角密排(hcp)洞位这四个典型位置的吸附情况.主要计算了三吸附体系的几何结构、平均结合能和差分电荷密度,并系统讨论了相关... 详细信息

应用密度泛函理论,系统研究了Al原子在Pt(111),Ir(111)和Au(111)表面的桥位、顶位、三重面心立方(fcc)洞位和六角密排(hcp)洞位这四个典型位置的吸附情况.主要计算了三吸附体系的几何结构、平均结合能和差分电荷密度,并系统讨论了相关原子的密立根电荷布居数和投影态密度.研究发现,对于Pt(111)和Ir(111)表面,Al原子在hcp洞位最稳定,但是对于Au(111)表面,Al原子在fcc洞位最稳定.

关键词：吸附密度泛函理论结合能电子结构

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退火真空度与氧化钒薄膜物相的相关性

硅酸盐学报 2007年第3期35卷 348-353页

作者：刘中华何捷孟庆凯王静四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室成都610064

以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%,质量分数)为原料,用真空蒸发工艺制备出氧化钒薄膜,并测试其在真空退火前、后的X射线光电子能谱、X射线衍射谱及电阻-温度关系曲线。结果显示:低真空退火对氧化钒薄膜的还原性比高真空退火的... 详细信息

以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%,质量分数)为原料,用真空蒸发工艺制备出氧化钒薄膜,并测试其在真空退火前、后的X射线光电子能谱、X射线衍射谱及电阻-温度关系曲线。结果显示:低真空退火对氧化钒薄膜的还原性比高真空退火的强。但是,在高真空退火下得到的氧化钒薄膜的晶粒尺寸要比在低真空下退火的大。随退火温度升高,高真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到VO2(B)与V6O13混合,再到V6O13的转变过程,B表示薄膜无热致相变特性。低真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到VO2(A)的转变,A表示薄膜有热致相变特性。这些薄膜的电学性质也有很大不同。

关键词：氧化钒物相真空度

电子束辐照致VO_2(A)薄膜光电特性改变

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硅酸盐学报 2008年第5期36卷 694-699页

作者：孟庆凯何捷刘中华张雷宋婷婷孙鹏四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室成都610064

以能量为1.0 MeV,剂量为1.2×1013～1.2×1015/cm2电子束辐照VO2(A)薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、电阻温度测试仪和Fourier中红外光谱仪对电子辐照前后的薄膜进行测试,研究了辐照剂量对薄膜结构、光电特性的影响。结果表明:剂量为... 详细信息

以能量为1.0 MeV,剂量为1.2×1013～1.2×1015/cm2电子束辐照VO2(A)薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、电阻温度测试仪和Fourier中红外光谱仪对电子辐照前后的薄膜进行测试,研究了辐照剂量对薄膜结构、光电特性的影响。结果表明:剂量为1.2×1013/cm2时,辐照主要是在薄膜中引入点缺陷;剂量为1.2×1015/cm2时,辐照在薄膜中产生明显的退火效应。辐照剂量增加会引起薄膜相变过程中电阻温度系数增加,使相变温度点发生变化,热滞回线宽度最大可增加89.1%,相变前后薄膜电阻值变化的数量级增大,晶粒尺寸经历了31.8 nm→21.3 nm→20.3 nm→33.5 nm的变化。半导体相薄膜的透过率受缺陷影响较大,金属相时主要受晶粒尺寸的影响。

关键词：二氧化钒薄膜电子辐照相变电阻温度系数光透过率