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凝聚态物理中的分形

物理学进展 1990年第1期10卷 1-56页

作者：汪子丹龚昌德南京大学物理系理论物理中心

本文回顾了近年来与凝聚态物理相关的分形研究的一些主要工作,叙述了该领域的一些新进展。着重介绍了涉及分维和分形的一些基本概念、物理思想和研究方法,较详细地讨论了分形网络上的振动和弹性性质、磁序问题、生长和熔化、多分形以及... 详细信息

本文回顾了近年来与凝聚态物理相关的分形研究的一些主要工作,叙述了该领域的一些新进展。着重介绍了涉及分维和分形的一些基本概念、物理思想和研究方法,较详细地讨论了分形网络上的振动和弹性性质、磁序问题、生长和熔化、多分形以及周期分形等课题。

关键词：凝聚态物理分形分维

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尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证

物理学报 2006年第10期55卷 5403-5408页

作者：刘艳松陈铠乔峰黄信凡韩培高钱波马忠元李伟徐骏陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条... 详细信息

基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条件——a-Si:H子层厚度小于34nm.在激光晶化和常规热退火两种方法形成的a-SiNx/nc-Si/a-SiNx三明治结构和nc-Si/a-SiNx多层膜结构中验证了该理论模型.

关键词：非晶硅纳米硅激光辐照结晶

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南京地铁工程勘察中声波测试与分析

岩石力学与工程学报 2005年第6期24卷 1018-1024页

作者：徐鸣洁钟锴俞缙李晓昭张迪于昊南京大学地球科学系江苏南京210093 南京大学物理系江苏南京210093

通过将声波测井及岩芯波速测量等方法运用于南京地铁工程勘察中,利用声波测井结果与岩芯物性参数对比,进行多参数综合分析,为岩体风化程度与岩体强度变化分析提供了有效的参数。原位声波波速测量,给出了岩体波速随深度的分布特征;通过... 详细信息

通过将声波测井及岩芯波速测量等方法运用于南京地铁工程勘察中,利用声波测井结果与岩芯物性参数对比,进行多参数综合分析,为岩体风化程度与岩体强度变化分析提供了有效的参数。原位声波波速测量,给出了岩体波速随深度的分布特征;通过原位测井波速与室内岩芯波速的对比测量,分析了不同强度岩石在不同测量条件下的差异;对原位测井波形特征的振幅变化、衰减特性分析,可进一步了解岩体的结构性质,从而证明声波测井是工程地质勘察中一种快速、经济、有效的岩体原位测试方法。

关键词：工程勘察声波波速岩体风化程度裂隙

YBa_2Cu_3O_(7-δ)熔融织构样品的磁响应研究

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物理学报 2001年第8期50卷 1590-1595页

作者：王峰孙国庆孔祥木单磊金新张宏曲阜师范大学物理系曲阜273165 南京大学物理系南京210093 中国科学院上海冶金研究所上海200050

对YBa2 Cu3O7-δ熔融织构样品在不同温度、不同磁场不同外场扫描速率下进行了磁滞回线测量 ,获得了电流密度J(T ,B) ,lnE lnJ曲线以及热激活能U0 (T ,B)随温度、磁场的变化关系 ,从而分析了该样品磁响应特性 ,特别是第二峰 (简称峰 )... 详细信息

对YBa2 Cu3O7-δ熔融织构样品在不同温度、不同磁场不同外场扫描速率下进行了磁滞回线测量 ,获得了电流密度J(T ,B) ,lnE lnJ曲线以及热激活能U0 (T ,B)随温度、磁场的变化关系 ,从而分析了该样品磁响应特性 ,特别是第二峰 (简称峰 )受外场扫描速率的影响 ,探讨了峰形成的真正原因 ,以及影响峰位置。

关键词：磁响应熔融织构峰效应界电流密度高温超导体

YBa2Cu3O（7-δ）/势垒层/YBa2Cu3O7-δ三层结构的制备

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低温物理学报 1991年第5期13卷 334-337页

作者：孙志坚,吉争鸣,杨森祖,吴培亨,张世远,张鸿才南京大学信息物理系南京大学信息物理系南京大学信息物理系南京大学信息物理系南京大学物理系南京大学物理系南京 210008 南京 210008 南京 210008 南京 210008 南京 210008 南京 210008

本文采用射频磁控溅射法分别以 CeBa2Cu3O7-δ和 MgO 为势垒层,原位制备出 YBa2Cu3.O7-δ/CeBa2Cu3O7-δ/YBa2Cu3O7-δ和 YBa2Cu3O7-δ/MgO/YBa2Cu3O7-δ三层结构.文中给出了一些初步的实验结果,它们表明:在 YBa2Cu3O7-δ薄膜与势垒层... 详细信息

本文采用射频磁控溅射法分别以 CeBa2Cu3O7-δ和 MgO 为势垒层,原位制备出 YBa2Cu3.O7-δ/CeBa2Cu3O7-δ/YBa2Cu3O7-δ和 YBa2Cu3O7-δ/MgO/YBa2Cu3O7-δ三层结构.文中给出了一些初步的实验结果,它们表明:在 YBa2Cu3O7-δ薄膜与势垒层之间有较严重的互扩散.

关键词：三层结构势垒层 YBCO 超导薄膜 YBa2Cu3O Cu

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星形AB共聚物和A均聚物的共组装模拟研究

原子与分子物理学报 2025年第5期42卷 90-94页

作者：段润宇新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830017

具有独特结构的纳米粒子在高分子材料领域具有广泛的应用.本文采用耗散粒子动力学模型系统的研究了三臂星形AB二嵌段共聚物和A均聚物共混体系的共组装相行为.通过调节聚集体中星形共聚物浓度和AB嵌段的长度比有效地控制了AB/A共混体系... 详细信息

具有独特结构的纳米粒子在高分子材料领域具有广泛的应用.本文采用耗散粒子动力学模型系统的研究了三臂星形AB二嵌段共聚物和A均聚物共混体系的共组装相行为.通过调节聚集体中星形共聚物浓度和AB嵌段的长度比有效地控制了AB/A共混体系中聚集体的共组装形貌.预测了一些有趣的结构,比如,具有较厚壳层的核-壳-补丁结构、具有壳层的且中心凹陷的圆盘状结构以及不规则椭球的多室结构.本文还发现对于具有较长A嵌段的星形链,增大A均聚物在聚集体中的浓度能够消除聚集体内B嵌段形成的核;对于具有较短A嵌段的星形链,少量的A均聚物能够诱导聚集体共组装成具有长条状核的多室纳米粒子.

关键词：耗散粒子动力学星形二嵌段共聚物共组装纳米粒子

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内电场对纳米硅光致发光谱的影响

物理学报 2004年第4期53卷 1236-1242页

作者：黄凯王思慧施毅秦国毅张荣郑有炓南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

从量子限制发光中心模型出发 ,计算了纳米硅的光致发光 (PL)特征与发光中心间的关系 .研究发现 ,纳米硅与发光中心间的内电场对载流子复合率及峰位振荡有着十分重要的影响 .在 2— 5nm的尺寸范围内 ,纳米硅发光中心上的载流子复合概率... 详细信息

从量子限制发光中心模型出发 ,计算了纳米硅的光致发光 (PL)特征与发光中心间的关系 .研究发现 ,纳米硅与发光中心间的内电场对载流子复合率及峰位振荡有着十分重要的影响 .在 2— 5nm的尺寸范围内 ,纳米硅发光中心上的载流子复合概率远大于内部复合概率 ,仅需考虑发光中心上的载流子复合发光 .还发现发光中心与纳米硅粒子间的内电场对于纳米硅的发光峰位振荡有着显著的影响 .发光中心与纳米硅粒子间的内电场的存在会显著减小纳米硅粒子的内部发光效率以及外部相应发光中心上的发光强度。

关键词：内电场纳米硅光致发光谱量子限制发光中心载流子复合率发光强度

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有机源制备的氢化非晶碳膜的新颖发光行为

南京大学学报（自然科学版） 2001年第4期37卷 497-501页

作者：黄晓辉徐骏李伟马天夫王立陈坤基南京大学物理系

利用有机碳源 (二甲苯 ) ,采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统制备了一系列氢化非晶碳 (a C :H)薄膜样品 .与利用甲烷 (CH4)制备的a C :H不同 ,该样品的光致发光峰位于蓝绿光范围并且呈现多峰结构 ,而不是表现为一个较宽的单峰 ... 详细信息

利用有机碳源 (二甲苯 ) ,采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统制备了一系列氢化非晶碳 (a C :H)薄膜样品 .与利用甲烷 (CH4)制备的a C :H不同 ,该样品的光致发光峰位于蓝绿光范围并且呈现多峰结构 ,而不是表现为一个较宽的单峰 .同时样品发光峰的特征随着制备过程中功率不同而变化 .认为 :a C :H薄膜中的芳香环结构的引入产生了新的发光中心。

关键词：有机源光致发光氢化非晶碳膜制备等离子体增强化学气相沉积发光特性

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Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究

Journal of Semiconductors 2004年第9期25卷 1109-1113页

作者：邓咏桢郑有炓周春红孔月婵陈鹏叶建东顾书林沈波张荣江若琏韩平施毅南京大学物理系

通过 PL 谱和 Raman谱对 MOCVD生长 Si基 Al N的深陷阱中心进行了研究 ,发现三个深能级 Et1 ,Et2 ,Et3,分别在 Ev 上 2 .6 1,3.10 ,2 .11e ***1 是由氧杂质和氮空位 (或 Al间隙原子 )能级峰位靠近重合共同引起的 ,Et2 、Et3都是由于衬底... 详细信息

通过 PL 谱和 Raman谱对 MOCVD生长 Si基 Al N的深陷阱中心进行了研究 ,发现三个深能级 Et1 ,Et2 ,Et3,分别在 Ev 上 2 .6 1,3.10 ,2 .11e ***1 是由氧杂质和氮空位 (或 Al间隙原子 )能级峰位靠近重合共同引起的 ,Et2 、Et3都是由于衬底 Si原子扩散到 Al N引起的 .在 Si浓度较低时 ,Si主要以取代 Al原子的方式存在 ,产生深陷阱中心Et2 .Si浓度高于某个临界浓度时 ,部分 Si原子以取代 N原子位置的方式存在 ,形成深陷阱中心 Et3.实验还表明 ,即使经高温长时间退火 ,Al N中 Et1 和 Et2

关键词： Si基AlN 深陷阱中心 PL谱